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[发明专利]多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块-CN201580044611.9有效
发明人：祢津茂义;星野成大;冈田哲郎;齐藤弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
多晶制造反应炉装置方法以及

[发明专利]氢气回收系统及氢气的分离回收方法-CN201680044982.1有效
发明人：石田昌彦;祢津茂义;齐藤弘;田中秀二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01B3/56 文献下载
摘要：本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。
氢气回收系统分离方法

[发明专利]多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块-CN202010051606.3在审
发明人：祢津茂义;星野成大;冈田哲郎;齐藤弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块。本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
多晶制造反应炉装置方法以及

[发明专利]硅烷化合物或氯硅烷化合物的纯化方法、多晶硅的制造方法和弱碱性离子交换树脂的再生处理方法-CN201480020915.7有效
发明人：石田昌彦;齐藤弘;吉田敦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供能够在硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化工序中长期稳定地使用用于除去硼杂质的离子交换树脂的技术。本发明中，将硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化中使用的弱碱性离子交换树脂利用含有氯化氢的气体进行清洗处理。在将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的初始活化的情况下，能够得到更高的杂质吸附能力。另外，通过将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的再生，能够长时间稳定地使用离子交换树脂。因此，能够削减长期运转中的树脂使用量，能够削减使用后的树脂废弃费用。
硅烷化合物纯化方法多晶制造弱碱离子交换树脂再生处理

[发明专利]多晶硅的制造方法-CN201480050755.0在审
发明人：石田昌彦;祢津茂义;齐藤弘;长谷川正幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。
多晶制造方法

[发明专利]三氯硅烷的制造方法-CN201480008798.2在审
发明人：石田昌彦;齐藤弘;长谷川正幸 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：在本发明所涉及的三氯硅烷的制造方法中，采用下述操作：在随着从含有甲基二氯硅烷(CH₃HSiCl₂)、四氯硅烷(SiCl₄)和三氯硅烷(HSiCl₃)的混合物(S)中除去甲基二氯硅烷而得到高纯度的三氯硅烷时，通过催化处理，在甲基二氯硅烷与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为三氯硅烷和甲基三氯硅烷(CH₃SiCl₃)。与作为精制对象的三氯硅烷(沸点32℃)沸点接近的甲基二氯硅烷(沸点41℃)通过与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为沸点更高的甲基三氯硅烷(沸点66℃)，杂质除去变容易。
硅烷制造方法

[发明专利]固体电解电容器及其制造工艺-CN200610004258.4有效
发明人：藤本和雅;齐藤弘;吉田泰;武田幸男 -专利权人：三洋电机株式会社;佐贺三洋工业株式会社;日本蓄电器工业株式会社
申请日： 2006-02-13 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种固体电解电容器，其中阳极具有较不易受到由于机械应力引起的损坏或故障的影响的结构的电介质氧化膜，漏电流较小且不易发生短路故障，以及一种制造所述电容器的工艺。本发明的电容器包括铝阳极5，具有以非晶体氧化铝形成在其表面上的电介质氧化膜，所述电容器的特征在于在阳极中形成多个隧道形刻蚀凹坑。本发明的制造固体电解电容器的工艺，包括以下步骤：在铝材料中形成多个隧道形刻蚀凹坑；通过将铝材料浸入包含草酸等的电解质溶液中，实现阳极氧化；以及通过将铝材料浸入包含硼酸等无机酸或其盐的电解质溶液中或浸入包含己二酸等有机酸或其盐的电解质溶液中，并施加至少为所述电容器的额定电压的三倍的电压，实现阳极氧化。
固体电解电容器及其制造工艺