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[发明专利]数据驱动前馈加反馈补偿的转角优化方法及系统-CN202310599705.9有效
发明人：聂琳真;柯隽威;尹智帅;巴元新;何志伟;孙二千;张书霖;曾俊源 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G05B11/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据驱动前馈加反馈补偿的转角优化方法及系统，其中方法包括以下步骤：S1、输入当前时刻及其前n个时刻的车速、期望方向盘转角到时延神经网络模型TDNN中，输出方向盘转角的前馈补偿；S2、将经过前馈补偿的期望方向盘转角输入模糊PID控制器，输出反馈补偿方向盘转角；S3、将当前车辆的期望方向盘转角、前馈补偿方向盘转角、反馈补偿方向盘转角之和作为最终优化后的方向盘转角。本发明可对方向盘转向进行优化，提高自动驾驶路径跟踪精度。
数据驱动前馈加反馈补偿转角优化方法系统

[发明专利]大型工业园区无人清扫车沿边路径跟踪控制方法及系统-CN202211140446.5有效
发明人：尹智帅;焦钰军;张书霖;翟旭恺;曾俊源 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大型工业园区无人清扫车沿边路径跟踪控制方法及系统。获取无人清扫车在工业园区内沿边行驶轨迹作为后期无人清扫车的目标路径；依据纯追踪算法计算出当前无人清扫车前轮转角；激光雷达高频拾取无人清扫车与路沿距离并将该距离作为无人清扫车是否采用MPC算法对无人清扫车进行转角补偿的参考；利用MPC算法及时对无人清扫车进行转角补偿，根据无人清扫车稳定性状态及时调整控制量；通过udp协议将纯追踪算法和MPC路径跟踪控制器得到的期望前轮转角控制量输出到车辆底盘，完成无人清扫车的路径跟踪任务。本发明能够确保无人清扫车沿目标路径精确行驶、高效安全工作，最大程度上降低清扫车碰撞路沿的概率。
大型工业园区无人清扫沿边路径跟踪控制方法系统

[发明专利]一种非车载充电机绝缘检测启动判断方法及电路-CN202010114396.8有效
发明人：李晨光;陈润田;黄亚标;李剑;范锋;张书霖;朱建国 -专利权人：深圳市永联科技股份有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01R31/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非车载充电机绝缘检测启动判断方法及电路，在非车载充电机的接触器正负母线间增加绝缘检测启动判断电路，非车载充电机和电动汽车的电池接口物理连接且双方握手成功之后，非车载充电机开始检测自身直流输出的接触器外侧电压是否小于10V；若小于10V，严格按照新国标要求的控制导引逻辑进行充电，如果检测到接触器外侧电压≥10V，则判断接触器外侧电压是否为虚电压，如为虚电压则直接或等待设定时间后启绝缘检测启动判断电路，如为非虚电压则充电时序结束并上报故障。通过判断电压属性，并快速降低虚电压，使系统能够按照国标的要求进行充电，避免简单适用国标方法带来的误报问题以及能更准确的判断车辆继电器是否粘连。
一种车载充电机绝缘检测启动判断方法电路

[实用新型]一种煤电组合式热处理炉-CN201821350821.8有效
发明人： 张书霖;李跃 -专利权人：西南科技大学城市学院
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C21D1/00 文献下载
摘要：一种煤电组合式热处理炉，解决现有技术存在的问题，其采用煤电式组合加热技术，能节约能源，提高生产效率的目的，同时具备水幕除尘功能，处理废气效果显著。本实用新型由第一处理室，螺旋式给煤机，鼓风机，第二处理室，闸门，水幕除尘设备，烟道闸，炉壁，电阻丝组，活动盖，热电偶构成；炉壁由耐火砖、夹层珍珠岩和耐火钢板构成；第一处理室配备了螺旋式给煤机、鼓风机、和热电偶；第二处理室配备了电阻丝组、热电偶和水幕除尘设备；工件可从第一处理室和第二处理室上方的活动盖取放。本设计专用性强，热元件准确，操作简易，维修方便，满足各类中小型企业的热处理工序的需要，具有比较大的市场潜力和广泛的应用前景。
第一处理室热电偶煤电组合式热处理炉水幕除尘设备鼓风机电阻丝组给煤机活动盖螺旋式炉壁本实用新型热处理工序中小型企业废气效果加热技术耐火钢板生产效率市场潜力水幕除尘维修方便配备耐火砖热元件珍珠岩专用性烟道夹层取放闸门简易节约能源应用

[发明专利]一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器-CN201010530879.2无效
发明人：严琼;陈磊;赖宗声;石春琦;张书霖;华林;苏杰;张伟;刘盛富;阮颖 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护作用，该低噪声放大器正常工作时，功率增益为13分贝，噪声系数为2.6分贝，且功耗为6.5毫瓦输入回波损耗为13分贝。本发明具有的静电防护水平高达0.8～0.9安培，传输线脉冲电流为1.4安培。本发明功耗低，静电防护能力强，噪声、增益和输入输出匹配良好。
一种射频绝缘体互补金属氧化物半导体低噪声放大器

[发明专利]一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器-CN201010281784.1有效
发明人：张伟;陈磊;赖宗声;华林;刘盛富;张书霖;苏杰;阮颖 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H03D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电路噪声同时提高转换增益。跨导级电路采取三对跨导并联结构，在增大了跨导级跨导参数的同时也提高了混频器的线性度。从仿真结果看开关级工作在较理想的开关状态。电路还采取了电流注入方式，在开关级的发射极抽取部分电流，使得开关级的电流足够小，有效的降低了电路的热噪声和闪烁噪声。本发明设计工作于1.95GHz，能够应用于个人通信服务和宽带码分多址通信系统中。
一种改进型吉尔结构射频交上混频器

[发明专利]一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器-CN201010281785.6有效
发明人：华林;陈磊;赖宗声;石春琦;张伟;刘盛富;张书霖;苏杰;胡少坚;王勇;赵宇航;陈寿面 -专利权人：华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器，该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构，电路结构从上到下包括输出级，开关级，跨导级，电流源级；同时，电路还采用了电流注入方式，在最顶端有四个N型MOS管，动态抽取流过开关的电流，减小开关的噪声贡献。该混频器结合了双极型器件和MOS器件两者的优点，利用了锗化硅器件低噪声优势，具有低噪声，高线性度，低谐波失真，工作速度快等特点；本发明单边带噪声系数为9dB，输入1dB压缩点为-1.3dB同时转换增益为-2.5dB；本发明可应用于全球通(GSM)系统、射频识别(RFID)系统。
一种锗化硅双极互补金属氧化物半导体变频混频器

[发明专利]一种宽带低噪声放大器-CN201010272606.2有效
发明人：苏杰;陈磊;赖宗声;石春琦;张书霖;张伟;刘盛富;华林;胡少坚;王勇;赵宇航;陈寿面 -专利权人：华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带低噪声放大器，该放大器包括第一级共源共栅放大电路，第二级共源放大电路，输入输出匹配电路，为电路提供一个高的增益，电流抽取电路使电路的噪声系数降低，MOS管电流源偏置电路和HBT偏置电路，偏置网络滤波电路，进一步降低电路的噪声系数。其中共源共栅电路，在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。MOS和HBT偏置电路为共栅管和共源管提供稳定低噪声的偏置。偏置滤波电路滤除偏置上的射频信号稳定了偏置，使噪声系数减到最低。本发明可以广泛应用在GSM850，GSM900，DCS1800，PCS1900，WCDMA等现代无线通信标准中。
一种宽带低噪声放大器

[发明专利]一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器-CN201010276619.7有效
发明人： 张书霖;陈磊;赖宗声;苏杰;张伟;华林;刘盛富;阮颖 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功率输出；以电流镜的形式来提供偏置电流，利用温度负反馈来提高偏置电路的温度稳定性。本发明线性度高，功耗低，温度稳定性好，当输出P1dB压缩点约为18.5dBm。在5.5GHz后仿真S11＜-15dB，S22＜-6.6dB，S21＞16dB。
一种锗化硅双极互补金属氧化物半导体 ab 功率放大器

[发明专利]一种可变增益低噪声驱动放大器-CN201010276627.1有效
发明人：刘盛富;陈磊;赖宗声;张伟;华林;张书霖;苏杰;阮颖 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪声系数。其中共源共栅电路在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。通过控制外接偏压的选择获得3dB步长的可变增益。本发明具有可变增益高，低噪声，功耗低的特点。
一种可变增益噪声驱动放大器

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