专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]用于再生碳纤维生产的丝束收取设备-CN202123387347.0有效
  • 杨斌;李鑫;高为民;李锋;张强;周春华 - 南通复源新材料科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-05-24 - B65H54/30
  • 本实用新型公开了用于再生碳纤维生产的丝束收取设备,包括:设备本体、电动伸缩杆、调节块、降温管及加热管,所述设备本体上固定有电动伸缩杆,所述设备本体上对称设置有调节槽,所述调节槽内侧滑动设置有调节块,所述设备本体内壁对称焊接有连接杆,所述连接杆的一端分别固定连接有降温管与加热管,所述设备本体上安装有控制器。本实用新型碳纤维通过加热管加热、降温管降温后拉直,在缠绕在收卷辊上辊筒表面时,通过电动伸缩杆带动收卷辊移动,能够将碳纤维进行均匀缠绕;碳纤维绷紧时调节块沿导向杆向下能够对收卷时的张紧度进行自适应调节。
  • 用于再生碳纤维生产丝束收取设备
  • [发明专利]卫星载荷指向高精度测量系统及方法-CN202210048907.X在审
  • 方厚招;孙延博;贾奥男;茹海忠;周春华;叶子龙 - 上海卫星工程研究所
  • 2022-01-17 - 2022-05-13 - G01C1/00
  • 本发明提供了一种卫星载荷指向高精度测量系统及方法,包括:第一反射器、第二反射器、激光PSD组件和高精度采集控制器;所述第一反射器和第二反射器分别安装于载荷上端和根部;所述激光PSD组件置于卫星底板上方,包括激光器、分光棱镜、第一PSD1光敏感应器和第二PSD2光敏感应器;通过分光棱镜将激光单一光束分成两束,分别对应第一反射器和第二反射器,所述第一PSD1光敏感应器和第二PSD2光敏感应器用于感应入射激光光点位置;所述高精度采集控制器置于卫星底板下方,用于采集电压信号并进行解算算法处理,计算出角度变化值。本发明可用于实现卫星载荷指向的非接触式测量,同时适用于各个领域小角度高精度测量。
  • 卫星载荷指向高精度测量系统方法
  • [发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180005094.X在审
  • 杨超;周春华;赵起越;沈竞宇 - 英诺赛科(苏州)科技有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-05-13 - H01L29/778
  • 一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、氮化物基多半导体层、栅电极、栅极绝缘体层和源电极。所述第一氮化物基半导体层包含漂移区和至少两个掺杂势垒区,所述掺杂势垒区在所述漂移区中限定孔。所述氮化物基多半导体层结构安置在所述第一氮化物基半导体层之上且具有彼此分隔开的第一异质结和第二异质结。所述栅电极由所述氮化物基多半导体层结构接收且与所述漂移区中的所述孔竖直对准。所述栅极绝缘体层安置在所述氮化物基多半导体层结构和所述栅电极之间。所述源电极安置在所述第一氮化物基半导体层之上且邻接所述氮化物基多半导体层结构的所述第一和第二异质结。
  • 氮化物半导体装置及其制造方法
  • [实用新型]一种地埋蓄水装置的蓄水模块及地埋蓄水装置-CN202123061127.9有效
  • 周春华;蔡敏君;李晨榴 - 江苏华蕊海绵城市建设有限公司
  • 2021-12-07 - 2022-05-13 - E03F5/10
  • 本实用新型属于雨水蓄存设施制造技术领域,具体为一种地埋蓄水装置的蓄水模块及地埋蓄水装置,包括由聚丙烯材料制成基部和立柱,基部的正面排列设置若干行立柱,每行内设有若干组立柱,每组立柱由两个立柱组成,每组内两个立柱之间的连线平行于立柱排列形成的行,每个立柱的顶端设有凸起,基部的背面设有若干与凸起配合的凹槽,基部上在远离立柱和凹槽处设有若干通孔,通孔贯穿基部的正面和反面,每行内相邻的两组凸起之间的间距等于相邻的两行立柱之间的间距,每组立柱上的两个凸起配合一个凹槽,解决了现有的蓄水模块在构成地埋蓄水装置的骨架时由于柱与柱之间存在的受力盲区导致骨架的整体稳定性差、抗侧压能力不强的问题。
  • 种地蓄水装置模块
  • [实用新型]一种水稻栽培用稻种筛选装置-CN202123259368.4有效
  • 朱雅红;周春华;范智颖 - 绩溪县中大蔬菜种植专业合作社
  • 2021-12-23 - 2022-05-13 - F26B23/00
  • 本实用新型公开了一种水稻栽培用稻种筛选装置,包括筛选箱,所述筛选箱顶端连通有进料管,且筛选箱内箱壁上固定安装有导筒,所述导筒上贴合有环罩,且环罩固定于筛选箱内箱壁上,所述导筒上下侧筒壁上分别设有进料口和出料口,且导筒内筒壁上转动安装有第一转轴,所述环罩外罩壁上固定安装有第一电机。本实用新型通过在环罩内设转动的第一转板,可对由导筒导送来的水稻种子进行定量加热除湿,除湿后种子定量导送至筛选板上,湿热气体经过除湿后喷射种子,使部分杂质空壳经过转动的第二转板导送作用下分离出,且热气可对种子二次烘干作用,往复升降的振动的筛选板将其他杂质空壳经过筛网由下端导出,本装置保证对储存用种子充分烘干和除杂。
  • 一种水稻栽培稻种筛选装置
  • [实用新型]一种雨水收集净化过滤装置-CN202123061064.7有效
  • 周春华;蔡敏君;李晨榴 - 江苏华蕊海绵城市建设有限公司
  • 2021-12-07 - 2022-05-10 - B01D36/04
  • 本实用新型属于收集净化一体设备制造技术领域,具体为一种雨水收集净化过滤装置,包括顶端开口的壳体,壳体的内部轴向设置有挡水板,挡水板的楞边与壳体的内壁连接,挡水板的下端与壳体的内底壁之间预设间隙,壳体内在靠近挡水板下端附近的一侧设有过滤器安装机构,壳体的内底部安装排污泵,排污泵的出口端通过排污管连通壳体外,壳体的侧壁上在位于挡水板的两侧分别径向连通有水管,壳体上与过滤器安装机构位于同一侧的水管与壳体底部之间的距离小于另一侧的水管与壳体底部之间的距离,解决了传统的雨水过滤装置在过滤过程中杂质总是集中在过滤网上以及过滤网结构单一针对性强,不利于根据雨水的回用用途的水质标准任意更换的问题。
  • 一种雨水收集净化过滤装置
  • [发明专利]基于形状记忆合金的空间展开装置-CN202210048992.X在审
  • 秦川穹;周春华;郑鸣轩;叶子龙;尹永康 - 上海卫星工程研究所
  • 2022-01-17 - 2022-04-29 - B64G1/22
  • 本发明提供了空间飞行器展开机构领域一种基于形状记忆合金的空间展开装置,包括自动释放组件、展开杆以及固定法兰;展开杆与固定法兰固定设置,固定法兰另一端固定设置在卫星本体的表面上;自动释放组件包括底座、第一弹性件以及第二弹性件,中心杆上套设有锁定件,第一弹性件的一端与锁定件固定设置,第一弹性件的另一端与展开部连接设置,第二弹性件设置在底座上;自动释放组件压紧设置在展开杆上,第一弹性件拉伸设置在底座与展开部之间,第二弹性件向底座方向锁定锁定件设置;自动释放组件与展开杆解锁设置,第一弹性件通过形变带动锁定件向展开杆方向进行移动,第二弹性件与锁定件解锁设置。本发明无需人为控制操作,机构装配过程更加简单。
  • 基于形状记忆合金空间展开装置
  • [发明专利]量测高电子移动率晶体管之装置-CN202210062968.1在审
  • 陈钰林;周春华;李思超;林文杰;章涛 - 英诺赛科(珠海)科技有限公司
  • 2019-10-30 - 2022-04-29 - G01R31/26
  • 一种用于量测半导体组件的装置,包括控制器、控制器、保护电路、负载电路及切换电路。切换电路电连接于负载电路与保护电路之间。保护电路的输入阻抗大于切换电路开启时的阻抗。保护电路的输入阻抗小于切换电路关闭时的阻抗。控制器经组态以在第一时间点提供第一控制讯号至半导体组件及在第二时间点提供第二控制讯号至切换电路。半导体组件藉由第一控制讯号开启。切换电路藉由第二控制讯号开启。第一时间点早于第二时间点,使得半导体组件的开通时间点早于切换电路的开通时间点。切换电路的开通状态的维持时间与半导体组件的开通状态的维持时间重迭。半导体组件的开通状态的维持时间大于切换电路的开通状态的维持时间。
  • 测高电子移动晶体管装置
  • [发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法-CN202180005106.9在审
  • 杨超;周春华;刘勇;赵起越;沈竞宇 - 英诺赛科(苏州)科技有限公司
  • 2021-12-17 - 2022-04-26 - H01L29/778
  • 一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第三氮化物基半导体层、钝化层、栅极绝缘体层和栅电极。所述第一氮化物基半导体层包含至少两个掺杂势垒区,用于在所述掺杂势垒区之间限定孔。所述第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层之上。所述第三氮化物基半导体层安置在所述第二氮化物基半导体层上且其带隙高于所述第二氮化物基半导体层的带隙。所述钝化层安置在所述第三氮化物基半导体层之上,其中所述钝化层在所述第一氮化物基半导体层上的垂直投影与所述孔间隔开。所述栅极绝缘体层安置在所述第三氮化物基半导体层之上。所述栅电极安置在所述栅极绝缘体层之上且与所述孔对准。
  • 氮化物半导体装置及其制造方法

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