专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种将NMOS作为理想二极管的驱动电路-CN202320918414.7有效
  • 崔英杰;邓兴培;孙浩源 - 石家庄泽润科技有限公司
  • 2023-04-21 - 2023-09-22 - H03K17/687
  • 本实用新型公开了一种将NMOS作为理想二极管的驱动电路,包括作为理想二极管使用的NMOS管以及NMOS管的驱动电路,所述NMOS管的源极作为理想二极管的正端连接电源VCC,NMOS管的漏极作为理想二极管的负端连接负载,电源VCC经NMOS管为负载供电,NMOS管的栅极连接驱动电路使NMOS管工作于理想二极管状态。本实用新型将NMOS作为理想二极管使用,其利用比较器输出进行驱动,可以杜绝负载端电流逆转,保护供电电路及设备,大大提高了可靠性和安全性。比较器供电电源采用方波电路结合电荷泵升压电路实现NMOS管的高边驱动,电路结构简单,性价比高。
  • 一种nmos作为理想二极管驱动电路
  • [发明专利]一种离型层结构、发光装置及其制备方法-CN202310656392.6在审
  • 崔英杰;朱映光;张国辉;胡永岚 - 固安翌光科技有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-08-22 - H10K77/10
  • 本发明提出了一种离型层结构、发光装置及其制备方法,属于半导体的技术领域,用以解决OLED器件的制备中承载基板粘附力恒定的技术问题。本发明所述离型层结构包括依次层叠设置的承载基板和薄膜层;所述薄膜层在预设作用下发生团聚,使得薄膜层形成凹凸结构;预设作用后的薄膜层与未进行预设作用的薄膜层的表面粗糙度差值大于等于10nm;本发明还进一步公开了包括该离型层结构的发光装置及其制备方法。本发明离型层结构中的薄膜层在加热条件下会发生团聚,减少薄膜层与相邻上下两层间的粘结面积。本发明中的薄膜层可以使相邻两层之间的粘附态转变为中间剥离态,在保留一定粘附力的情况下又能保证层与层之间进行完整剥离。
  • 一种离型层结构发光装置及其制备方法
  • [发明专利]一种发光装置-CN202310626579.1在审
  • 崔英杰;朱映光;张国辉;胡永岚 - 固安翌光科技有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-08 - H10K50/856
  • 本发明公开了一种发光装置,包括:发光层和层叠设置的至少两层透光保护层,所述至少两层透光保护层设置于所述发光层的出光侧;所述至少两层透光保护层中相邻的两个透光保护层中远离所述发光层的透光保护层对预设波段的光的折射率,大于邻近所述发光层的透光保护层对预设波段的光的折射率,且相邻两个透光保护层对预设波段的光的折射率的差值大于预设值,使所述至少两层透光保护层对由发光层的出光侧进入发光装置的所述预设波段的光的全反射临界角小于预设角度。本发明实施例可以避免环境光损坏发光装置的有机材料层,延长发光装置的使用寿命。
  • 一种发光装置
  • [发明专利]一种OLED屏体及其制备方法-CN202111461554.8有效
  • 崔英杰;朱映光;张国辉;郭立雪;胡永岚;谢静;李栋栋 - 固安翌光科技有限公司
  • 2021-12-02 - 2023-08-01 - H10K50/852
  • 本发明公开了一种OLED屏体及其制备方法,OLED屏体包括:透明基板;第一电极层,位于透明基板的一侧;辅助电极层,位于第一电极层远离透明基板的一侧;辅助电极层包括多个间隔设置的辅助电极;绝缘层,围绕辅助电极的侧壁以及辅助电极远离透明基板一侧的表面设置;防短路层,位于第一电极层远离透明基板的一侧,并设置于相邻的两个辅助电极之间,防短路层包括通孔;横向扩流层,位于绝缘层以及防短路层远离透明基板的一侧;横向扩流层通过通孔与第一电极层搭接;发光层,位于横向扩流层远离透明基板的一侧;第二电极层,位于发光层远离透明基板的一侧;实现了在满足OLED屏体的高亮度发光需求的同时,降低屏体短路概率,保证了产品的寿命和良率。
  • 一种oled及其制备方法
  • [发明专利]一种铁基超导单晶的高温退火方法-CN202310243015.X在审
  • 王成铎;崔英杰 - 郑州大学
  • 2023-03-14 - 2023-06-27 - C30B33/02
  • 本发明公开了一种铁基超导单晶的高温退火方法。将按照常规方法制备的铁基超导单晶,在充满惰性气体的手套箱中放入刚玉坩埚中,然后在铁基超导单晶上方铺设一层元素单质粉;接着在充满惰性气体的手套箱中将盛有物料的坩埚放入铁管中,将铁管两侧堵住,用点焊机进行封管;再将铁管放置在石英玻璃管中,用真空封管机将石英玻璃管进行真空封管;封好的石英玻璃管放入马弗炉中进行退火处理,退火后冷却取出,得到退火后的铁基超导单晶。本发明能够有效减少高温退火造成的元素损失,避免了退火过程中O2、N2、NO、NO2、CO、CO2和其它杂质气体在高温下对超导带材性能的不利影响,并且操作步骤简单,易于实施。
  • 一种超导高温退火方法

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