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- [发明专利]基于沟槽栅的逆导型IGBT-CN202310616682.8在审
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王天意;张庆雷;王波
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上海林众电子科技有限公司
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2023-05-29
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2023-07-28
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H01L29/739
- 本发明提供一种基于沟槽栅的逆导型IGBT，在IGBT关断时，器件承受负栅压二极管开始导通，重掺杂的P型掺杂区与P型掺杂的基区之间连通，相当于增大了二极管阳极的总掺杂浓度，提高了抗浪涌能力；另外，在IGBT导通时，器件承受正栅压，二极管区的沟道不会开启，重掺杂的P型掺杂区被隔断，不会影响二极管阳极的掺杂浓度，保持较低的空穴抽取速度以保证反向恢复过程具有更优软度；再者，二极管工作区的虚沟槽栅在二极管工作时作为二极管导通的控制栅，而在IGBT工作时作为IGBT的虚栅，有效提高了器件的表面利用率；最后，虚沟槽栅与沟槽栅受控于同一栅极，仅需一个栅极驱动器即可控制，有效降低器件的控制复杂度。
- 基于沟槽逆导型igbt
- [发明专利]一种筒体台阶内孔锻造方法-CN202310490440.9在审
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吴敌;王文;王学玺;胡建成;张庆雷;王雪松;高全德;周维成;任三刚
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河南中原特钢装备制造有限公司
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2023-05-04
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2023-06-30
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B21J5/00
- 本发明涉及一种筒体台阶内孔锻造方法，通过不增加专用辅具，利用现有传统空心锻造工具工装和设备，控制金属塑性变形过程来生产出筒体台阶内孔，锻造方法包括以下步骤：1）加热；2）错护锭板；3）镦粗；4）拔长下料；5）镦粗；6）冲孔；7）扩孔；8）拔至预成坯；9）收孔锻造台阶小孔；10）精整、余热校直；11）完全退火，本发明工艺流程不复杂，所需设备少，不增加专用辅具，依照成品内孔形状设计，利用现有传统空心锻造工具工装和设备，采用两次收孔锻造，通过控制金属塑性变形过程来达到台阶内孔的成型，大大节省了原材料，提高了锻造利用率，缩短了加工工时，通过此方法锻造出的筒体内部金属流动性好，晶粒度组织均匀，使筒体在机加工后纤维组织连续性不遭到破坏，提高筒体的产品性能，增加其使用寿命。
- 一种台阶锻造方法
- [发明专利]功率半导体装置及其制作方法-CN202111490574.8在审
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刘鹏飞;王波;张庆雷;詹祖日
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华大半导体有限公司
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2021-12-08
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2023-06-09
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H01L29/08
- 本发明提供一种功率半导体装置，所述功率半导体装置包括：基底，所述基底包括相对的第一主面及第二主面，所述基底中设置有第一导电类型的漂移区；第二导电类型的阱区，位于所述基底的第一主面上，所述阱区与所述漂移区相接触；沟槽栅结构；以及源区，所述源区位于所述沟槽栅结构上部的侧壁，每个源区包括自所述基底第一主面沿所述沟槽栅结构侧壁向所述基底内部延伸的第一源区掺杂部，所述第一源区掺杂部具有一致的第一深度。本发明还提供一种功率半导体装置的制作方法，通过所述制作方法制作的功率半导体装置具有最大深度一致的源区，可以确保更一致的阈值电压，有利于装置并联使用时的工作寿命。
- 功率半导体装置及其制作方法
- [发明专利]一种快恢复二极管结构及其制备方法-CN202310166781.0在审
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王天意;张庆雷;王波
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上海林众电子科技有限公司
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2023-02-24
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2023-05-30
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H01L29/06
- 本发明提供一种快恢复二极管结构及其制备方法，在中掺杂N型漂移区内形成贯穿的重掺杂P柱区，从而在N型漂移区内形成水平PN结，使得二极管在反向关断时N漂移区具有高电阻率，从而让二极管承受较高的反向偏压；二极管正向导通时，N型漂移区的掺杂浓度可以被快速恢复，从而降低二极管的电阻率以获得更低的正向压降，降低了器件的损耗；在沟槽栅之间形成轻掺杂N阱区和P型重掺杂区，二极管正向导通时，由于轻掺杂N阱区位于P型重掺杂区的下方，从而可以隔断P型重掺杂区，最终改善载流子的分布状态，二极管处于反偏时，轻掺杂N阱区与沟槽栅之间的电流通道被反型成P型，使P型重掺杂区与P型轻掺杂区连通，从而提高器件的抗反向浪涌能力。
- 一种恢复二极管结构及其制备方法
- [发明专利]一种高性能铁路用辙叉钢及其冶炼工艺-CN202211613490.3在审
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胡建成;张庆雷;王怡群;王雪松;王文;王学玺;翟文进;赵东
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河南中原特钢装备制造有限公司
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2022-12-15
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2023-03-10
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C22C38/06
- 本发明涉及一种高性能铁路用辙叉钢及其冶炼工艺，按照重量百分比包括如下化学成分：C 0.20～0.30%、Si 1.60～1.90%、Mn 1.60～1.90%、Cr 1.10～1.40%、Ni 0.20～0.40%、Mo 0.30～0.50%、V≤0.20%、S≤0.005%、P≤0.010%、Al≤0.015%、Ti≤0.010%、Nb≤0.010%、Cu≤0.15%，余量为铁，包括如下工序：（1）、精选配料，控制有害元素含量；（2）、电弧炉冶炼，控制碳、磷、温度满足工艺要求，出钢时随钢流加入低铝硅铁、锰铁、造渣材料石灰，不加铝块；（3）、钢包炉吹氩精炼、升温、脱氧、调整合金成分、成分合格后吊包真空脱气、吹氩喂钙线强化脱氧；（4）、立式连铸机连铸成连铸坯；（5）、采取氩气保护将连铸坯电渣成电渣锭；利用该工艺制成的铁路辙叉用钢，淬透性好，使用寿命长。
- 一种性能铁路辙叉及其冶炼工艺
- [发明专利]一种改进型SG IGBT的制备方法及应用-CN202210861671.1在审
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王波;张庆雷
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上海林众电子科技有限公司
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2022-07-20
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2022-12-16
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H01L29/739
- 本发明涉及H01L29/00技术领域，具体涉及一种改进型SG IGBT的制备方法及应用。一种改进型SG IGBT的制备方法，包括以下步骤：S1.通过在晶圆底层上进行刻蚀形成沟槽；S2.通过在沟槽处的硅层表面进行氧化形成Gate Oxide，或进行氮化硅的沉积，形成SiN层；S3.在Gate Oxide上进行多晶硅的沉积形成Poly层；S4.在Poly层上进行蚀形成Poly层；S5.经过离子注入硼，进行表面沉积形成氧化层，通过对接触孔刻蚀，经过离子注入含硼化合物，在高温热过程退火处理后形成P+区，并通过金属淀积形成金属层。通过本发明提供的制备方法可以获得具有提升SG IGBT的击穿电压，并降低了开通损耗和栅极‑集电极电容的改进型SG IGBT的结构。
- 一种改进型sgigbt制备方法应用
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