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[发明专利]一种双向对称型集成器件分选机控制电路及分选方法-CN201610757646.3有效
发明人：周祥兵;陈骏 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明公开了电子元器件领域内的一种双向对称型集成器件分选机控制电路，包括电源电路、采样电路、比较电路、整形电路以及输出控制电路，采样电路的信号输出端与比较电路的信号输入端相连，比较电路的信号输出端与整形电路的信号输入端相连，整形电路的信号输出端与输出控制电路的信号输入端相连，通过使用本发明对集成器件进行检测分选，对双向对称集成器件的极性进行精准判别，保证了测试成品的正反向电压的一致性，提高集成器件使用的精度和可靠性。
一种双向对称集成器件分选控制电路方法

[实用新型]一种DFN大功率集成器件引线框架-CN201720116285.4有效
发明人：高潮;黄素娟 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了芯片制造领域的一种DFN大功率集成器件引线框架，包括载板和盖板，载板上均匀加工有若干芯片区，芯片区加工成凹陷的基岛，盖板上加工有若干与凹陷的基岛配合的凸起，本实用新型通过使用整片盖板代替现有的键合丝，在DFN封装领域大大提高成品器件的浪涌承受能力，提高可靠性，失效率大大降低，可用于DFN大功率集成器件封装中。
一种 dfn 大功率集成器件引线框架

[实用新型]一种双向对称型集成器件分选机控制电路-CN201620977092.3有效
发明人：周祥兵;陈骏 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本实用新型公开了电子元器件领域内的一种双向对称型集成器件分选机控制电路，包括电源电路、采样电路、比较电路、整形电路以及输出控制电路，采样电路的信号输出端与比较电路的信号输入端相连，比较电路的信号输出端与整形电路的信号输入端相连，整形电路的信号输出端与输出控制电路的信号输入端相连，通过使用本实用新型对集成器件进行检测分选，对双向对称集成器件的极性进行精准判别，保证了测试成品的正反向电压的一致性，提高集成器件使用的精度和可靠性。
一种双向对称集成器件分选控制电路

[发明专利]一种DFN大功率集成器件制造方法以及引线框架-CN201710069378.0在审
发明人：周祥兵 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了芯片制造领域的一种DFN大功率集成器件引线框架，包括载板和盖板，载板上均匀加工有若干芯片区，芯片区加工成凹陷的基岛，盖板上加工有若干与凹陷的基岛配合的凸起，本发明通过使用整片盖板代替现有的键合丝，在DFN封装领域大大提高成品器件的浪涌承受能力，提高可靠性，失效率大大降低，可用于DFN大功率集成器件封装中。
一种 dfn 大功率集成器件制造方法以及引线框架

[实用新型]一种大功率LDMOS器件内匹配结构-CN201621265154.4有效
发明人：杜寰;任建伟;丛密芳;李科;黄启俊;高潮 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率LDMOS器件内匹配结构，包括的“T”型网络结构，“T”型网络结构的管芯版图上增加有多晶电阻R，所述多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，即从管芯向外的第一结构为R‑L‑C‑L，本实用新型通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。
一种大功率 ldmos 器件匹配结构

[发明专利]一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法-CN201611043887.8在审
发明人：杜寰;任建伟;丛密芳;李科;黄启俊;高潮 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R，本发明通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。
一种提高大功率 ldmos 器件稳定性匹配设计方法

[发明专利]短漂移区的部分绝缘层上薄膜硅LDMOS晶体管-CN201611003267.1在审
发明人：黄启俊;胡月;高潮 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了电子元器件领域内的一种短漂移区的部分绝缘层上薄膜硅LDMOS晶体管，该晶体管至少包括一衬底层；一氧化层，一部分为硅窗，另一部分为埋氧层；一薄膜层，包括一源区、一体硅区、一漂移区、一漏区；一顶层，包括一薄氧化层、一厚氧化层、一栅电极、一源电极、一漏电极，本发明结构上实现了小尺寸、短漂移区，具有高击穿电压、低导通电阻、高驱动能力的特点，可用以电子线路板中。
漂移部分绝缘薄膜 ldmos 晶体管

[实用新型]一种大功率集成器件封装结构-CN201620976810.5有效
发明人：周祥兵 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了电子元器件领域内的一种大功率集成器件封装结构，包括第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘，第一焊盘、第二焊盘分别经铜丝与第三焊盘相连，第三焊盘上固定安装有芯片，第一焊盘与第二焊盘经筋板连接在一起，筋板被塑封体封装在其内部，本实用新型提高了成品器件的浪涌承受能力，使大功率集成器件的失效率大大降低，可用于手机电路板中。
一种大功率集成器件封装结构

[发明专利]精密声控传感器集成控制装置-CN201410790974.4有效
发明人：高潮;黄素娟 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种精密声控传感器集成控制装置，电荷控制/输出保护及输出补偿控制器用于检测信号输出端电压、检测MOS管M1栅极电荷和MOS管M2的栅极电荷、检测信号输入端的电压，通过智能线性开关对信号输出进行补偿，使信号输出的电压在设定电压范围内；或者使输出为零或者使开关K1和/或开关K2闭合；本发明有极高的抗噪声能力、极宽的音域、极小的失真、极小的尺寸和极少的端口；采用全域信号输入，并引入变频智能线性开关，采用创新的电荷算法控制技术，可用以电荷控制、输出保护及输出补偿控制，进一步地，本发明所采用的二极管、电阻以及JFET均为特殊的半导体制程，使系统的集成化得到根本的优化，能够实现极小尺寸。
精密声控传感器集成控制装置

[发明专利]超薄微型贴片微功耗声控传感器用封装芯片及其封装方法-CN201410046978.1有效
发明人：周祥兵 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了微电子元器件技术领域内的一种超薄微型贴片微功耗声控传感器用封装芯片，包括封装在塑封体内的芯片、引线、框架和栅极引脚，栅极引脚及作为源极、漏极的边侧引脚从塑封体中伸出；边侧引脚厚度为0.09~0.11mm；框架的厚度为0.03~0.05mm，框架的下表面与边侧引脚的下表面位于同一平面内，封装芯片整体塑封厚度为0.3~0.35mm，其中，框架的下表面与边侧引脚的下表面局部塑封厚度为0.025~0.035mm。其通过模具挤压加工，将框架压扁到0.03~0.05mm，然后进行焊接、塑封而成。其整体厚度0.3~0.35mm，可有效减薄封装芯片的厚度，并最终能减小移动终端的厚度。
超薄微型贴片微功耗声控传感器用封装芯片及其方法

[实用新型]一种铜丝焊接保护装置-CN201520236057.1有效
发明人：高潮;黄素娟 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了芯片封装领域内的一种铜丝焊接保护装置，旨在解决进行多个芯片之间的焊线连接时，前一个植好铜球的芯片因暴露在空气中而氧化的问题，它包括内部中空的空腔体，所述空腔体上设有竖直贯穿空腔体本体的圆柱形贯穿洞，所述贯穿洞内对应设有用于焊接待焊芯片并可竖直上下运动的劈刀，所述空腔体的一侧设有延伸进入空腔体的内腔并与所述贯穿洞相连通的第一通气管，所述空腔体的下侧设有若干通气孔，所述通气孔周向均布设置在所述贯穿洞下端洞口的外周，所述空腔体的一侧设有与空腔体内腔相连通的第二通气管。本实用新型的劈刀在对芯片植球过程中，待焊芯片周围始终覆盖有保护气体，有效避免进行多个芯片间的焊线连接时铜材氧化。
一种铜丝焊接保护装置

[实用新型]一种双芯片封装结构-CN201520236059.0有效
发明人：高潮;黄素娟 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了封片封装领域内的一种双芯片封装结构，包括引线框架，所述引线框架的表面并列设置有晶体管芯片和集成电路控制芯片，所述集成电路控制芯片通过导电银浆层与所述引线框架粘接固定，所述引线框架的表面安装晶体管芯片的位置设有一凹槽，凹槽内填充有用于固定粘接所述晶体管芯片的焊料，所述晶体管芯片的下侧与凹槽内的焊料固定粘接，所述晶体管芯片的上表面与所述集成电路控制芯片的上表面位于同一平面内。所述引线框架的表面分布有用于保护晶体管芯片的焊料，引线框架表面上的焊料厚度小于晶体管芯片的高度，并将晶体管芯片的下半部分包裹在其中。本实用新型通过在引线框架上设置凹槽，减小了塑封体的厚度，提高了散热性能。
一种芯片封装结构

[发明专利]超薄塑封半导体元器件框架、元器件及其制备方法-CN201410256976.5有效
发明人：周祥兵 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄塑封半导体元器件框架，所述框架上通过机械模压或腐蚀的方法形成一层以上用于容纳芯片的台阶。还公开了一种超薄塑封半导体元器件，包括：一上述的超薄塑封半导体元器件框架；一个以上的芯片，多个焊丝和引脚，以及塑封体。还公开了超薄塑封半导体元器件的制备方法。本发明的超薄塑封半导体元器件框架被设计成多层台阶结构，有利于元器件整体封装厚度的减小，且不易露丝，组装得到的超薄塑封半导体元器件封装尺寸减小，适合应用于超薄电子产品中。框架和引脚上通孔的设计使得封装时封装材料可以挤入通孔中，使塑封体和框架结合更紧密。
超薄塑封半导体元器件框架及其制备方法

[发明专利]一种超高频晶体管芯片-CN201210182106.9无效
发明人：高潮;黄素娟 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了电路芯片领域内的一种超高频晶体管芯片，包括一块本征半导体硅片，本征半导体硅片表面通过硼离子注入，扩散形成N型收集区，所述N型收集区的表面经磷离子注入，扩散形成P型基区，所述P型基区表面经硼离子注入形成N型发射区，本发明具有良好的高频特性，结构简单，成本低廉，可用于高速卫星导航、无线微波传输中。
一种超高频晶体管芯片

[发明专利]低功耗过流过压保护集成电路芯片-CN201210107625.9无效
发明人：高潮;黄素娟 -专利权人： 扬州江新电子有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了电路芯片领域内的一种低功耗过流过压保护集成电路芯片，包括在N型硅片下表面两块进行磷扩散的N+型区域，N型硅片的上表面经硼扩散有两块P型区域，N型硅片下表面上的两块N+型区域之间还经硼扩散有一块P型区域，N型硅片上表面上的两块P型区域内各经磷扩散有一块N+区域，本芯片通过将熔断器、变阻器的过流过压保护功能集中到本芯片上，大大缩小了保护电路的体积，节省了制造成本，性价比高，可用于对电路的过压和过流保护中。
功耗流过保护集成电路芯片