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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]透明导电性薄膜-CN201310269101.4有效
  • 梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭;梶原大辅 - 日东电工株式会社
  • 2012-09-27 - 2013-10-09 - H01B5/14
  • 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
  • 透明导电性薄膜
  • [发明专利]透明导电性薄膜-CN201280006323.0有效
  • 梨木智刚;野口知功;拝师基希;石桥邦昭 - 日东电工株式会社
  • 2012-10-01 - 2013-10-02 - H01B5/14
  • [课题]使用薄膜基材时，以以往的铟锡氧化物的3层膜的构成，铟锡氧化物不能结晶化、或结晶化非常耗费时间。[解决手段]本发明的透明导电性薄膜10具备：具有2个主面的薄膜基材11、和形成于薄膜基材11的一个主面的透明导电膜12。透明导电膜12为从薄膜基材11侧起依次层叠有第一铟锡氧化物层13、第二铟锡氧化物层14、第三铟锡氧化物层15的3层膜。第一铟锡氧化物层13的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。第三铟锡氧化物层15的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层14的氧化锡含量少。
  • 透明导电性薄膜
  • [发明专利]透明导电性薄膜-CN201210374585.4有效
  • 梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭;梶原大辅 - 日东电工株式会社
  • 2012-09-27 - 2013-04-10 - H01B5/14
  • 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
  • 透明导电性薄膜
  • [发明专利]透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板-CN201110346353.3有效
  • 拝师基希;梨木智刚;野口知功;浅原嘉文 - 日东电工株式会社
  • 2011-11-04 - 2012-07-04 - H01B5/14
  • 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜，所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜，在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下的第一透明导电性薄膜(21)，从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的第二透明导电性薄膜(22)。
  • 透明导电性制造方法具备触摸面板
  • [发明专利]透明导电性膜的制造方法-CN201110346352.9有效
  • 拝师基希;梨木智刚;野口知功;浅原嘉文 - 日东电工株式会社
  • 2011-11-04 - 2012-07-04 - H01B13/00
  • 本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法，其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B)，所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量％的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2)，所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化，形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。
  • 透明导电性制造方法
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