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[发明专利]双面重布线高套准精度的封装方法及结构-CN202310789365.6在审
发明人：杨诚;王成迁;戴飞虎;张鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面重布线高套准精度的封装方法及结构，其包括：提供若干待双面重布线的目标芯片以及若干双面重布线对位套准用的对位芯片，并将所提供的目标芯片与对位芯片进行晶圆重构，以形成重构晶圆片，以第二对位图形作为对位标记，制备与目标芯片的芯片第一表面适配的芯片第一表面重布线层；以第一对位图形作为对位标记，制备与目标芯片的芯片第二表面适配的芯片第二表面重布线层；对上述的重构晶圆片切割，以形成双面重布线的目标芯片。本发明能有效提高双面重布线套准精度，与现有工艺兼容，提高双面重布线封装的可靠性。
双面布线高套准精度封装方法结构

[发明专利]一种高层数、高良率、高密度扇出封装方法及其结构-CN202310827331.1在审
发明人：张政楷;戴飞虎;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种高层数、高良率、高密度扇出封装方法及其结构。包括：使用玻璃晶圆作为载片；通过旋涂方式在晶圆上涂覆光解临时键合胶并进行固化，随后在固化的临时键合胶上制备金属保护层；背贴聚酰亚胺薄膜；在金属保护层上完成再布线工艺；布线层和钝化层完成后，在对应Pad处倒装多颗芯片，倒装完成后进行底填已确保封装体可靠性；进行芯片倒装、底填，随后使用树脂料进行塑封；去除聚酰亚胺薄膜；使用激光解键合工艺碳化键合胶，去除玻璃晶圆；使用清洗液进一步去除残余的临时键合胶。本发明具有良率高、工艺简单的优势，所制备的多层高密度封装结构可靠性高且集成度优异。
一种层数高良率高密度封装方法及其结构

[发明专利]一种异质异构凸点的晶圆级制备方法-CN202211547812.9在审
发明人：袁渊;戴飞虎 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种异质异构凸点的晶圆级制备方法，属于晶圆级封装领域。在硅晶圆上第一次涂覆光刻胶，图像化出第一凸点的空间并在其中完成第一种凸点的制备；第一次去除光刻胶，第二次涂覆光刻胶，图像化出第二凸点的空间并在其中完成第二种凸点的制备；第二次去除光刻胶，第三次涂覆光刻胶，图像化出第三凸点的空间并在其中完成第三种凸点的制备；第三次去除光刻胶，通过一次回流将三种凸点回流成型。本发明在同一张晶圆上充分利用光刻和电镀技术，基于多次图形化和电镀工艺，实现一张晶圆上的等高或者差异高度的晶圆级异质异构凸点制备，完全基于晶圆级凸点制备工艺，没有增加额外复杂流程。
一种异质异构凸点晶圆级制备方法

[实用新型]基于硅基的射频芯片的扇出封装结构-CN202221951282.X有效
发明人：刘逸寒;戴飞虎;王成迁 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型属于集成电路封装技术领域，涉及一种基于硅基的射频芯片的扇出封装结构，包括：硅基底，所述硅基底刻蚀有芯片腔体，芯片腔体内贴合设置金属层，金属层的上端延伸至芯片腔体的外侧并弯折贴合于硅基底的上表面，射频芯片有源面朝外埋入芯片腔体中；介质层，所述介质层覆盖于硅基底的上表面，作为再布线层的介质；导电通孔，所述导电通孔图形化设置在所述介质层中；再布线层，所述再布线层设置在介质层的上表面，通过导电通孔实现射频芯片的接地端的引出以及再布线层之间的连接。该封装结构改变了射频芯片背面金属参考接地的方式，降低了工艺难度、制作成本与周期，显著提高了生产效率，适合大规模量产使用。
基于射频芯片封装结构

[发明专利]多芯片滤波器硅基扇出封装结构以及方法-CN202210703103.9在审
发明人：叶振荣;钱立伟;戴飞虎;张鹏;王成迁 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯片滤波器硅基扇出封装结构以及方法，在硅基板的正面刻蚀出台阶形的第一凹腔与平底的第二凹腔，在滤波器芯片的正面、侧面与第一凹腔的上层台阶侧壁之间的间隙、在其他功能芯片的正面、侧面与第二凹腔的侧壁之间的间隙设有间隙介质层，使得在滤波器芯片下方形成震荡腔，在硅基板的背面制作有通孔，在硅基板的背面、通孔的孔壁、硅基板的正面及间隙介质层上设有钝化层，在通孔内以及部分钝化层上设有第一再布线层，钝化层的背面覆盖绝缘层，在第一再布线层的背面连接第二再布线层，在第二再布线层的背面连接互联凸点。本发明降低了工艺的复杂度，震荡腔密闭性好，实现了滤波器芯片与其他功能芯片的集成，缩小了体积。
芯片滤波器硅基扇出封装结构以及方法

[发明专利]一种滤波器器件封装方法及结构-CN202210433742.8在审
发明人：浦杰;戴飞虎;钱立伟;侯晋燕;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种滤波器器件封装方法及结构，属于集成电路封装领域。本发明利用激光局部键合技术使得硅基凹槽晶圆、玻璃晶圆电性能转接板形成滤波器芯片的空腔密封保护区，通过铜柱、金属焊盘、再布线金属层等，将滤波器电信号从芯片内部穿过凸点与外部连接，实现滤波器器件封装。本发明借用扇出概念，利用硅基凹槽晶圆作为载体，埋入滤波器芯片，巧妙的利用绝缘性更好的玻璃晶圆电性能转接板作为垂直互联手段和保护罩，构造空腔和引出端，再通过再布线扇出方法，大大增加了接触面积以及再布线密度，降低了键合的难度，提高了器件的可靠性，制造方法简便，适合大规模量产。
一种滤波器器件封装方法结构

[发明专利]一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法-CN202210241137.0在审
发明人： 戴飞虎;王成迁;刘逸寒;叶振荣;侯晋燕 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体公开了一种晶圆级扇出型封装结构，其中，包括：晶圆，包围所述晶圆的侧面以及部分背面设置的塑封料层，位于所述晶圆底面的塑封料层与所述晶圆背面形成凹槽，所述凹槽的表面依次设置钝化层和金属散热层，所述晶圆内设置晶圆功能区，所述晶圆的正面设置有绝缘层和金属布线层，所述绝缘层和所述金属布线层均与所述晶圆功能区接触，所述金属布线层上设置金属凸点。本发明还公开了一种晶圆级扇出型封装结构的制作方法。本发明提供的晶圆级扇出型封装结构解决了高密度集成模块的热量积累问题，提升了封装的结构的散热性能。
一种晶圆级扇出型封装结构及其制作方法

[发明专利]一种三维扇出型封装结构及其制作方法-CN202210241143.6在审
发明人： 戴飞虎;王成迁;段鹏超;杨诚;高艳 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体公开了一种三维扇出型封装结构，其中，包括：无源载板，其设置多个金属填充盲孔，正面形成有第一再布线金属层和第一再布线钝化层；第一再布线钝化层上通过垂直引线焊盘和垂直引线连接第一芯片塑封结构，第一芯片塑封结构上形成有第二再布线金属层和第二再布线钝化层，第二再布线钝化层上形成有第二芯片塑封结构；无源载板的背面形成背面凹槽，无源载板的背面除去背面凹槽的底壁位置处均设置背面钝化层，一部分背面凹槽内形成金属凸点，另一部分背面凹槽连接第三芯片结构。本发明还公开了一种三维扇出型封装结构的制作方法。本发明提供的三维扇出型封装结构有效解决了翘曲和散热问题。
一种三维扇出型封装结构及其制作方法

[发明专利]滤波器的封装结构及其封装方法-CN202111488378.7在审
发明人：钱立伟;王成迁;戴飞虎;杨诚;高艳 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种滤波器的封装结构，在滤波器芯片上设有管脚，在管脚上设有金属焊垫，在金属焊垫上设有互联柱，在互联柱与金属焊垫的外侧设有绝缘层，在绝缘层的上方设有钝化层，在钝化层的上方设有硅衬底，在硅衬底上开设有互联孔，在互联柱上设有第一再布线层，第一再布线层的下端部分与互联柱连接，在第一再布线层的上端部分上设有第二再布线层，在第二再布线层上设有互联凸点。本发明通过在硅衬底背面制作互联孔实现电气互联，同时制备一层绝缘层来形成凹槽结构，制备谐振器件所需的空腔结构，制作方法简便，金属键合操作简单，密闭性良好，适合大规模量产使用。
滤波器封装结构及其方法

[发明专利]高可靠性滤波器的封装结构及其封装方法-CN202111486351.4在审
发明人：钱立伟;王成迁;戴飞虎;杨诚;段鹏超;刘逸寒;叶振荣 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠性滤波器的封装结构及其封装方法，它包括滤波器芯片、管脚、互联柱、密封圈、键合膜、钝化层、第一再布线层、密闭腔、绝缘层、第二再布线层与互联凸点。封装方法包括制作互联柱与密封圈、贴合键合膜、打出键合膜孔、制备钝化层、激光开槽使切割道打开、制备第一再布线层、制备第二再布线层与焊接互联凸点、最终切割，得到单颗封装芯片。本发明简化流程，降低成本；通过对芯片表面及侧面进行绝缘材料保护，极大提高封装体的密闭性，增加芯片应用过程中的可靠性；在激光开孔内壁制备一层钝化层来改善孔洞形貌，从而确保电气互联正常进行。
可靠性滤波器封装结构及其方法

[实用新型]高强度、高伸长的芳纶绳芯输送带用钢丝绳-CN201920544424.2有效
发明人：邵永清;施瑾;戴飞虎;王洪标;陈晨;陈哲;严澄强 -专利权人：法尔胜泓昇集团有限公司;江苏法尔胜特钢制品有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： D07B1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及高强度、高伸长的芳纶绳芯输送带用钢丝绳，采用芳纶纤维绳作为芯绳，芳纶全称为聚苯二甲酰苯二胺，是一种新型高科技合成纤维，具有超高强度、高模量和耐高温、耐酸耐碱、重量轻等优良性能，其强度是钢丝的5‑6倍，模量为钢丝或玻璃纤维的2～3倍，韧性是钢丝的2倍，而重量仅为钢丝的1/5左右，在560℃的温度下，不分解，不融化。它具有良好的绝缘性和抗老化性能，具有很长的生命周期，芳纶纤维绳芯作为输送带钢丝绳使用时，在达到同样破断拉力、橡胶黏合强度及橡胶渗透性的条件下，芳纶芯钢丝绳比金属股芯钢丝绳具有更高的伸长率和更轻的线密度，强度较高，提高了输送带的适用范围。
钢丝绳输送带钢丝芳纶纤维绳合成纤维本实用新型抗老化性能橡胶渗透性玻璃纤维芳纶绳芯金属股芯耐酸耐碱生命周期优良性能苯二胺芳纶芯高模量绝缘性耐高温伸长率重量轻伸长芳纶甲酰聚苯芯绳黏合融化橡胶分解

[发明专利]高强度、高伸长的芳纶绳芯输送带用钢丝绳及其生产工艺-CN201910318724.3在审
发明人：邵永清;施瑾;戴飞虎;王洪标;陈晨;陈哲;严澄强 -专利权人：法尔胜泓昇集团有限公司;江苏法尔胜特钢制品有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： D07B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及高强度、高伸长的芳纶绳芯输送带用钢丝绳及其生产工艺，采用芳纶纤维绳作为芯绳，芳纶全称为聚苯二甲酰苯二胺，是一种新型高科技合成纤维，具有超高强度、高模量和耐高温、耐酸耐碱、重量轻等优良性能，其强度是钢丝的5‑6倍，模量为钢丝或玻璃纤维的2～3倍，韧性是钢丝的2倍，而重量仅为钢丝的1/5左右，在560℃的温度下，不分解，不融化。它具有良好的绝缘性和抗老化性能，具有很长的生命周期，芳纶纤维绳芯作为输送带钢丝绳使用时，在达到同样破断拉力、橡胶黏合强度及橡胶渗透性的条件下，芳纶芯钢丝绳比金属股芯钢丝绳具有更高的伸长率和更轻的线密度，强度较高，提高了输送带的适用范围。
钢丝绳输送带钢丝芳纶纤维绳芳纶绳芯伸长生产工艺合成纤维抗老化性能橡胶渗透性玻璃纤维金属股芯耐酸耐碱生命周期优良性能苯二胺芳纶芯高模量绝缘性耐高温伸长率重量轻芳纶甲酰聚苯芯绳黏合融化橡胶分解

[实用新型]一种内燃机用活塞-CN97232577.8无效
发明人： 戴飞虎 -专利权人： 戴飞虎
申请日： 1997-04-03 - 公布日： 1999-04-28 - 主分类号： F02F3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种内燃机用活塞,该活塞是在原有活塞基础上改进而成的,在活塞体1上的气环槽3内设有二副气环开口6相互错开的钢制气环4,钢制气环4的宽度为气环槽3的一半。错开角度最好为150°—180°。该活塞环可最大限度防止气体泄漏,密封效果好,起动效率高。
一种内燃机活塞

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