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[发明专利]一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统-CN202211601912.5在审
发明人： 同嘉锡;请求不公布姓名 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统；所述检测方法包括：从单晶硅棒的P‑band区域进行切割以制备得到待测硅片；对所述待测硅片进行酸性腐蚀以对所述待测硅片的表面厚度进行减薄处理以去除所述待测硅片表面的损伤层；对减薄后的所述待测硅片采用赛科腐蚀液进行腐蚀以使得所述待测硅片中的缺陷被显现；对所述待测硅片中的缺陷进行检测，当所述缺陷的特征满足设定的条件时判定为NDP缺陷。
一种单晶硅缺陷检测方法系统

[发明专利]热屏蔽组件、拉晶炉系统及其工作方法-CN201910280398.1有效
发明人：潘浩;全弘湧;全铉国;兰洵;张鹏举;同嘉锡 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种热屏蔽组件、拉晶炉系统及其工作方法，热屏蔽组件设在拉晶炉炉膛内，拉晶炉炉膛内设置有用以盛放物料的坩埚和籽晶夹头，籽晶夹头用以固定晶种或热屏蔽组件，热屏蔽组件包括：热屏蔽本体，热屏蔽本体的一端朝向坩埚，另一端能够与籽晶夹头可拆卸地连接，且能够通过牵引绳使籽晶夹头移动以驱动热屏蔽本体在拉晶炉炉膛的轴向上活动；反热辐射材料件，反热辐射材料件设在热屏蔽本体的朝向坩埚的一侧。本发明的热屏蔽组件，能够有效反射物料熔融液的高温热辐射，增加拉晶炉中的轴向温度梯度，促进物料的快速熔融。该热屏蔽组件为帽盖式，可将物料熔融时的溅射液收容返回至原熔融液中。
屏蔽组件拉晶炉系统及其工作方法

[发明专利]硅片缺陷的检测方法-CN202211657324.3在审
发明人： 同嘉锡;请求不公布姓名 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片缺陷的检测方法，包括以下步骤：将待检测硅片切割为两片待检测子硅片；将两片待检测子硅片进行金属污染处理；将两片待检测子硅片进行不同的热处理，并根据两片待检测子硅片是否显现铜污染图案，判断待检测硅片的缺陷。将待检测硅片切割为两片待检测子硅片，并对两片待检测子硅片进行不同的热处理，根据pv区和pi区的特性，使得两片待检测子硅片出现不同的结果，则可以准确的判断出pv区和pi区。
硅片缺陷检测方法

[发明专利]一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉-CN202211535423.4在审
发明人：贺鹏;同嘉锡;郭超超 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉，该晶圆位置检测装置包括用于设置在承载有被测晶圆的承载面的至少两个感应器，至少两个感应器沿着预定方向间隔地分布，且感应器被配置为承载面上的被测晶圆遮挡时会触发第一信号，预定方向为：被测晶圆处于承载面上预定位置时，沿着被测晶圆的周向上第一边缘线延伸的方向，且在从被测晶圆中心指向第一边缘线的方向上，感应器与第一边缘线之间具有预定距离，以使被测晶圆处于预定位置上时不会遮挡感应器。本公开实施例提供了一种晶圆位置检测装置及其方法、立式晶炉，其可对反应舟上放置的晶圆进行位置检测，以防止晶圆位置偏移导致的碎片或滑落等问题。
一种位置检测装置及其方法立式

[发明专利]一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法-CN202010596309.7有效
发明人：金铉洙;同嘉锡 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法，所述检测方法包括：将样品硅片平均分为两份；对第一份样品硅片进行一次热处理，对第二份样品硅片进行二次热处理；将经一次热处理后的第一份样品硅片和经二次热处理后的第二份样品硅片拼接得到第三样品硅片，并对所述第三样品硅片进行少数载流子寿命测试；根据所述第三样品硅片的少数载流子寿命测试结果，确定所述样品硅片的缺陷分布区域。根据本发明实施例的检测方法，可以减少处理样品硅片的时间，节约检测工序，简化了检测的操作过程，检测结果的准确度高。
一种单晶硅缺陷分布区域检测方法

[实用新型]晶圆固定台、贴膜机及划片机-CN202120624923.X有效
发明人： 同嘉锡 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆固定台、贴膜机及划片机，所述晶圆固定台包括基体、notch定位柱、第一定位柱和第二定位柱，notch定位柱固定在基体的上表面上，notch定位柱的中心线与基体上A点的距离为d1，notch定位柱的高度小于或等于晶圆的厚度，基体的上表面上开设有第一、第二定位孔，第一、第二定位柱分别可拆卸地安装在第一、第二定位孔中，第一、第二定位柱的外圆周面与基体上A点的距离均为d1，第一、第二定位柱露出基体上表面的长度均小于或等于晶圆的厚度。所述贴膜机及划片机均包括所述晶圆固定台。本实用新型提供的晶圆固定台、贴膜机及划片机能够对晶圆准确定位，从而可以测得晶圆设定位置的实际含氧量。
固定贴膜机划片

[实用新型]一种半导体刻蚀夹具-CN202021756224.2有效
发明人： 同嘉锡;金铉洙 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体刻蚀夹具。半导体刻蚀夹具，其特征在于，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个上设置有多个凹槽，且所述第一基板和所述第二基板相对合时，所述凹槽形成容纳待刻蚀半导体的容纳槽，所述凹槽的底面开设有贯穿所在基板的开孔。本申请提供的半导体刻蚀夹具，在对小尺寸产品进行测试时，将产品设置于容纳槽中，容纳槽上开设有开孔，因此，不会影响刻蚀过程中所使用的刻蚀液与产品之间的接触效果，而半导体刻蚀夹具本身具有较大的尺寸，可以在针对大尺寸产品进行刻蚀的刻蚀设备中使用，这样，不需要单独设置针对小尺寸产品的刻蚀设备，提高了刻蚀设备的通用性，有助于降低生产成本。
一种半导体刻蚀夹具

[发明专利]减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法-CN201910475513.0有效
发明人：宮尾秀一;同嘉锡 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅领域，尤其涉及减少硅块表面有机物的方法及单晶硅的制备方法。所述减少硅块表面有机物的方法，包括以下步骤：在特氟龙板上将硅锭破碎成硅块，然后利用所述特氟龙板将所述硅块运送至蚀刻容器的上方；倾斜所述特氟龙板使所述硅块滑落入所述蚀刻容器内；在所述蚀刻容器内对所述硅块进行蚀刻处理，蚀刻处理后排出蚀刻液；将包装袋套于所述蚀刻容器的开口处，翻转所述蚀刻容器，使所述蚀刻处理后的硅块直接落入包装袋内，完成包装。本发明完全实现了无手套化操作，同时避免了机械手等运送硅块时产生的磨损。实验结果表明，本发明的方法可有效减少原料硅块表面的有机物浓度。
减少表面有机物方法单晶硅制备

[发明专利]炉体排气系统、清洁方法和具有其的拉晶炉系统-CN201811640037.5在审
发明人： 同嘉锡;全铉国;全弘湧;兰洵;张鹏举;潘浩 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种炉体排气系统、清洁方法和具有其的拉晶炉系统，炉体排气系统包括：排气管道，所述排气管道包括设置于所述排气管道两端的排气管道入口和排气管道出口，所述入口用于与炉体的出气口连接，在所述出口附近的所述排气管道上开设有窗口，所述窗口的尺寸大于用于清洁所述排气管道的滚动件的尺寸；开合板，设置于所述窗口上，所述开合板具有闭合状态和打开状态，在所述闭合状态下，使所述窗口封闭，在所述打开状态下，使所述窗口打开；控制部，与所述开合板连接，用于控制所述开合板处于闭合状态或打开状态。本发明的炉体排气系统，便于清洁吸附在排气管道的管壁上的淤积物，防止排气管道堵塞。
排气管道炉体排气系统开合板闭合状态清洁拉晶炉排气管道出口出气口滚动件淤积物管壁吸附堵塞封闭出口

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