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[发明专利]一种本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管的制备方法-CN202310283251.4在审
发明人：徐文涛;屈尚达 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明为一种本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管的制备方法。该方法首先配制不同Zn/Sn摩尔比的前驱体溶液；其次利用电流体打印机制备不同Zn/Sn摩尔比的ZTO半导体纤维作为突触晶体管的沟道；然后在经高温退火的ZTO半导体纤维上蒸镀金属电极作为源极和漏极；最后将离子胶转移覆盖在ZTO半导体纤维上作为栅极，制得本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管。本发明所采用的方法实现了ZTO半导体纤维有序排列，首次制备出本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管，为神经形态电子学和类脑计算领域的器件设计和制备提供了有益的指导。
一种突触可塑性调控 zto 半导体纤维晶体管制备方法

[发明专利]一种电学性能可调控的ZTO纤维基突触器件的制备方法-CN202310283261.8在审
发明人：徐文涛;屈尚达 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明为一种电学性能可调控的ZTO纤维基突触器件的制备方法。该方法通过电流体打印机制备可有序排列的ZTO半导体纤维，在制备过程中，根据电学性能的需求，通过设置打印参数，精确控制相邻ZTO纤维的间距，实现在相同面积内精确控制ZTO纤维的数量，进一步制备成突触器件，精确调控突触器件的电学性能。本发明所采用的方法实现了ZTO纤维基突触器件纤维沟道的有序排列，以及纤维间距和数量的精确调控，得到的器件具备根据需求可精确定制的电学性能，为神经形态电子学和类脑计算领域的器件设计和制备提供了有益的指导。
一种电学性能调控 zto 纤维突触器件制备方法

[发明专利]一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法-CN202210417751.8在审
发明人：徐文涛;屈尚达;孙林 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明为一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法。该器件的组成是在衬底上分布有纳米线阵列，阵列两端分别分布有源极和漏极，源极、漏极之间有离子胶为栅极；制备方法首先利用电流体打印机制备ITO纳米线，将其作为突触器件的沟道材料；然后在经过高温退火的ITO纳米线上蒸镀金属电极作为源极和漏极，最后利用离子胶作为栅极制得三端人工突触器件。本发明工艺简单、操作简便、成本低廉、节能环保、适宜大规模生产，为神经形态计算领域的材料选择和器件设计提供了有益的指导。
一种基于数码可控打印 ito 纳米人工突触器件及其制备方法

[发明专利]一种数码可控打印ITO纳米导线的方法-CN202210418781.0在审
发明人：徐文涛;屈尚达;孙林 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明为一种数码可控打印ITO纳米导线的方法。该方法以N，N‑二甲基甲酰胺和无水乙醇为混合溶剂，溶解聚乙烯吡咯烷酮、硝酸铟水合物及氯化亚锡二水合物制得前驱体溶液，然后利用电流体打印设备打印出ITO纳米导线阵列，最后经过一步高温退火，直接得到ITO纳米导线。本发明制备的ITO纳米导线，不仅具有低成本、高产率、节能环保、工艺简单、操作简便、适宜大规模制备等优点，而且所制备的ITO纳米导线化学稳定性好、尺寸可调、可以有序排列，适用于传感、光伏、电子和信息等多个领域。
一种数码可控打印 ito 纳米导线方法

[发明专利]一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法-CN202010806206.9在审
发明人：冀子武;屈尚达;李睿;时凯居;徐明升;王成新;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，包括：(1)在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层；(2)生长InGaN/GaN多量子阱有源区，每个InGaN阱层的生长过程如下：①680～710℃下，使三甲基铟流速由0逐渐增加至600～700sccm，生长第一子层；②温度及步骤①中最大的三甲基铟流速不变，生长第二子层；③降温20～30℃，生长第三子层；(3)依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层。本发明提高了自发辐射效率，增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。
一种 ingan gan 多量子阱基红光 led 结构制备方法