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- [发明专利]一种外腔半导体激光器系统-CN202210856168.7有效
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肖瑜;张成杰
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华中科技大学
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2022-07-21
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2022-09-20
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H01S5/14
- 本发明公开了一种外腔半导体激光器系统,属于横模控制技术领域,包括:超宽面半导体激光芯片,条宽大于400μm,横模在侧向上阶数大于20,用于输出发射光;外腔选模结构,通过在超宽面半导体激光芯片的外腔插入衍射光学元件实现,用于在发射光的近场进行相位调制,再通过傅里叶变换和滤波,从而输出损耗很小的特定高阶模式光,实现单一侧向高阶模式振荡;光束整形结构,设置在外腔选模结构的输出光路上,用于将特定高阶模式光整形成为高功率高光束质量的近高斯基模输出,从而使得外腔半导体激光器系统的输出光亮度成倍提升。本发明提供的外腔半导体激光器系统有望突破半导体激光亮度瓶颈,实现高功率高光束质量半导体激光输出。
- 一种半导体激光器系统
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