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- [发明专利]功率半导体装置-CN202010657731.9有效
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王波;刘鹏飞;夏远平;顾孜轶
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华大半导体有限公司
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2020-07-09
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2023-06-27
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H01L29/739
- 本发明提供一种功率半导体装置,包括有源区、围绕有源区的终端区以及位于有源区及终端区之间的过渡区,有源区设置有第一半导体器件,过渡区设置有第二半导体器件,其中,第一半导体器件的源极及第三槽部内的导电层与发射极电连接,第一槽部内的导电层及第二槽部内的导电层与栅极电连接,第二半导体器件的源极、第三槽部内的导电层及第二槽部与第三槽部之间的阱区与发射极电连接,第一槽部内的导电层及第二槽部内的导电层与栅极电连接。本发明在器件导通时能够有效提高器件的开通速度及正面存储的空穴浓度,降低导通压降及导通损耗,在器件关断时能够快速释放空穴,降低关断损耗,提高器件的抗闩锁能力,提升器件可靠性。
- 功率半导体装置
- [发明专利]一种功率半导体装置-CN202010658683.5有效
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王波;刘鹏飞;夏远平;顾孜轶
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华大半导体有限公司
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2020-07-09
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2023-04-25
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H01L29/739
- 本发明提供一种功率半导体装置,包括有源区、围绕有源区的终端区以及位于有源区及终端区之间的过渡区,有源区设置有第一半导体器件,过渡区设置有第二半导体器件,其中,第一半导体器件的源极及第二槽部内的导电层与发射极电连接,第一槽部内的导电层及第三槽部内的导电层与栅极电连接,第二半导体器件的源极、第二槽部内的导电层及第二槽部与第三槽部之间的阱区与发射极电连接,第一槽部内的导电层及第三槽部内的导电层与栅极电连接。本发明在器件导通时能够有效提高器件正面存储的空穴浓度,降低导通压降及导通损耗,在器件关断时能够快速释放空穴,降低关断损耗,提高器件的抗闩锁能力,提升器件可靠性。
- 一种功率半导体装置
- [实用新型]一种浮筒液位变送器-CN201720978116.1有效
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陈博宇;沈峰;林锦实;栾晓东;施大顺;宋丹;刘昕;王晓红;夏远平
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丹东耐能仪表电器有限公司
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2017-08-07
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2018-04-17
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G01F23/52
- 本实用新型公开一种浮筒液位变送器,涉及液位监测仪表的结构设计领域,用于测量液位高度,变送器壳体,为中空结构,包括第一空腔与第二空腔,第一空腔为三通结构,第一空腔的中心线与第二空腔的中心线相交,且相交所呈角度中包括有钝角;扭力管沿第二空腔的中心线设置于第二空腔内,一端可旋转固定连接在第一端,另一端连接有传感器;浮力杠杆一端固定连接有浮筒,另一端与扭力管固定连接;浮筒设置于第一空腔内,通过连接件与浮力杠杆固定连接。本实用新型的浮筒液位变送器通过将浮力杠杆与扭力管的靠近传感器端的角度设置为钝角,使传感器远离高温待测液,减少对检测结果的影响;降低了第二空腔处的壳体对连接法兰在安装过程中产生的干涉。
- 一种浮筒变送器
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