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[发明专利]一种分列式电容阵列结构SAR ADC-CN201810968399.0在审
发明人： 徐代果;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;徐世六;张正平;袁浚;胡蓉彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域，涉及一种分列式电容阵列结构SAR ADC，所述SAR ADC包括高位电容阵列、低位电容阵列以及比较器；所述高位电容阵列和低位电容阵列之间通过一个单位电容相连，高位电容阵列各个电容的上极板均连接采样开关对输入信号Vin进行采样，同时其上极板也连接比较器的输入端，高位电容阵列各个电容的下级板分别通过高位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN；低位电容阵列各个电容的上极板通过接地开关S_P与地相连，低位电容阵列各个电容的下级板分别通过低位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN。本发明提高了整个电容阵列的匹配精度，提升了SAR ADC的精度。
电容阵列电容低位上极板分列式基准电压阵列连接比较器数模混合集成电路采样开关单位电容低位开关高位开关接地开关下级输入端采样匹配

[发明专利]优化电容阵列面积的SAR ADC比较电路及其开关控制方法-CN201810520144.8在审
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;徐世六;冯治华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种优化电容阵列面积的SAR ADC比较电路及其开关控制方法，属于模拟或数模混合集成电路技术领域。包括采样开关S0、电容阵列、开关阵列、正电阻串阵列、负电阻串阵列和比较器；所述电容阵列由n个容值相同的单位电容构成，所述开关阵列由n‑1个一刀双掷开关构成，为序号1～n‑1单位电容的下极板提供电位切换；正、负电阻串阵列分别为序号1～n‑1的单位电容下极板提供正、负基准电压；所有单位电容的上级板接比较器的“‑”输入端，序号0的单位电容下级板接地，n表示逐次逼近型模型模数转换器的量化精度。本发明可以极大程度上减小了SAR ADC的电容阵列面积，SAR ADC芯片面积明显减小，明显降低了芯片的制造成本。
单位电容电容阵列开关控制开关阵列比较器负电阻下极板减小数模混合集成电路负基准电压模数转换器逐次逼近型采样开关电位切换双掷开关制造成本接地输入端正电阻优化量化芯片下级

[发明专利]一种高速高线性全差分跟随器-CN201610335138.6有效
发明人： 徐代果;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速高线性全差分跟随器，包括源极跟随器，所述源极跟随器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、采样开关KP、采样开关KN和两个采样电容CL，该全差分跟随器还包括输入管衬底电压偏置电路，所述输入管衬底电压偏置电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管。在本发明中，输入管M1和M2的衬底电压会随着输入电压VIP和VIN的变化而变化，这会大大缓解传统输入NMOS管的衬底偏置效应，使得源极跟随器的输出阻抗趋于稳定，从而明显提高源极跟随器的线性度。
一种高速线性全差分跟随

[发明专利]一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法-CN201810420910.3在审
发明人： 徐代果;胡刚毅;徐学良;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;徐世六 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于P阱浮空技术的采样开关及控制方法，该采集开关包括升压电路、采样开关NMOS管NM1和开关SN，所述采样开关的一端作为输入端VIN，采样开关的另一端作为输出端OUT，输入端VIN分别连接升压电路的输入端、采样开关NMOS管NM1的输入端，输出端OUT连接采样开关NMOS管NM1的输出端，升压电路的输出端与采样开关NMOS管NM1的栅极连接；所述开关SN连接于采样开关NMOS管NM1的衬底与地之间。本发明所示结构非常简单，只引入了一个额外的开关，最大程度减小了采样管的额外寄生电容，和传统技术相比，电路实现也更为简单。
采样开关输出端输入端升压电路浮空技术程度减小电路实现寄生电容栅极连接采样管衬底采集引入

[发明专利]一种任意整数倍数分频器-CN201810239475.4在审
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;付东兵;徐世六;冯治华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H03K23/66 文献下载
摘要：本发明提供一种任意整数倍数分频器，包括多个D触发器，所述多个D触发器之间依次连接，形成串联结构，所述多个D触发器包括一个或多个结构相同的从触发器，以及处于串联结构起始端的首触发器；通过调整所述从触发器的数量，完成对信号的任意整数倍的分频处理；本发明仅仅通过多个D触发器的串联而成，结构非常简单，并且可以通过增加或者减少D触发器的数量，任意调节分频的倍数，与传统结构相比，本发明中的任意倍数分频器结构，在满足结构简单的基础上，大大提高了分频器的复用性和灵活性，丰富了模数电路混合设计，促进了集成电路制造技术的水平的提高。
触发器分频器串联结构集成电路制造技术分频器结构传统结构分频处理模数电路任意调节依次连接复用性整数倍分频串联

[发明专利]采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器-CN201510574075.5有效
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;付东兵;邓民明 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种采样NMOS管及其生成方法、电压自举采样开关和模数转换器，应用于模数转换器领域，本发明在采样NMOS管的源极和电源之间加入一个二极管D1，在采样NMOS管的漏极和电源之间加入一个二极管D2，当输入电压增加时，由于输入电压通常不会大于电源电压，二极管D1/D2处于反偏，他们的寄生电容会随着输入电压的增加而增加，同时，由于输入电压通常不会小于0，NMOS管的源/漏极和地之间的寄生二极管DP1/DP2也处于反偏，他们的寄生电容会随着输入电压的增加而减小，故二极管D1/D2的寄生电容随输入电压的变化就补偿了寄生二极管DP1/DP2的寄生电容随输入电压的变化，使得采样电容不会随着输入电压的变化而变化，极大的提高了采样开关的线性度，以及整个电路的线性度。
输入电压二极管寄生电容采样模数转换器采样开关寄生二极管电压自举线性度反偏电源采样电容电源电压源/漏极减小漏极源极电路应用

[发明专利]高速低功耗触发器-CN201610076103.5有效
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;付东兵;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速低功耗触发器，包括控制信号生成电路、使能单元和锁存器结构，所述锁存器结构包括两输入端、两输出端、两使能端、第二使能端和接地端，所述使能单元包括两使能电路，所述控制信号生成电路的输出信号X和外部控制信号D作为第一使能电路的输入信号，所述第一使能电路的输出端与第一使能端连接，所述控制信号生成电路的输出信号X和外部控制信号D的反相信号DB作为第二使能电路的输入信号，所述第二使能电路的输出端与第二使能端连接；本发明所提出的触发器结构和传统结构相比，电路结构简单，并且锁存器的输出端寄生电容很小，提高了触发器的速度，并且没有静态功耗。
使能输出端电路控制信号生成电路低功耗触发器外部控制信号锁存器结构使能单元输出信号触发器结构传统结构电路结构反相信号寄生电容静态功耗触发器接地端输入端锁存器

[发明专利]具有带冗余位的非二进制电容阵列的模数转换器及芯片-CN201510125504.0有效
发明人： 徐代果;徐世六;胡刚毅;陈光炳;刘璐 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种具有带冗余位的非二进制电容阵列的模数转换器及芯片，其中，带冗余位的非二进制电容阵列包括共模电压端、模拟信号输入端、至少一冗余位电容和多个电容，将每个电容并联设置于共模电压端和模拟信号输入端之间，并以最高位到最低位/最低位到最高位的顺序对设置于共模电压端和模拟信号输入端之间的所有电容进行依次标记，且最低位电容至任一位电容所对应的容值总和必须大于等于与所述任一位电容相邻的高一位电容所对应的电容容值，并设定每个电容的容值与单位电容的容值之比为正整数。另外，本发明还将该电容阵列应用到模数转换器中或制成相应的芯片，这使得在后期芯片电路版图设计时可采用更加灵活的布局方式，降低了设计难度。
电容电容阵列冗余位模拟信号输入端共模电压端模数转换器非二进制低位芯片版图设计布局方式单位电容电容并联多个电容芯片电路灵活的正整数应用

[发明专利]一种频率补偿的跨导放大器-CN201610040162.7有效
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种频率补偿的跨导放大器，包括NMOS管M1和M2构成的跨导放大器输入级，PMOS管M3和M4构成的跨导放大器第一级有源负载，恒流源Iss构成的跨导放大器第一级尾电流源，PMOS管M5构成的跨导放大器第二级输入管，NMOS管M6构成的跨导放大器第二级恒流源，电容CL构成的跨导放大器负载电容，增益级GAIN、补偿电阻Rc和补偿电容Cc顺序串联构成的跨导放大器频率补偿网络。本发明中的频率补偿网络，能够产生一个很低频的左半平面零点，该左半平面零点能够和跨导放大器的第一非主极点形成零极点抵消，不会降低主极点频率，并能改善跨导放大器的幅频特性曲线，使得在高频处向上抬起，大大增加了单位增益带宽，保证了理想的相位裕度，明显提高跨导放大器的品质因素。
一种频率补偿放大器

[发明专利]双通道时分交织结构异步逐次比较型模数转换器-CN201510481115.1有效
发明人：邓民明;徐代果;刘涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种双通道时分交织结构异步逐次比较型模数转换器，包含时分交织异步逐次比较单元，该时分交织异步逐次比较单元包括采样开关S10和S20，电容阵列C1和电容阵列E1，启动单元F1、F2、…、Fn，切换开关SW1、SW2、SW3、SW4、…、SW2n‑1、SW2n，比较器A1、A2、…、An，寄存器B1、B2、…、Bn，寄存器D1、D2、…、Dn，重置单元G1和G2。本发明由于采用了双通道异步逐次比较结构，对一组比较器进行双通道复用，且采用异步逐次比较方式，减少了数字逻辑的延时，因此相比于传统的逐次比较型模数转换器，具有更快的速度，因而本发明提供的模数转换器具有高速度和低功耗的特性，特别适用于对模数转换器速度和功耗性能要求较高的场合。
双通道时分交织结构异步逐次比较型模数转换器

[发明专利]逐次逼近型模数转换器及其比较器输入管的电容补偿电路-CN201510108658.9有效
发明人： 徐代果;徐世六;陈光炳;王育新;付东兵;刘涛;刘璐 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及其比较器输入管的电容补偿电路，其中，所述电容补偿电路，主要由第一PMOS管、第二PMOS管PM及NMOS管和控制开关构成，通过设计第一PMOS管、第二PMOS管PM及NMOS管NM和于比较器输入端的NMOS管的尺寸，使得在比较器输入电压小于阈值电压VTHN和比较器输入电压大于阈值电压VTHN两种情况下，补偿后总的寄生的电容相等且恒定，通过实现输入电压在0到电源电压VDD整个范围内，寄生电容相等，并保持一个相对恒定的值这一目的，从而消除传统结构下由于寄生电容不相等且不恒定所带来的非线性误差，从而达到提高逐次逼近型模数转换器性能的目的。
逐次逼近型模数转换器及其比较输入电容补偿电路

[发明专利]一种衬底输入结构的跨导放大器-CN201610039247.3有效
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底输入结构的跨导放大器，包括PMOS管M1、M2、M3和M4构成的衬底输入正反馈输入级结构，NMOS管M5、M6、M7、M8和PMOS管M9、M10构成的自偏置有源负载结构，恒流源，跨导放大器补偿电容CC和负载电容CL。本发明分别将输入级中PMOS管M3和M4的衬底和其栅极相连，从而直接将输入信号加在PMOS管M3和M4栅极之上，连接方式非常简单，非理想的寄生效应被降到最小，既能实现提高输入级跨导的思路，又不需要引入RC网络，大大减小了电路设计成本，使得电路非常容易实现，而且没有静态功耗；同时补偿电容的连接方式，将跨导放大器的第一个非主极点推向更高的频率，使得跨导放大器单位增益带宽增加的同时，保持了合适的相位裕度，增强了跨导放大器的稳定性。
一种衬底输入结构放大器

[发明专利]一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器-CN201610040317.7有效
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器，包括PMOS输入管M1、M2、M3和M4构成的自偏置共源共栅输入级结构，NMOS管M5、M6、M7和M8构成的自偏置共源共栅第一级负载结构，NMOS管M9和PMOS管M10构成的第二级共源放大器结构，NMOS管M11、M12和PMOS管M13构成的偏置电路结构，放大器补偿电容CC，放大器负载电容CL，基准电流源Iref和提供恒流源功能的PMOS管M0。本发明还提供一种采用NMOS管作为输入管的自偏置共源共栅结构的跨导放大器。本发明第一级放大器的输入管和负载管均采用了自偏置共源共栅结构，提高了第一级放大器的输出阻抗，增加了第一级放大器的直流增益；第一级放大器的MOS管的衬底电压由放大器偏置电路提供；补偿电容Cc的连接方式，实现了更高的质量因数。
一种基于偏置共源共栅结构放大器

[发明专利]电荷式流水线逐次逼近型模数转换器及其控制方法-CN201710740060.0在审
发明人： 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;付东兵;徐世六;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种电荷式流水线逐次逼近型模数转换器，包括高位电容阵列，用于对输入信号采样，还用于充、放电；低位电容阵列，其电容值与高位电容阵列的电容值相同，用于充、放电；开关控制电路，用于控制高、低位电容阵列的工作状态，还用于将高位电容阵列的残差电压以电荷共享方式分布至低位电容阵列；比较器，用于在半个周期内对低位电容阵列进行逐次比较，在另半个周期内对高位电容阵列进行逐次比较，将比较值依次输出；逐次逼近寄存逻辑电路，用于根据比较值闭合连接高、低位电容阵列的两项选择开关阵列的开关，直到闭合电容阵列的对应的开关得到数字信号。本发明还提供该模数转换器的控制方法，简化了电路的设计难度，减小了电路的面积。
电荷流水线逐次逼近型模数转换器及其控制方法

[发明专利]一种参考电压产生电路-CN201610256167.3有效
发明人：石寒夫;刘涛;徐代果;刘璐;王旭;邓民明;陈光炳;王育新;付东兵 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种参考电压产生电路，包括电平转换电路，包括第一电荷泵、第一差分运算放大器、第一NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，其中，第一差分运算放大器、第一电荷泵、第一NMOS晶体管及第一电阻构成第一单位增益结构；用于通过所述第一单位增益结构输出参考电压，并通过第一电阻、第二电阻及第三电阻以差分形式将所述参考电压输出到所述前级驱动电路；前级驱动电路，包括第二差分运算放大器和第三差分运算放大器、第二电荷泵和第三电荷泵、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管以及第四电阻，其中，第二差分运算放大器、第二电荷泵、第二NMOS晶体管构成第二单位增益结构，第三差分运算放大器、第三电荷泵、第一PMOS晶体管构成第三单位增益结构；用于根据所述第二单位增益结构及第三单位增益结构对所述电平转换电路输出的参考电压进行驱动；如此，本发明实施例提供的参考电压产生电路具有更高的建立精度和更大的输出摆幅。
一种参考电压产生电路