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[发明专利]单层矿脉的开采方法以及矿脉的开采方法-CN202211160795.3在审
发明人：章邦琼;徐广宇;李赫;杨秀森;张彦坡;魏鹏;王天明;张建华;刘福林;陈万龙;郭刚;姚文华;俞佳硕;佟昊;胡志超;刘建达;翟永志;高晓东;李洪波;韩俊仁 -专利权人：内蒙古金陶股份有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： E21C41/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种单层矿脉的开采方法以及矿脉的开采方法，单层矿脉的开采方法包括：a、沿矿脉的倾向施工切割井，所述切割井的数量为多个且沿所述矿脉的走向间隔布置；b、在所述切割井中对其侧向的矿脉沿所述矿脉的走向进行逐层回采；以及c、在对所述矿脉沿其走向每完成一层侧向回采后，对所述矿脉的已经完成回采的一层空间进行填充。通过在切割井中朝向侧面进行分层回采，并在一层回采结束后对回采过的空间进行填充，从而保证矿脉在回采过程中始终仅有一小部分空间处于采空的状态，能够有效降低地压，避免由于采空空间过大导致矿脉塌陷的问题。
单层矿脉开采方法以及

[实用新型]矿车缓冲装置和矿车缓冲系统-CN202121201777.6有效
发明人：李赫;杨秀森;张彦坡;魏鹏;李伟;徐广宇;麻国吉;田玉华;张建华;王寿刚 -专利权人：内蒙古金陶股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B61K7/18 文献下载
摘要：本公开涉及一种矿车缓冲装置和矿车缓冲系统，所述缓冲装置包括有支撑件(1)、转动连接于该支撑件(1)的缓冲件(2)以及一端连接于支撑件(1)且另一端连接于缓冲件(2)的弹性件(3)，所述弹性件(3)具有初始位置和压缩位置，在所述初始位置，所述弹性件用于保持所述支撑件(1)与所述缓冲件(2)相互远离，在所述压缩位置，矿车抵压所述缓冲件压缩所述弹性件而靠近所述支撑件。通过缓冲装置的设置，能够减缓矿车(6)的行进速度，提高了安全性。
矿车缓冲装置系统

[实用新型]矿山竖井的井口安全门系统-CN202120287978.6有效
发明人：李达;王成龙;王士强;薛阳;张长征;章邦琼;张孝;王寿刚;张建华;张彦坡;鞠光辉;周春利;刘国学 -专利权人：内蒙古金陶股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： B66B5/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种矿山竖井的井口安全门系统，该井口安全门系统包括外门、内门、锁止机构、罐笼、检测单元以及控制器，外门和内门均用于设置于矿山竖井的井口的开放端处，以用于暴露或封堵开放端，且内门设置于外门的内侧，锁止机构用于对外门进行锁止以使外门保持封堵开放端的状态，罐笼用于沿上下方向可运动地设置于矿山竖井，检测单元和控制器电连接，检测单元用于检测罐笼是否处于井口处的锁止位置，控制器用于：在检测单元检测到罐笼处于锁止位置时，控制锁止机构解除对外门的锁止。该井口安全门系统能够有效地提高安全系数，避免造成人员的伤害。另外，无需操作人员执行对外门的开启操作，便可实现外门的自动开启，自动化程度高。
矿山竖井井口安全门系统

[实用新型]矿脉的采场底部结构和矿脉采场-CN202021849458.1有效
发明人：李守波;张建华;张洪廷;张长征;李达;章邦琼;王成龙;王寿刚;王士强;鞠光辉;张彦坡;刘国学;周春利 -专利权人：内蒙古金陶股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： E21C41/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种矿脉的采场底部结构和矿脉采场，采场底部结构包括底部巷道和布置在底部巷道中的砼假底，砼假底将底部巷道分隔为上部的第一操作空间和下部的放矿空间，矿块的侧边设置有行人运料通道，砼假底具有延伸出矿块的侧边的延伸部，行人运料通道的底部设置有第一溜井，延伸部中布置有用于与第一溜井连通配合的第一溜口。这样，砼假底具有对应设置在行人运料通道的底部的延伸部，从而可以阻挡从行人运料通道掉落的物体，保护底部巷道中施工人员的安全，同时还可以避免堵塞底部巷道，减少施工人员的劳动量。另外，行人运料通道底部的第一溜井可以用于存放行人运料通道上方坍塌时产生的废石，并将废石通过第一溜口放矿至放矿空间。
矿脉底部结构

[发明专利]室内分布系统改建方法及室内分布系统-CN201910060500.7有效
发明人：庞松涛;范冰洁;张彦坡;韩建华;高智涛;杨丽;王辉;孔德好 -专利权人：河南省信息咨询设计研究有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H04B7/0413 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种室内分布系统改建方法及室内分布系统，应用于多层建筑物的室内分布系统。方法包括：断开2G信源和第一合路器的连接，断开3G信源和第一合路器的连接；将2G信源的第一输出端口划分为至少两个第一端口，将3G信源的第一输出端口划分为至少两个第二端口；将至少两个第一端口的其中一个、至少两个第二端口的其中一个及4G信源的第一输出端口连接至第一合路器的输入端；将至少两个第一端口的另一个、至少两个第二端口的另一个及第二输出端口连接至第二合路器的输入端；断开部分楼层的馈线与第一合路器的连接，将断开的馈线连接至第二合路器，使得每一楼层的馈线和至少一个相邻楼层的馈线与4G信源的不同输出端口相连。
合路器信源断开室内分布系统输出端口馈线输出端口连接输入端楼层多层建筑物馈线连接相邻楼层改建应用

[实用新型]充填采矿的砼假底结构-CN201820241616.1有效
发明人：张建华;张彦坡;陈万龙;鞠光辉;周春利;薛阳;王成龙 -专利权人：内蒙古金陶股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： E21F13/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种充填采矿的砼假底结构，所述结构包括位于所述矿块(100)底部巷道中的砼假底本体(1)和溜井(2)，所述砼假底本体(1)将所述底部巷道分隔为上方的采场空间(200)和下方的放矿空间(300)，所述溜井(2)由上至下贯穿所述砼假底本体(1)以用于放矿。本公开通过砼假底本体隔开底部巷道为采场空间和放矿空间，从而使采场空间爆破下来的矿石能够通过溜井下放至放矿空间中，便于矿车运输，提高了采矿的安全性和效率。 1
放矿采场溜井巷道充填采矿矿车运输隔开矿块分隔矿石爆破采矿下放贯穿

[发明专利]一种可控自形成Cu₃Ge/TiN双层扩散阻挡层制备方法-CN201410254176.X有效
发明人：刘波;张彦坡;林黎蔚 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成Cu₃Ge/TiN双层阻挡层制备方法。本发明先采用气相物理共溅射技术制备Cu（Ge，Ti）合金层，随后通过控温氮气（N₂）氛退火等步骤，利用Cu（Ge，Ti）合金层中各元素在高温退火过程中能自发选择性反应特性，在Si/Cu（Ge，Ti）/Cu界面可控自形成Cu₃Ge/TiN双层阻挡层，其在高温（750℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用Cu（Ge，Ti）合金可控自形成Cu₃Ge/TiN双层阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
一种可控形成 cu sub ge tin 双层扩散阻挡制备方法

[发明专利]一种可控自形成MnSi_xO_y/Cu₃Ge双层扩散阻挡层制备工艺-CN201410199784.5有效
发明人：刘波;张彦坡;廖小东;林黎蔚 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成MnSi_xO_y/Cu₃Ge双层阻挡层制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗、沉积Cu（Ge，Mn）合金层和控温退火等步骤。本发明利用Cu（Ge，Mn）合金层中各元素在高温退火过程中能自发选择性在Si/Cu（Ge，Mn）/Cu界面反应自形成MnSi_xO_y/Cu₃Ge双层阻挡层，其在高温（>650℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用Cu（Ge，Mn）合金可控自形成MnSi_xO_y/Cu₃Ge双层阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
一种可控形成 mnsi sub cu ge 双层扩散阻挡制备工艺

[发明专利]一种无铜籽晶互连用碳化钼掺杂钌基合金扩散阻挡层制备工艺-CN201410201533.6有效
发明人：刘波;张彦坡;林黎蔚;廖小东 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金（RuMoC）扩散阻挡层制备工艺，它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜（Cu）与氧化硅基绝缘介质（SiOC：H）之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC(5nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上，能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC(5nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
一种籽晶互连碳化掺杂合金扩散阻挡制备工艺

[发明专利]4H-SiC基中子探测器用⁶LiF/ BC₄复合中子转换薄膜制备工艺方法-CN201310252906.8有效
发明人：刘波;蒋勇;张彦坡 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
sic 中子探测器用 sup lif bc sub 复合转换薄膜制备工艺方法

[发明专利]4H-SiC基中子探测器用BC₄转换薄膜制备工艺方法-CN201310077722.2无效
发明人：刘波;蒋勇;张彦坡 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的BC4转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将4H-SiC基体分别浸没于丙酮、酒精中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除4H-SiC基体中杂质，预溅射清洗去除BC4靶材表面杂质；以BC4靶作为磁控靶在4H-SiC基体上沉积BC4涂层；溅射清洗和溅射沉积均以氩气为起辉气体；反应磁控溅射镀膜真空炉内真空度调整至不低于10-3Pa自然冷却后出炉，即得到在4H-SiC基体上沉积的BC4转换膜。采用本发明获得的BC4转换膜厚度精确可控、耐辐照损伤、耐高温、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的BC4转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
sic 中子探测器用 bc sub 转换薄膜制备工艺方法

[发明专利]一种可控自形成阻挡层用Cu（Ge，Zr）合金的制备工艺-CN201210439672.3无效
发明人：刘波;张彦坡;陈顺礼 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成阻挡层用Cu（Ge，Zr）合金的制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗和沉积Cu（Ge，Zr）合金层等步骤。本发明沉积的Cu（Ge，Zr）合金层特点是能在高温退火(>500℃)过程中自发在Si/Cu（Ge，Zr）/Cu界面形成ZrGe2/Cu3Ge和ZrOx(ZrSiyOx)/Cu3Ge复合层，其在高温（>650℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用该Cu（Ge，Zr）合金自发形成的阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
一种可控形成阻挡 cu ge zr 合金制备工艺

[实用新型]一种用于小区草坪的停车装置-CN201220002380.9有效
发明人： 张彦坡 -专利权人： 张彦坡
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： E04H6/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于小区草坪的停车装置。其特征在于：在草坪的合适位置处架设钢板网，钢板网的边缘延伸至草坪边缘的道路上。其特征在于：钢板网的底部由埋设在草坪中的立柱支撑，所述的立柱为钢结构的或混凝土浇铸。其特征在于：钢板网的边缘为一连接道路的斜坡。其特征在于：钢板网为一大平面或为鱼骨形状。其特征在于：在钢板网上架设有花架，所述的花架由立杆连接在钢板网的边侧，立杆的顶端由横杆相互连接。本实用新型的优点是就是在不破坏绿化的前提下，在有限的小区空间里，利用晚间的时段在草坪上开辟出停车位，而在白天还以绿地的功能。
一种用于小区草坪停车装置

[发明专利]口腔烤瓷用钛瓷TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层制备工艺-CN201210169444.9无效
发明人：刘波;张彦坡;林黎蔚 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种在生物人体替代材料方面广泛应用的钛瓷间沉积TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层制备工艺，属于医学用口腔种植和修复中的金属烤瓷修复技术领域。该工艺采用射频磁控溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗和沉积TiN/ZrTiSiN复合过渡涂层等步骤。本发明沉积的TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层处理后的钛瓷耐烧结温度可高达850℃，结合强度可达60MPa。该制备工艺操作简单，便于推广。所得阻挡层材料在瓷烧结温度下通过阻碍氧与钛的扩散反应，防止其形成过厚的不致密氧化膜，显著提高钛瓷间的结合强度。
口腔烤瓷用钛瓷 tin zrtisin 复合过渡阻挡制备工艺

[发明专利]超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层制备工艺-CN201210063021.9无效
发明人：刘波;张彦坡;展长勇;任丁;林黎蔚 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜（Cu）互连技术中应用的超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层的制备工艺。本发明沉积的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)阻挡层热稳定温度可达750℃以上。采用该方法制备的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
超薄高热稳定性 zrgen cuge 复合梯度阻挡制备工艺

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