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[发明专利]将突触器件的权重的不对称性最小化的脉冲驱动装置及其方法-CN201880073979.1有效
发明人： 宋润洽;李呈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明涉及将在硬件神经网络中的长时程增强(Long‑Term Potentiation，LTP)与长时程抑制(Long‑Term Depression，LTD)之间的不对称性的影像最小化的脉冲驱动装置及其方法，通过分离执行第一运算和第二运算来将长时程增强程序与长时程抑制程序之间的不对称性最小化，上述第一运算仅执行长时程增强程序，上述第二运算执行长时程增强程序及长时程抑制程序，从而可提高实际结果的相同率。
突触器件权重对称性最小化脉冲驱动装置及其方法

[发明专利]具有中间配线层的三维闪存器件及其制造方法-CN201880059758.9有效
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明公开具有中间漏极的三维闪存器件及其制造方法。根据一实施例，三维闪存器件包括：串接体，包括沟道层及多个电极层，上述沟道层沿着一方向延伸形成，上述多个电极层对于上述沟道层垂直层叠；上部配线层，配置于至少一个上述串接体的上部；至少一个中间配线层，在至少一个上述串接体的中间区域中，配置于上述多个电极层之间；以及下部配线层，配置于上述串接体的下部，将上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层分别适应性地用作漏极或源极中的一个。
具有中间配线层三维闪存器件及其制造方法

[发明专利]提高集成度的三维快闪存储器及其工作方法-CN202180071892.2在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明公开应用接地选择线(GSL)去除结构的三维快闪存储器及其工作方法。本发明一实施例的三维快闪存储器包括：多个字线，沿着水平方向延伸并依次层叠在基板上；以及多个串，贯通上述多个字线并沿着一方向延伸形成在上述基板上，上述多个串分别包括通道层及电荷存储层，上述通道层沿着上述一方向延伸形成，上述电荷存储层以包围上述通道层的方式沿着上述一方向延伸形成，上述通道层及上述电荷存储层形成与上述多个字线相对应的多个存储单元，上述通道层包括背栅以及绝缘膜，上述背栅以至少一部分被上述通道层包围的状态沿着一方向延伸形成，上述绝缘膜沿着上述一方向延伸形成在上述背栅与上述通道层之间，上述三维快闪存储器基于上述多个串是否分别包括上述背栅而形成接地选择线(GSL，Ground Selection Line)去除结构。
提高集成度三维闪存及其工作方法

[发明专利]利用具有不同特征的电极层和/或层间绝缘层的三维闪存-CN201811575987.4有效
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明的实施例通过使多个电极层每一个的物理性结构或材料等互不相同，可改善多个电极层的阈值电压散布，且因此能提高存储数据维持过程和读写过程中的信任度。
利用具有不同特征电极绝缘三维闪存

[发明专利]设置有背栅的三维快闪存储器-CN202180001835.7在审
发明人： 宋润洽;宋昌垠 -专利权人：汉阳大学校产学协力团;培迪塞有限责任公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明公开设置有背栅的三维快闪存储器。根据一实施例，本发明的特征在于，三维快闪存储器包括：多个字线，在基板上沿着水平方向延伸而成并依次层叠；以及多个串，贯通上述多个字线来在上述基板上沿着一方向延伸而成，上述多个串分别包括通道层以及电荷储存层，上述通道层沿着上述一方向延伸而成，上述电荷储存层以包围上述通道层的方式沿着上述一方向延伸而成，上述通道层以及上述电荷储存层形成与上述多个字线相对应的多个存储单元，上述通道层包括：背栅，以至少一部分被上述通道层包围的状态沿着上述一方向延伸而成；以及绝缘膜，在上述背栅与上述通道层之间沿着上述一方向延伸而成。
设置有背栅三维闪存

[发明专利]三维闪存及其操作方法-CN202080030718.9在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：公开了一种三维闪存。根据一个实施方式，该三维闪存具有升压面积被减小的结构、对其应用小块的结构、对其应用COP并且布线工艺被简化的结构、或对其应用对称的U形BiCs的结构。
三维闪存及其操作方法

[发明专利]三维闪存以及制造该三维闪存的方法-CN202080025030.1在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种三维闪存以及制造该三维闪存的方法。根据一个实施方式，三维闪存可以具有用于实现集成的结构，并可以通过有效率地形成字线的制造方法来制造。
三维闪存以及制造方法

[发明专利]具有提高的集成度的三维闪存及其制造方法-CN202080015493.X在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：公开了一种具有提高的集成度的三维闪存及其制造方法。根据一个实施方式，一种三维闪存可以包括：至少一个垂直串，在衬底上在一个方向上延伸，并包括在所述一个方向上延伸的沟道层和在所述一个方向上延伸从而围绕沟道层的电荷存储层；多个电极层，被堆叠从而垂直地连接到所述至少一个垂直串；以及嵌入在衬底中的源极线。
具有提高集成度三维闪存及其制造方法

[发明专利]具有气隙的3维闪存及制造其的方法-CN202080010963.3在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：公开了一种3维闪存及其制造方法，该3维闪存具有减轻在氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)层(其为电荷存储层)中在相邻单元之间的干扰的结构。根据一实施方式，3维闪存特征在于，包括：形成为在第一方向上延伸的至少一个沟道层；多个电极层，形成为在与第一方向垂直的第二方向上延伸，从而相对于所述至少一个沟道层垂直堆叠；多个气隙，插置在所述多个电极层之间以将所述多个电极层彼此分开；以及至少一个ONO层，包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，并且形成为在第一方向上延伸从而连接所述至少一个沟道层和所述多个电极层，其中3维闪存具有减轻在所述至少一个ONO层中在与所述多个电极层接触的单元之间的干扰的结构。
有气闪存制造方法

[发明专利]基于铁电材料的三维快闪存储器及其制造-CN201980089104.5在审
发明人： 宋润洽;崔畅桓;郑在景 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：本发明公开通过提高水平方向的集成度来实现集成度的三维快闪存储器及其制造方法。根据一实施例，三维快闪存储器包括：至少一个通道层，沿着一方向延伸形成；至少一个铁电膜，以包围上述至少一个通道层的方式沿着上述一方向延伸形成，用作数据存储区；多个电极层，以相对于上述至少一个铁电膜垂直连接的方式层叠。
基于材料三维闪存及其制造

[发明专利]具有双向驱动特性的切换器件及其操作方法-CN201980090204.X在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：公开了一种使用隧穿薄膜的双向两端相变存储器件及其操作方法。根据一个实施例，相变存储器件包括：第一电极；第二电极；以及介于第一电极和第二电极之间的相变存储单元，其中，相变存储单元包括：P型中间层，在晶体状态由于通过第一电极和第二电极施加的电压而发生变化时用作数据存储；上层和下层，在中间层的两端处使用N型半导体材料形成；以及至少一个隧穿薄膜，布置在上层和中间层之间的区域以及下层和中间层之间的区域中的至少一个区域中，以减少中间层中的漏电流或防止P型掺杂剂与N型掺杂剂之间的混合。
具有双向驱动特性切换器件及其操作方法

[发明专利]包括中间金属化层的三维闪速存储器及其制造方法-CN201980058186.7在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：公开了一种包括中间布线层的三维闪速存储器及其制造方法。根据实施例，一种通过使用后端工艺制造三维闪速存储器的方法包括：在第一块中形成下串，第一块包括形成为在第一方向上延伸并且交替地堆叠的牺牲层和绝缘层；在其中形成有下串的第一块上生成串间绝缘层；蚀刻串间绝缘层的至少一部分以在所述至少一部分被蚀刻的空间中形成至少一个牺牲膜；在形成有至少一个牺牲膜的串间绝缘层上生成第二块，第二块包括形成为在第一方向上延伸并且交替地堆叠的牺牲层和绝缘层；在第二块中形成上串；蚀刻包括在第一块中的牺牲层、至少一个牺牲膜和包括在第二块中的牺牲层；以及在所述至少一个牺牲膜被蚀刻的空间中形成将被用作至少一个中间布线层的电极层，并且包括在第一块中的牺牲层被蚀刻的空间和包括第二块中的牺牲层被蚀刻的空间中形成将被用作字线的电极层。
包括中间金属化三维存储器及其制造方法

[发明专利]集成有选择元件的相变存储器及其制造方法-CN201980033781.5在审
发明人： 宋润洽;郑在景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种相变存储器，为了减轻现有的OTS的问题和缺点，所述相变存储器包括由于消除了对中间电极的需要而具有改善的密度的选择元件，并且公开了一种包括该选择元件的相变存储器元件，该相变存储器元件具有高度密集的三维架构。该相变存储器元件具有包括P型相变材料层和N型金属氧化物层的PN二极管结构。此外，该相变存储器元件包括半导体材料层，该半导体材料层借助于电极界面的肖特基二极管性质而切换到相变材料层。
集成选择元件相变存储器及其制造方法

[发明专利]支持块体擦除操作的三维闪存器件及其制造方法-CN201980036327.5在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了支持块体擦除操作的三维闪存器件及制造三维闪存器件的方法。支持块体擦除操作的三维闪存器件包括：串，包括沿一个方向延伸的沟道层和相对于沟道层竖直堆叠的多个电极层；在串上的上布线层；在串的中间区域中穿过沟道层布置在多个电极层之间的至少一个中间布线层；在串下方的下布线层；以及至少一个连接件，布置在至少一个中间布线层中并且将由至少一个中间布线层划分的至少两个沟道层彼此连接。
支持块体擦除操作三维闪存器件及其制造方法

[发明专利]用于检查STT-MRAM中的有缺陷的MTJ单元的方法和系统-CN201980023620.8在审
发明人： 宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提供应力评估方案的膜质量检查方法和系统，所述应力评估方案用于检查自旋转移矩磁性随机存取存储器(STT‑MRAM)的磁性隧道结(MTJ)单元的膜质量，其中，双极性信号和包括单极性空穴(正极性)和单极性电子(负极性)的单极性信号被同时施加到同一MTJ单元，然后根据周期间隙的比较的结果，具有厚度约1nm的薄膜的质量可被检查。
用于检查 stt mram 中的缺陷 mtj 单元方法系统

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