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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]溅射靶的制造方法-CN201680028904.2有效
发明人： 入间田修一;福谷隆志;铃木了 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：(1)本发明提供一种晶体取向的控制性得以改善的溅射靶的制造方法。溅射靶的制造方法包含：通过增材制造法将选自金属以及金属氧化物中的至少一种以上的原料粉末造型成所期望的靶形状的工序。(2)本发明提供一种能够改善生产效率的溅射靶的制造方法。接合有背板和溅射部的溅射靶的制造方法包含：在背板上或设于背板上的中间材料上，通过增材制造法将选自金属以及金属氧化物中的至少一种以上的原料粉末造型成所期望的溅射部形状的造型工序。
溅射制造方法

[发明专利]Cu-Mn合金溅射靶及半导体布线-CN200780022581.7有效
发明人： 入间田修一;宫田千荣 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2007-09-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种Cu-Mn合金溅射靶，其特征在于，含有Mn 0.05～20重量％，Be、B、Mg、Al、Si、Ca、Ba、La、Ce的总量为500重量ppm以下，余量为Cu及不可避免的杂质。本发明还提供一种半导体用铜合金布线及用于形成该布线的溅射靶以及半导体用铜合金布线的形成方法，所述半导体用铜合金布线本身具有自扩散抑制功能，能够有效地防止由活性Cu的扩散而引起的布线周围的污染，另外，其抗电迁移(EM)性、耐腐蚀性等提高，能够任意且容易地形成阻挡层，并且能够简化半导体用铜合金布线的成膜工序。
cu mn 合金溅射半导体布线

[发明专利]柔性铜衬底用阻挡膜和用于形成阻挡膜的溅射靶-CN200580027274.9有效
发明人： 入间田修一;山越康广 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：一种柔性铜衬底用阻挡膜，包含Co－Cr合金膜，所述Co－Cr合金膜含有5～30重量％的Cr，其余部分包含不可避免的杂质以及Co，膜厚为3～150nm，膜厚均匀性以1σ计为10％以下；以及一种用于形成阻挡膜的溅射靶，包含Co－Cr合金，所述Co－Cr合金含有5～30重量％的Cr，其余部分包含不可避免的杂质以及Co，靶面的面内方向的相对磁导率为100以下。本发明得到柔性铜衬底用阻挡膜，在抑制铜向聚酰亚胺等树脂膜扩散时，膜厚薄至不产生膜剥离的程度，且即使是细小布线节距也能够得到充分的阻挡效果，即使经热处理等温度上升，阻挡特性也没有变化；和用于形成阻挡膜的溅射靶。
柔性衬底阻挡用于形成溅射

[发明专利]铪合金靶及其制造方法-CN200480006256.8有效
发明人：冈部岳夫;入间田修一;山越康广;宫下博仁;铃木了 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2004-01-21 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种铪合金靶，其特征在于，Hf中含有总计100重量ppm－10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为1－100μm；作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下；并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。
合金及其制造方法

[发明专利]硅化铪靶及其制造方法-CN03801249.9有效
发明人： 入间田修一;铃木了 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供由Hf_0.82－0.98组成的栅氧化膜形成用硅化铪靶，其中氧含量为500～10000ppm。制造了栅氧化膜形成用硅化铪靶，其中合成具有由Hf_0.82－0.98构成的组成的粉末，将其粉碎到100目或小于100目，然后在1700℃～2120℃和150～2000kgf/cm²下进行热压或热等静压(HIP)。由此得到的硅化铪靶，以及制造方法，适于形成可以作为耐脆化性优异的高介电栅绝缘膜的HfSiO和HfSiON膜，粒子的产生少，并且在其制造过程中不可能产生烧结粉的发火或粉尘的爆炸。
硅化铪靶及其制造方法

[发明专利]门氧化膜形成用硅化铪钯及其制造方法-CN02811705.0有效
发明人： 入间田修一;铃木了 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及由HfSi_1.02－2.00构成的门氧化膜形成用硅化铪靶。得到了适合形成可代替SiO₂膜作为高介电率门绝缘膜使用的HfSiO和HfSiON膜，加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯及其制备方法。
氧化形成用硅化铪钯及其制造方法

[发明专利]用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材及其制备方法-CN02801192.9有效
发明人： 入间田修一;铃木了 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-06-05 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及由HfSi0.05－0.37组成的用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材，所得到的硅化铪靶材的加工性能和耐脆化性能优良，并适合于形成可取代SiO2膜用作高介电栅绝缘膜的HfSiO膜和HfSiON膜，本发明也涉及靶材的制备方法。
用于形成氧化物硅化铪靶材及其制备方法

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