[发明专利]一种电学性能可调控的ZTO纤维基突触器件的制备方法在审
| 申请号： | 202310283261.8 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116313817A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐文涛;屈尚达 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;D01D5/00 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300350 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种电学性能可调控的ZTO纤维基突触器件的制备方法。该方法通过电流体打印机制备可有序排列的ZTO半导体纤维，在制备过程中，根据电学性能的需求，通过设置打印参数，精确控制相邻ZTO纤维的间距，实现在相同面积内精确控制ZTO纤维的数量，进一步制备成突触器件，精确调控突触器件的电学性能。本发明所采用的方法实现了ZTO纤维基突触器件纤维沟道的有序排列，以及纤维间距和数量的精确调控，得到的器件具备根据需求可精确定制的电学性能，为神经形态电子学和类脑计算领域的器件设计和制备提供了有益的指导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电学 性能 调控 zto 纤维 突触 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
