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[发明专利]电极-CN202180067056.7在审
发明人： 姜俊求;金起焕;李一何;朴相俊 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本申请涉及一种电极、一种制造所述电极的方法、和一种包括所述电极的二次电池。本申请涉及一种包括集电器和活性材料层的电极，并且相对于活性材料层中的粘合剂含量可提供一种能够确保更高水平的颗粒之间的粘附力和活性材料层与集电器之间的粘附力的电极。除此之外，本申请可提供一种制造所述电极的方法、和一种包括所述电极的二次电池。
电极

[发明专利]用于二次电池的电极活性材料及其制造方法-CN202180051700.1在审
发明人： 姜俊求;李一何;金起焕 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请可提供一种电极活性材料，其通过在活性材料核上形成独特的导电聚合物层而具有优异的导电性和离子电导率以及优异的机械柔韧性，同时防止活性材料核与电解质之间发生副反应，以及一种包括该电极活性材料的电极。因此，可以提供一种具有高能量密度的同时具有优异的按照充电/放电的容量保持率(寿命特性)的锂二次电池。
用于二次电池电极活性材料及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN202211114567.2在审
发明人：金荣睦;姜炅龙;姜俊求;郑用相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：基板，在其上限定第一区域和第二区域；在第一区域中的第一有源区；从第一有源区突出的有源图案；在第二区域中的第二有源区；在有源图案上的第一栅电极；在第二有源区上的第二栅电极；在有源图案和第一栅电极之间的第一栅极绝缘层，包括第一‑第一绝缘层；在第二有源区和第二栅电极之间的第二栅极绝缘层，包括第二‑第一绝缘层和在第二‑第一绝缘层下面的第二‑第二绝缘层，其中在垂直方向上与有源图案重叠的第一栅电极在垂直方向上的厚度等于在垂直方向上与第二有源区重叠的第二栅电极在垂直方向上的厚度，第一栅电极的上表面形成在与第二栅电极的上表面相同的水平处。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]具有提高的安全性的电极和制造该电极的方法-CN202180024978.X在审
发明人：权纯湖;朴星彬;曺美璐;姜俊求;金起焕;姜亨燮 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有提高的安全性的电极，并且所述电极包括：集电器，所述集电器包括主体和形成在所述主体的一侧处的电极接片；导电涂层，所述导电涂层形成在所述集电器的至少一个表面上并且包括当温度升高时电阻增加的导电聚合物；和形成在所述导电涂层上的电极混合物层。在此，所述导电涂层形成在包括主体和电极接片两者的区域上。
具有提高安全性电极制造方法

[发明专利]制备硬涂膜的方法-CN201910592053.X有效
发明人： 姜俊求;张影来;洪性敦;郑顺和;许殷奎 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C08J7/046 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备硬涂膜的方法，更具体而言，涉及一种用于制备高硬度的硬涂膜的方法。用于制备本发明的硬涂膜的方法有利于制备具有低的卷曲发生率和高硬度的硬涂膜。
制备硬涂膜方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010801948.2在审
发明人：赵基熙;姜俊求;李炫锡;安相赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括电容器，电容器具有底电极和顶电极、在底电极与顶电极之间的介电层以及在顶电极与介电层之间的界面层，界面层包括金属氧化物和在界面层的晶界处的附加成分。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911296982.2在审
发明人：李演光;姜声珉;金敬珉;禹珉希;姜俊求;金荣睦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括其中顺序堆叠了下半导体层、绝缘填隙层和上半导体层的衬底。栅结构设置在上半导体层上。源/漏电极设置在栅结构的侧壁上。半导体图案设置在源/漏电极与上半导体层之间。栅结构包括栅电极和隔墙结构。隔墙结构包括顺序设置在栅电极的侧壁上的第一隔墙图案、第二隔墙图案和第三隔墙图案。半导体图案延伸到第三隔墙图案的底表面下方的区域并连接到第二隔墙图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路芯片及其制造方法、集成电路封装和显示装置-CN201910997727.4在审
发明人：禹珉希;姜声珉;姜俊求;高升希;金荣睦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)芯片包括在穿过基板和器件层的通孔内延伸的过孔接触插塞、围绕过孔接触插塞的通孔接触衬层、沿基板的底面延伸的连接焊盘衬层、一体连接到过孔接触插塞的虚设凸块结构以及连接到连接焊盘衬层的凸块结构。一种制造IC芯片的方法包括：在通孔内部和外部形成凸块下金属(UBM)层；以及形成第一连接金属层、第二连接金属层和第三连接金属层。第一连接金属层覆盖通孔内的UBM层，第二连接金属层一体连接到第一连接金属层，并且第三连接金属层覆盖连接焊盘衬层上的UBM层。
集成电路芯片及其制造方法封装显示装置

[发明专利]硬涂膜-CN201380039332.4有效
发明人： 姜俊求;张影来;沈载勋;洪性敦;李承贞 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硬涂膜，更具体而言涉及一种具有高硬度和其他优异性能的硬涂膜。本发明可提供一种具有低的卷曲发生率和高硬度的硬涂膜。
硬涂膜高硬度优异性能卷曲发生率

[发明专利]塑料膜及其制备方法-CN201480063963.4有效
发明人：朴真荣;郑顺和;李汉娜;张影来;姜俊求;郑赫;许殷奎 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种塑料膜及其制备方法，更具体而言，涉及一种具有高硬度的塑料膜及其制备方法。根据本发明的塑料膜及其制备方法，可以容易地制备具有高硬度的塑料膜，同时减少卷曲的发生。
塑料膜及其制备方法

[发明专利]电子板-CN201580009888.8有效
发明人：郑顺和;洪敬奇;张影来;朴真荣;姜俊求;郑赫;许殷奎 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子板，包括：显示面板；设置在该显示面板上并包含彼此集成的偏振片和高硬度塑料薄膜的偏光板；以及通过用户的接触识别输入信息的触摸传感器。
电子

[其他]物品检查装置-CN201690000935.2有效
发明人：裵荣宪;李承埈;金廷烨;洪德和;全文营;姜俊求;郑仲基;郑载润;李宗辉 -专利权人：株式会社高永科技
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： A99Z99/00 文献下载
摘要：物品检查装置包括图像获得部及控制部。图像获得部获得对物品至少一部分的拍摄图像。控制部利用物品的拍摄图像，判定物品的不良与否。控制部执行对第一要素及第二要素中至少一者的位置、形状及大小中至少一者的第一检查及对所述物品的异物附着、划痕及表面斑痕中至少一者的第二检查，其中，所述第一要素具有预定形状，在所述物品上形成，所述第二要素包括在所述物品上形成的开口部、凹陷部及通孔中至少一者。因此，可以更精密、有效地执行不良检查。
图像获得部拍摄图像表面斑痕检查装置物品检查异物附着预定形状装置物品检查凹陷部开口部有效地划痕通孔精密判定

[发明专利]塑料薄膜-CN201480062803.8有效
发明人： 姜俊求;崔恒硕;郑顺和;郑赫;许殷奎 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种塑料薄膜，且更具体地，本发明涉及一种呈现出耐冲击性和优异性能的塑料薄膜。根据本发明，可提供呈现出高硬度、耐冲击性、耐刮性及高透明度并且具有优异加工性的塑料薄膜。
塑料薄膜

[发明专利]塑料薄膜层压制件-CN201480063103.0有效
发明人： 姜俊求;崔恒硕;张影来;郑赫 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种塑料薄膜层压制件，具体而言，本发明涉及一种显示耐冲击性及优越性能的塑料薄膜层压制件。根据本发明，可提供显示高硬度、耐冲击性、耐擦伤性及透明性且具有优异的加工性的塑料薄膜层压制件。
塑料薄膜层压制件

[发明专利]塑料薄膜-CN201480013708.9有效
发明人： 姜俊求;张影来;金宪;李汉娜 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明涉及塑料薄膜，且更特别地涉及具有高硬度和优异可成形性的塑料薄膜。根据本发明，可提供一种减少卷曲产生和具有高硬度的塑料薄膜。
塑料薄膜

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