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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910527925.4在审
发明人： 卢贯中;苏安治;叶德强;黄立贤;林岳霆;叶名世 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括封装结构、第一管芯、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一管芯设置在附接区中的封装结构上且电连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一管芯。预填充层设置在封装结构与第一管芯之间且设置在第一围阻结构与第一管芯之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电连接到封装结构。
封装结构管芯预填充附接半导体装置导电端子电连接排除区结构设置环绕制造

[发明专利]制作半导体器件的方法-CN201611058657.9在审
发明人：吴集锡;叶德强;陈宪伟;黄立贤;卢贯中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：提供一种包括以下步骤的制作半导体器件的方法。提供包括排列成阵列的多个集成电路的晶片，其中所述晶片包括半导体衬底及覆盖所述半导体衬底的内连线结构，所述内连线结构包括交替堆叠的多个图案化导电层及多个层间介电层，所述图案化导电层中的最顶部图案化导电层被所述层间介电层中的最顶部层间介电层覆盖，且所述最顶部图案化导电层被所述最顶部层间介电层的多个开口暴露出。在被所述开口暴露出的所述最顶部图案化导电层上形成多个导电柱。执行芯片探测工艺以检验所述导电柱。在所述晶片上形成保护层，以覆盖所述导电柱。执行晶片切割工艺以形成所述半导体器件。
制作半导体器件方法

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN201610894159.1在审
发明人：黄立贤;苏安治;陈宪伟;曾华伟;王若梅;杨天中;卢贯中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一芯片、第二芯片、封装模塑体、第一布线层、第一贯穿介层孔、第二贯穿介层孔、电磁干扰屏蔽层及导电部件。第一芯片包覆在封装模塑体内。第二芯片设置在封装模塑体上。第一布线层位在封装模塑体和导电部件之间并电性连接第一芯片及第二芯片。封装模塑体位于第二芯片和第一布线层之间。第一贯穿介层孔及第二贯穿介层孔包覆在封装模塑体内并电性连接第一布线层。第二贯穿介层孔位于第一芯片和第一贯穿介层孔之间。电磁干扰屏蔽层设置在第二芯片上并与第一贯穿介层孔接触。导电部件连接第一布线层。
封装结构及其制造方法

[实用新型]同轴式半导体测试装置-CN201320672083.X有效
发明人：孙家彬;刘俊贤;卢贯中;洪子圣 -专利权人：颖崴科技股份有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同轴式半导体测试装置，其包括有：一针座，其贯穿有复数个针孔，且该针座为导电材质所制成，并于针座的表面包覆有一绝缘层；一承载座，其设置于针座上端，且该承载座对应针孔开设有复数个穿孔，又该承载座为导电材质所制成，并于承载座的表面包覆有一绝缘层；及复数个测针，其皆插设于针孔处，且该测针的两端分别受到针座的针孔与承载座的穿孔所完全围绕，又该测针以承载座端接触待测芯片，而该测针以针座端连接有一测试平台，借由导电材质的针座与承载座对测针所产生的干扰信号形成屏蔽，以有效提高测试结果的准确度。
同轴半导体测试装置

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共 4 条

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