专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310998207.1在审
  • 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2023-08-08 - 2023-10-13 - H01L21/8238
  • 本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区;在所述第一器件区和第二器件区的半导体衬底上形成第一掺杂区和第二掺杂区;在所述第一器件区形成埋层,并在所述第二器件区形成第三掺杂区;形成第一阱区、第二阱区和第三阱区;在所述第一阱区中形成第一源区和第一漏区,并在所述第三阱区中形成第三源区和第四源区;在所述第二阱区中形成第二源区和第二漏区;刻蚀所述第三源区和所述第四源区间的所述第三阱区以及部分所述第三掺杂区和所述第一掺杂区,形成栅极沟槽;形成第一栅极结构,第二栅极结构以及第三栅极结构。所述半导体结构及其形成方法能够实现VDMOS、CMOS及JBS的集成。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310961836.7在审
  • 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-10-10 - H01L27/092
  • 本申请提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区;在所述第一器件区和第二器件区的半导体衬底上形成交替分布的第一掺杂区和第二掺杂区;在所述第一器件区形成自所述第一掺杂区和第二掺杂区的表面向底部方向延伸的埋层;形成依次相邻的第一阱区、第二阱区和第三阱区,且所述第三阱区中还形成有位于部分所述第一掺杂区表面的第一漂移区;形成第一器件和第二器件,其中所述第一器件包括第一源漏结构和第二源漏结构,所述第二器件包括第三源区和第四源区。所述半导体结构及其形成方法能够实现CMOS、MOSFET及JBS的集成。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310664279.2在审
  • 李浩南;魏进;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司
  • 2023-06-06 - 2023-08-01 - H01L21/336
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有外延层,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域;至少一个第一离子注入区,位于所述外延层,所述至少一个第一离子注入区的体积从所述第一区域向所述第二区域的方向减少;第二离子注入区,位于所述第一区域的外延层中,所述第二离子注入区部分覆盖所述至少一个第一离子注入区;至少一个第三离子注入区,位于所述第二区域的外延层中。本申请提供一种半导体结构及其形成方法,使所述至少一个第一离子注入区的体积从所述第一区域向所述第二区域的方向减少,可以避免击穿发生在第一区域最外围的结,提高器件可靠性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种回收利用废弃滤膜制作多孔碳材料的方法-CN202310302366.3在审
  • 万锐;董琪琪;马菁菁;刘畅;陈程;马启鑫;吴鑫慧 - 安徽师范大学
  • 2023-03-24 - 2023-07-11 - C01B32/324
  • 本发明公开了一种回收利用废弃滤膜制作多孔碳材料的方法,包括:滤膜前处理:将回收的废弃滤膜进行清洗后自然风干,把风干后的废弃滤膜按照用户需求进行裁剪;滤膜浸渍:将按要求裁剪好的废弃滤膜置于质量浓度为205‑60%的氯化锌溶液中浸泡12‑36小时,得到负载有氯化锌的滤膜;将碳化,将所述负载有氯化锌的滤膜,在惰性氮气或氩气气氛下,以10‑20℃/min的速度升到500‑750℃,碳化1.5‑4小时,即得到多孔碳材料。本发明的方法利用废弃滤膜制作获得多孔碳材料,该方法实现了废弃物资源综合利用,材料表征发现,所述多孔材料具有丰富的介孔和中孔结构,具有较大的孔容,高吸附能力及高化学活性,结合后续的吸附工艺可实现“以废治废”的目的。
  • 一种回收利用废弃滤膜制作多孔材料方法
  • [实用新型]半导体结构-CN202320154181.8有效
  • 张永杰;李浩南;彭定康;周永昌;三重野文健;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-04 - H01L29/423
  • 本申请技术方案提供一种半导体结构,其中所述半导体结构包括:衬底,所述衬底上包括外延层;第一掺杂区,位于所述外延层中,且所述第一掺杂区呈高低错落分布;阱区,自所述外延层的表面延伸至所述外延层中;源区,分立的自所述阱区的表面延伸至阱区中;第二掺杂区,位于相邻所述源区间,且自所述阱区表面延伸至所述阱区中,或者延伸出所述阱区;第一栅极结构和第二栅极结构,交替分布于所述源极、所述阱区及所述外延层中,且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括栅极,其中所述第一栅极结构还包括位于所述栅极下方的伪栅。本申请技术方案的半导体结构可以降低栅极结构底部的电场,并减少栅漏电荷。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体结构及形成方法-CN202310081862.0在审
  • 张永杰;李浩南;彭定康;周永昌;三重野文健;黄晓辉;董琪琪 - 飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-05-09 - H01L29/423
  • 本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法,其中所述半导体结构包括:衬底,所述衬底上包括外延层;第一掺杂区,位于所述外延层中,且所述第一掺杂区呈高低错落分布;阱区,自所述外延层的表面延伸至所述外延层中;源区,分立的自所述阱区的表面延伸至阱区中;第二掺杂区,位于相邻所述源区间,且自所述阱区表面延伸至所述阱区中,或者延伸出所述阱区;第一栅极结构和第二栅极结构,交替分布于所述源极、所述阱区及所述外延层中,且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括栅极,其中所述第一栅极结构还包括位于所述栅极下方的伪栅。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法可以降低栅极结构底部的电场,并减少栅漏电荷。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]一种电梯平衡系数检验用功率测量方法-CN202211120792.7在审
  • 方杰;董琪琪;张杰梁;张煌辉;林晓 - 福建省计量科学研究院(福建省眼镜质量检验站)
  • 2022-09-15 - 2023-01-13 - G01R21/06
  • 一种电梯平衡系数检验用功率测量方法,包括:信号特征辨识及分析:实测电梯空载上下行信号,并对信号结果进行特征分析,对输出电压和负载电流解调和滤波;功率测量:选取一路信号作为参考信号,对参考信号进行频率特性滤波处理,获得参考信号的基频和过零点信息;将参考信号的基频和过零点信息作为重采样的触发信号,对原始采样序列进行重采样,从而实现整周期变换;整周期变换后的信号包含原始采样信号的所有信息,还需要对重采样的信号进行包括变频器输出电压的解调和高频谐波的滤除的线路滤波处理,而后再进行电压、电流、功率参数计算;最后进行参数的自动补偿。本发明确保功率测量满足电梯平衡系数检验用功率测量仪表的技术指标要求。
  • 一种电梯平衡系数检验用功测量方法

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