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[发明专利]TSV通孔的制作工艺方法及多种孔深的盲孔或TSV通孔的制作工艺方法-CN201510940285.1在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤：提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点；通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆表面形成有RDL线槽的形貌；在晶圆表面沉积绝缘层；在晶圆表面绝缘层上制作金属层，在RDL线槽中形成金属RDL；在晶圆表面金属层上面沉积保护层；对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层、金属层和绝缘层；对晶圆表面TSV区域剩余的阻挡层凸点材料进行移除，露出晶圆材质；对晶圆表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔；对晶圆背面进行减薄工艺，使得盲孔底部打开，形成TSV通孔。
tsv 制作工艺方法多种

[发明专利]TSV孔的制作方法-CN201510943086.6在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种TSV孔的制作方法，包括以下步骤：（1）在晶圆背面通过光刻工艺制作出TSV孔，或者在晶圆背面沉积绝缘层后再经光刻工艺制作TSV孔，露出晶圆正面的焊盘；在晶圆背面沉积绝缘层，绝缘层覆盖晶圆的背面、TSV孔的侧壁和孔底；刻蚀绝缘层，露出焊盘，并在晶圆背面保留一定厚度的绝缘层；（2）在晶圆背面沉积金属薄膜，在金属薄膜上沉积保护层；（3）移除晶圆背面的保护层直至露出金属薄膜，并在TSV孔的底部保留一定厚度的保护层余量。本发明能够有效保护TSV孔的侧壁和TSV孔底部的金属。
tsv 制作方法

[发明专利]采用CMP工艺制作晶圆级封装背部引线的方法-CN201510945696.X在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用CMP工艺制作晶圆级封装背部引线的方法，利用CMP（化学机械研磨）技术，先在晶圆背面通过光刻工艺制作表面布线区域，然后再经过光刻工艺开TSV槽，避免了先开TSV后再进行光刻的工艺流程；或者，先在晶圆背面进行绝缘层沉积，然后在绝缘层里面通过光旋工艺制作表面布线，最后再经光刻工艺开TSV槽。本发明避免了先开TSV孔后进行光刻的工艺流程，使TSV晶圆级封装工艺更加可靠，降低成本。
采用 cmp 工艺制作晶圆级封装背部引线方法

[发明专利]无模板法的晶圆植球工艺-CN201510941387.5在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种无模板法的晶圆植球工艺，包括下述步骤：步骤S1，对滚轴充电，使滚轴表面带静电；通过激光扫描，使得滚轴表面具有与晶圆植球区域相对应的静电图形；滚轴旋转中先接触焊料，使得滚轴表面对应晶圆植球区域吸附焊料；通过滚轴与胶带上具有粘性的胶膜或胶带上涂覆的粘性膜接触，将焊料转移到胶带上；步骤S2，晶圆表面涂覆粘性膜，利用键合工艺或贴合工艺将胶带与晶圆贴在一起；步骤S3，对胶带表面具有粘性的胶膜去粘性处理，使得带有焊料的胶膜结构转移到晶圆上；步骤S4，进行回流焊得到焊球。本工艺可以实现植球工艺和植球机的分离，使晶圆级植球可以通过贴膜工艺来实现。
模板晶圆植球工艺

[发明专利]晶圆上刻蚀不同深度TSV孔的工艺方法-CN201510946129.6在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆上刻蚀不同深度TSV孔的工艺方法，包括下述步骤：提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，去除阻挡层的部分，留下阻挡层凸点；阻挡层凸点位置为TSV区域；在晶圆表面沉积保护层；通过光刻和刻蚀工工艺在晶圆表面刻蚀出第一TSV孔；对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层，露出阻挡层凸点材料；对露出的阻挡层凸点材料进行移除，在阻挡层凸点位置露出晶圆材质；在原阻挡层凸点位置进行硅的干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的位置被刻蚀形成第二TSV孔。本发明避免了第二次刻孔工艺时孔底部光刻胶曝光困难以及光刻胶在孔侧壁挂不住的问题。
晶圆上刻蚀不同深度 tsv 工艺方法

[发明专利]一种FAN-OUT的封装结构及其封装方法-CN201510413400.X在审
发明人：张文奇;冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种FAN-OUT的封装结构及其封装方法，其封装结构为在介电层的上表面设有介质层，在介质层上表面设有塑封体，在介质层内设有布线，在布线的上端部设有凸点，在塑封体内设有倒装的芯片，芯片与凸点相连，在布线的下端部连接有焊球，焊球的下端部露出所述的介电层。本封装结构去掉了工艺复杂的TSV及晶圆减薄工艺，提供一种低成本中高密度多芯片集成方案；减少x/y/z封装尺寸；贴片后在塑封之前进行晶圆级别的电性测试，一旦发现贴合工艺失效，可以进行重工操作，提高了最终产品的良率。
一种 fan out 封装结构及其方法

[发明专利]晶圆电性抽测用的转接板工艺-CN201510487385.3在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆电性抽测用的转接板工艺，包括下述步骤：制作针卡，针卡上设探针；制作一个转接板，在转接板的正面设正面电连接点，在转接板中通过TSV工艺设TSV孔，把转接板的正面电连接点导通到转接板的背面；转接板上的正面电连接点与针卡上的探针相互对应；在转接板背面制作RDL再布线层，并且在RDL再布线层上设背面电连接点，各背面电连接点与待测晶圆上的测试点一一对应；通过临时键合工艺将待测晶圆表面与转接板背面键合在一起；键合胶为纵向导电而横向不导电的各向异性导电能力的键合胶，使得待测晶圆上的测试点与转接板上的背面电连接点对应电连接；对转接板正面扎针。本发明能够对高密集度测试点的晶圆进行电性测试。
晶圆电性抽测转接工艺

[发明专利]一种含TSV的Fan-out的封装结构及其封装方法-CN201510412124.5在审
发明人：张文奇;宋崇申;冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种含TSV的Fan-out的封装结构及其封装方法，在介电层的上表面设有基板，在基板的上表面设有键合胶，在键合胶的上表面设有介质层，在介质层的上表面设有塑封体；在键合胶、基板与介电层内设有导电柱，在导电柱的下端部连接有焊球，在介质层内设有布线，在布线的上端部设有凸点，所述导电柱的上端部与布线的下端部相连，在塑封体设有倒装的芯片，芯片与凸点相连。本发明提供了一种低成本中高密度多芯片集成方案，本发明减少了三维方向上的封装尺寸。
一种 tsv fan out 封装结构及其方法

[发明专利]快速测试晶圆电性用的转接板工艺和转接板结构-CN201510487383.4在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种快速测试晶圆电性用的转接板工艺，包括下述步骤：提供一待测晶圆，待测晶圆上分布有多个芯片；将待测晶圆上各芯片需要进行测试连接的输入型导电点进行筛选归类；提供一转接板，在转接板正面和背面分别制作正面电连接点和背面电连接点，转接板的正面电连接点和背面电连接点通过TSV工艺形成的TSV孔导通；转接板的背面电连接点与待测晶圆上芯片的导电点位置相对应；在转接板背面进行RDL再布线工艺，将与待测晶圆上具有相同输入电性条件的输入型导电点所对应的转接板背面电连接点并联；使用临时键合工艺将待测晶圆和转接板背面键合。本发明可提高晶圆电性测试效率，也避免了测试时针扎晶圆焊盘会留下针眼的问题。
快速测试晶圆电性用转接工艺板结

[发明专利]背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构-CN201510413998.2在审
发明人：靖向萌;冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法，它包括以下步骤：在CIS晶圆的正面打出焊柱孔，用电镀的方式在焊柱孔内沉积出焊柱，焊柱与CIS晶圆内的线路导通，再在焊柱的柱顶沉积出导电层；在CIS晶圆的正面通过临时键合胶键合负载晶圆，以负载晶圆为支撑，减薄CIS晶圆的背面，再在CIS晶圆的背面添加滤光镜和微透镜；在CIS晶圆的背面涂上透光胶，在透光胶的背面键合透光封盖；以透光封盖为支撑，去除负载晶圆和临时键合胶，清洗CIS晶圆上残留的临时键合胶，清洗后，以透光封盖为支撑进行切割。本发明降低了封装的工艺难度和成本，降低了封装成品的厚度。
背照式图像传感器晶圆级封装方法及其结构

[发明专利]一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法-CN201510412535.4在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆级封装的保护封盖的表面处理方法，它包括以下步骤：在保护封盖上做上呈间隔设置的光阻薄膜，相邻两片光阻薄膜之间形成间隙；将晶圆和保护封盖通过支撑墙键合在一起；在晶圆的背面即晶圆的上表面做完背部工艺，用激光对键合胶进行去粘性作业，然后将保护封盖、光阻薄膜和支撑墙取下。本发明通过增加一道镀膜工艺使封盖上面对应芯片感应区域的位置有光阻薄膜覆盖，这样后续激光去键合时这层光阻薄膜就能够有效防止激光损伤到芯片感应区域，封盖移除光阻薄膜后可以重复利用，且可以作为不同产品的封盖使用。
一种晶圆级封装护封表面处理方法

[发明专利]一种晶圆级封装用保护封盖及其制作方法-CN201510412426.2在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖与阻挡激光薄膜；阻挡激光薄膜安装在封盖上，相邻两片阻挡激光薄膜在水平方向上具有间隙。本发明的封盖只在相邻两片阻挡激光薄膜之间能透过激光，其他位置不透激光，因此本封盖在晶圆级封装作业完成后通过激光去键合的方式与切割好的芯片进行分离，同时又保护了芯片的感应区域免受激光的损伤。
一种晶圆级封装护封及其制作方法

[发明专利]一种TSV背部露头的形成方法-CN201510413636.3在审
发明人： 冯光建;张文奇 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种TSV背部露头的形成方法，它包括以下步骤：将已经具有导电柱的晶圆的背部表面减薄，使得导电柱的背面端头及其绝缘套突出于晶圆的背部表面；利用电泳涂装的方式在绝缘套外侧的晶圆的背部表面沉积上绝缘层；蚀刻掉导电柱背面端头上的绝缘套，使得导电柱的背面端头露出来。本发明利用电泳方式沉积的有机绝缘层只会覆盖在导电的晶背表面，而本来覆盖有绝缘层的导电柱顶端则不会有绝缘层覆盖，这样后续对导电柱顶端的绝缘层进行去除就变得简单；而且本发明中绝缘层固化温度低、电泳沉积方法成本低。
一种 tsv 背部露头形成方法

[发明专利]一种高度可控的导电柱背部露头的形成方法-CN201510413469.2在审
发明人： 冯光建 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种高度可控的导电柱背部露头的形成方法，它包括以下步骤：将已经安装了导电柱的晶圆的背面进行减薄，并通过刻蚀或研磨工艺使导电柱露出来，该导电柱的外面包裹着绝缘层；在晶圆的背部沉积上第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜上面沉积上第二绝缘薄膜，第一绝缘薄膜与第二绝缘薄膜的总高度低于导电柱的露头高度；将露出第二绝缘薄膜部分的导电柱通过研磨去除，使得导电柱与第二绝缘薄膜等高；去除第二绝缘薄膜，得到平整度和高度均一的导电柱。本发明中，晶背的导电柱露头高度可以控制并且高度均匀，导电柱顶端平整度高，在这样的导电柱上做出的凸点基本处于同一平面上面，非常有利于后续与其他带凸点晶圆或PCB板的压合对接工艺。
一种高度可控导电背部露头形成方法

[发明专利]CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法-CN201510048223.X在审
发明人： 冯光建;张文奇 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法，其包括以下步骤：（1）、晶圆背部TSV孔刻蚀前，先沉积一层第一绝缘层；（2）、然后继续TSV孔的光刻和干法刻蚀工艺，刻出TSV孔；（3）、沉积TSV孔工艺后续第二绝缘层；（4）、对晶圆背整面进行干法刻蚀，直到将TSV孔底部PAD上面的绝缘层刻蚀完全。本发明的优点在于第一次沉积的第一绝缘层可以为后续的PAD上面的第二绝缘层去除做阻挡层，在后续的对PAD表面第二绝缘层进行过蚀刻时不用担心晶圆背表面第一绝缘层被破坏，省去了工艺难度较高的光刻工艺，节省了工艺成本。
cis 产品 tsv 底部 pad 表面绝缘刻蚀方法