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[发明专利]晶圆级芯片封装方法及封装结构-CN202310968035.3在审
发明人：李尚轩;仇阳阳;庄佳铭 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种晶圆级芯片封装方法及封装结构，该方法包括：提供晶圆，其正面设置有切割道；在晶圆正面的预设区域处形成导电凸块；采用激光切割方式沿切割道对晶圆进行切割形成切割槽，切割槽的深度小于晶圆的厚度；将塑封料填充至切割槽并包覆整个晶圆以形成塑封体；对塑封体进行减薄以露出导电凸块；在导电凸块及塑封体的表面依次形成重布线层和信号输出层；将晶圆的背面进行减薄以露出切割槽内的塑封体；采用划刀片在晶圆的正面沿着切割槽将晶圆分离，以形成独立的芯片封装结构。形成的芯片封装结构中塑封料充分填充到芯片四周，实现芯片全面保护，极大程度保护芯片功能不受损，同时流程简单、步骤少、成本低、生产效率高。
晶圆级芯片封装方法结构

[发明专利]六面保护的扇出型封装方法及封装结构-CN202310924069.2在审
发明人：李尚轩;赵裕;庄佳铭;陈志澂 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种六面保护的扇出型封装方法及封装结构，所述方法包括：提供晶圆；在晶圆的正面形成间隔分布的多个导电凸柱；在晶圆的正面形成底填胶层，底填胶层包裹多个导电凸柱；将底填胶层背离晶圆的一侧进行减薄，以露出多个导电凸柱；将晶圆进行切割形成多个芯片，每个芯片的正面设置有导电凸柱以及包裹导电凸柱的底填胶层；选择多个芯片进行塑封，形成包裹多个芯片的塑封层；在塑封层的表面以及每个芯片的正面形成重布线层。该方法，优化研磨塑封胶导致的孔洞问题，进而改善重布线层走线的良率，改善不同材料界面分层问题，提高产品可靠性，可满足高密度的导电凸柱间的充分填充；降低导电凸柱被冲断的风险，工艺简单、节约成本、提高精度。
保护扇出型封装方法结构

[发明专利]一种扇出型晶圆级封装方法及结构-CN202310657917.8在审
发明人：李尚轩;石佩佩;庄佳铭 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种扇出型晶圆级封装方法及结构，其中方法包括：分别提供载板和芯片；在载板上形成重布线层；将芯片的第一表面键合于重布线层；对芯片的第二表面及侧面进行一次塑封，之后去除载板；对芯片的第二表面及侧面、重布线层的侧面进行二次塑封，得到塑封体；在塑封体的第一表面边缘形成遮挡环；在塑封体的第一表面和遮挡环上形成溅镀层；在溅镀层上电镀形成第一导电柱。本公开实施例的一种扇出型晶圆级封装方法及结构，通过在二次塑封后的塑封体底面边缘形成遮挡环，增加了电镀表面的平整性，从而改善边缘导电性，减小阻抗，有效降低了电镀烧片的风险。本公开工艺简单，易于操作，成本低廉，同时极大提高了产品品质。
一种扇出型晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种扇出型芯片封装方法及结构-CN202310653583.7在审
发明人：李尚轩;赵裕;仇阳阳;庄佳铭 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种扇出型芯片封装方法及结构。方法包括：提供基板、加强衬底和初始芯片封装体；其中，基板的表面设置有焊盘，初始芯片封装体的第一表面设置有焊球；将初始芯片封装体的与第一表面相对的第二表面固定于加强衬底，得到中间芯片封装体；对中间芯片封装体进行切割，得到芯片封装单元；将芯片封装单元的焊球焊接于基板的焊盘。本公开实施例的一种扇出型芯片封装方法及结构，通过将加强衬底固定于封装体，强化封装体的刚性，从而减小大尺寸封装体在使用传统回流焊焊接至基板过程中的翘曲。本公开操作简单，无需为大尺寸封装体定制专用摸具，节省了封装成本，与此同时使用成熟传统的焊接工艺也保证了封装良率和可靠性。
一种扇出型芯片封装方法结构

[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及其制备方法-CN202310556796.8在审
发明人：李尚轩;石佩佩 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装领域，提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，方法包括：提供玻璃载盘；在玻璃载盘沿其厚度方向的第一表面形成金属种子层；在金属种子层上形成重布线层；重布线层包括依次交替形成的多层钝化子层和多层金属布线子层，各钝化子层通过干膜压合技术形成，各金属布线子层相互电连接，最底层的金属布线子层与金属种子层电连接；在最顶层的金属布线子层上通过干膜压合技术形成钝化层；在钝化层上形成多个分别与最顶层的金属布线子层电连接的焊盘；将芯片倒装在多个焊盘上；去除玻璃载盘和金属种子层，制备得到扇出型晶圆级封装结构。本公开可避免晶圆翘曲问题，有效解决因RDL电镀高低不平造成的晶粒虚焊及晶粒偏移问题。
扇出型晶圆级封装结构及其制备方法

[实用新型]贴膜装置-CN202320179427.7有效
发明人：秦乐 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贴膜装置，包括贴膜平台、送膜组件、出膜组件、贴膜组件和监测组件，贴膜平台用于放置待贴膜圆片，送膜组件位于贴膜平台的水平方向的一侧，用于提供膜原料，出膜组件位于贴膜平台的相对送膜组件的一侧，用于收集膜废料，贴膜组件位于贴膜平台上方，用于将膜原料贴附于待贴膜圆片的表面，监测组件靠近膜原料或膜废料的边缘设置，用于监测膜原料或膜废料是否超出最大偏移距离。该贴膜装置使得贴膜作业中不易出现膜褶皱或膜重叠异常，从而提高了良品率。
装置

[发明专利]封装结构及封装方法-CN202211621467.9在审
发明人：李尚轩;张小翠 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种封装结构及封装方法，封装方法包括：提供载板，载板为单晶硅片；在载板上形成导电柱；在载板上设置桥接芯片，桥接芯片的功能面背向载板；形成第一塑封层，第一塑封层包覆导电柱及桥接芯片，导电柱及桥接芯片的功能面从第一塑封层的背离载板的一侧露出；在第一塑封层的背离载板的一侧形成转接层；在转接层的背离载板的一侧设置多个芯片，至少部分相邻的芯片通过转接层及桥接芯片互连，并且，至少部分芯片通过转接层与导电柱电性连接；形成第二塑封层，第二塑封层包覆芯片、转接层、第一塑封层及载板。本申请的封装方法，使用单晶硅片作为芯片的封装工艺载体，可以大大降低芯片封装的制程，并且，能够节省成本，提高封装效率。
封装结构方法

[发明专利]一种扇出型封装方法及结构-CN202211641445.9在审
发明人：李尚轩;李永泉;陈玺仲 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种扇出型封装方法及结构，包括：分别提供桥接芯片模组和功能芯片；桥接芯片模组包括桥接芯片以及围设于桥接芯片的第一塑封层，桥接芯片和功能芯片的正面导电凸块；在第一塑封层的正面形成有导电柱；在第一塑封层和桥接芯片的正面形成重布线层；将功能芯片固定于对应的桥接芯片；在功能芯片外围形成第二塑封层将其包裹，形成封装体；减薄第一塑封层的背面至露出所述导电柱和所述桥接芯片；分别在所述桥接芯片和所述导电柱形成焊球；对所述封装体进行切割，获得单个子封装体。本公开通过第一塑封层和其导电柱及重布线层将功能信号引出，实现高密度互联，缩减工艺流程和开发周期；减小芯片间距离，电性能更好，成本更低。
一种扇出型封装方法结构

[发明专利]封装结构及封装方法-CN202211548139.0在审
发明人：李尚轩;赵裕;刘志煌 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请公开了一种封装结构及封装方法，封装方法包括：提供第一封装体，第一封装体包括导电柱、桥接芯片以及包覆导电柱和桥接芯片的第一封装层，导电柱及桥接芯片的功能层从第一封装层第一表面露出；在第一表面形成转接层；在转接层的背离第一表面的一侧设置多个芯片；形成第二封装层，第二封装层包覆芯片和转接层；对第一封装层的第二表面进行减薄，以露出导电柱；在减薄后的第二表面设置多个焊球。本申请的封装方法，其先封装导电柱和桥接芯片形成第一封装体，再在第一封装体上设置转接层和封装芯片，工艺更加简单，并且，可以避免后期开孔时因缺乏阻挡层而导致控制难度较大的问题以及因刻蚀不完全而导致连接无效的情况。
封装结构方法

[发明专利]扇出式封装方法及封装结构-CN202211020242.8在审
发明人：李尚轩;仇阳阳 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出式封装方法及封装结构，属于半导体封装技术领域，该方法包括：分别提供芯片、临时载盘和磁性载盘；在芯片的第一表面形成导电连接件，并将芯片的第一表面固定于临时载盘；在与芯片的第一表面相背的第二表面形成磁性体层；将芯片与临时载盘分离；将形成有磁性体层的芯片吸附固定于磁性载盘；在芯片的第一表面形成塑封层，将芯片与磁性载盘分离并去除磁性体层；在芯片的第二表面形成重布线层，重布线层与导电连接件电连接。本发明采用磁吸附技术可在芯片在与磁性载盘贴合时获得较高的精准度，降低了压合成型后芯片会产生偏移或者被封胶冲走的风险，极大提高芯片生产良率。
扇出式封装方法结构

[发明专利]扇出式封装方法及封装结构-CN202210997386.2在审
发明人：李尚轩;张小翠 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出式封装方法及封装结构，属于半导体封装技术领域，该封装方法包括：分别提供单晶硅载板和多个芯片；在单晶硅载板的表面形成至少一层重布线层，并将多个芯片倒装于最顶层的重布线层；在多个芯片背离单晶硅载板的表面形成塑封层；其中，塑封层完全包裹多个芯片、所述至少一层重布线层以及单晶硅载板；去除单晶硅载板以裸漏出最底层的重布线层；在最底层的重布线层的表面形成焊球。本封装方法中采用单晶硅载板不但能够保证产品工艺需求，适应复杂产品的发展规律，还降低机台、材料、人工成本，运用更加成熟的技术来改善产品良率；采用完全包裹成型的塑封方式，节约了时间周期，减少了成本，提高了良率。
扇出式封装方法结构

[实用新型]激光打印装置-CN202123391879.1有效
发明人：秦乐 -专利权人： 南通通富科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光打印装置，该装置包括：承载平台，包括相背设置的承载面和非承载面，所述承载面用于承载待打印物体；且所述承载平台具有贯穿部分所述承载面和部分非承载面的开口；激光打印装置，位于所述非承载面一侧，用于对从所述开口中露出的所述待打印物体表面进行激光打印；其中，所述开口的内壁设置有多个吹风口，激光打印过程中产生的粉尘在所述多个吹风口的作用下被聚集后下落。通过上述方式，本申请能够去除打印过程中物体表面的粉尘，提高打印物体出货良率。
激光打印装置

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