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[发明专利]一种用于低功耗相变存储器的GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质-CN201710035000.9有效
发明人：任堃 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明一种用于低功耗相变存储器的GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质。GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质包含至少一个Bi2Te3层和GeTe材料层叠放单元，相邻单元间Bi2Te3层和GeTe材料层交替排布；Bi2Te3层厚度范围为10～50埃，GeTe层厚度范围为10～25埃；Bi2Te3层包括若干Bi2Te3单元，相邻Bi2Te3单元间通过van der waals作用结合。Bi2Te3/GeTe超晶格结构的应用能更有效降低相变存储器器件功耗。
一种用于功耗相变存储器 gete bi2te3 晶格结构存储介质

[发明专利]一种具有三维纳米结构的Bi₂Te₃材料及其制备方法和应用-CN201810186159.5在审
发明人：姬广斌;陈家彬;梁小会;权斌 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维纳米结构的Bi2Te3材料，所述Bi2Te3材料具有三维纳米结构，所述三维纳米结构由Bi2Te3纳米片相互穿插而成。本发明还公开了上述具有三维纳米结构的Bi2Te3材料的制备方法及其在用于制备电磁吸波材料方面的应用。本发明Bi2Te3材料在低厚度下也具有强的反射损耗和宽的有效吸收频带，因此其具有优异的吸波性能；本发明制备方法采用水热法制备得到具有三维纳米结构的Bi2Te3材料，该制备方法工艺简单、成本低，无需复杂的合成设备
三维纳米结构制备制备方法和应用电磁吸波材料制备方法工艺反射损耗合成设备水热法制吸波性能有效吸收规模化纳米片穿插应用生产

[发明专利]一种Bi2Te3‑Sb2Te3核壳结构纳米线及其制备方法-CN201510746190.6有效
发明人：糜建立;冯宏庆;董明东 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种Bi2Te3‑Sb2Te3核壳结构纳米线及其制备方法，所述纳米线以Bi2Te3为内核，Bi2Te3外层包覆有Sb2Te3层；所述纳米线的直径为10～50nm，长度为2‑20μm。以葡萄糖、蔗糖或褐藻酸为还原剂，采用两步水热反应制备，首先在酸性条件下制备直径较小的Te纳米线作为模板，然后在碱性条件下还原Bi离子和Sb离子制备Bi2Te3‑Sb2Te3纳米线。本发明制备的Bi2Te3‑Sb2Te3纳米线具有特殊的异质核壳结构，提高其热电性能，在热电领域的应用上展现出令人期待的潜力。
一种 bi sub te sb 结构纳米及其制备方法

[发明专利]一种Bi2Te3二维纳米片、其制备方法及应用-CN201510454096.3有效
发明人：姜秀娥;白静;贾潇丹 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种Bi2Te3二维纳米片的制备方法，包括将Bi2Te3纳米材料、水与功能化配体分子进行超声剥离，得到Bi2Te3二维纳米片；所述功能化配体分子为聚乙烯吡咯烷酮、细胞色素C或牛血清白蛋白。本申请一功能化配体分子作为剥离剂，对Bi2Te3纳米材料进行超声剥离，从而得到水溶性较高的功能化配体分子‑Bi2Te3二维纳米片，其粒径均一、形貌可控，水溶性好，不但有很好的生物相容性，而且具有高的光热转换效率本发明可以简单的实现具有光热性能的水溶性Bi2Te3的大规模合成，制备过程简单，成本低廉，适合工业化生产。
一种 bi sub te 二维纳米制备方法应用

[发明专利]一种Bi₂Te₃/碳纳米管复合材料的制备方法-CN200910155794.8无效
发明人：孙晨曦;张孝彬;周丽娜;赵新兵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明公开的Bi2Te3/碳纳米管复合材料的制备方法，步骤如下：将经过酸化处理的碳纳米管溶于表面活性剂EDTA水溶液中，超声分散，并加入碱调节溶液OH-浓度为0.1-1mol/L；按照Bi2Te3化学成分所确定的Bi∶Te的摩尔比为2∶3，将含Bi元素的化合物及含Te元素的化合物或Te单质溶解于上述水溶液中，搅拌下加入还原剂NaBH4，得混合液；将混合液在水浴下搅拌加热，反应结束后离心分离、洗涤、收集固体产物，本发明方法制得的Bi2Te3/碳纳米管复合材料，其Bi2Te3颗粒尺寸为10-20nm左右，该Bi2Te3/碳纳米管复合材料结合了碳纳米管与热电材料的优势，有望提高热电优值。
一种 bi sub te 纳米复合材料制备方法

[发明专利]碳纳米管负载Bi₂Te₃纳米球的复合材料制备方法-CN200910155049.3无效
发明人：周丽娜;张孝彬;赵新兵;孙晨曦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管负载Bi2Te3纳米球的复合材料的制备方法，步骤为：按照Bi2Te3化学式确定的Bi∶Te的摩尔比为2∶3，将含Bi的乙二醇溶液和含Te的乙二醇溶液混合；将处理过的碳纳米管超声分散在乙二醇与去离子水的混合溶液中，并与上述含Bi和含Te的混合液混合，在微波辐射状态下反应后，离心、洗涤、收集沉淀物；将沉淀物超声分散在乙二醇中，并滴入NaBH4溶解在乙二醇的溶液中，微波辐射状态下反应，反应结束后离心、洗涤、收集固体产物本发明工艺简单，制得的复合材料，其Bi2Te3负载在碳纳米管上包覆紧密，有望提高Bi2Te3基热电材料的热电性能，并可广泛用于物理、化学、微电子、材料等领域。
纳米负载 bi sub te 复合材料制备方法

[发明专利]Bi₂Te₃薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用-CN201210254834.6有效
发明人：谢健;屠芳芳;刘双宇;朱铁军;曹高劭;赵新兵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料，由微米级Bi2Te3薄片和石墨烯组成。由于石墨烯的分散、承载及隔离作用，可有效阻止微米Bi2Te3薄片在热处理过程中的烧结，以保持晶界对声子的有效散射，对提高Bi2Te3材料的热电性能具有重大意义。该复合材料可作为热电材料。
bi sub te 薄片石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种利用调节pH值进行纳米碲化铋粒度分级的方法-CN201510351240.0有效
发明人：姜再兴;毛娇;董继东;王明强;韦华伟;方晓娇;刘志涛;刘丽;黄玉东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： B03B5/32 文献下载
摘要：它是要解决现有碲化铋纳米片的制备方法得到的Bi2Te3纳米片尺寸不均一、尺度分散性大的技术问题。本方法一、在氮气气氛中，将碲化铋粉末加入到正丁基锂的正己烷溶液中浸泡，然后去除液体，把碲化铋在手套箱中静置；二、向碲化铋中加入水，搅拌或超声处理，得到Bi2Te3悬浮液；三、将Bi2Te3悬浮液调节pH值至7，离心分离，再逐步降低pH值，再分离，得到不同粒度的Bi2Te3纳米片，完成纳米碲化铋粒度分级。本方法方便、环保、便宜地分离出不同尺寸的二维Bi2Te3，而且粒度均匀，可用于电子学器件中。
一种利用调节 ph 进行纳米碲化铋粒度分级方法

[发明专利]一种玻璃纤维/Bi₂Te₃热电薄膜复合材料及其制备方法-CN201610004221.5有效
发明人：雷浩;邰凯平;乔吉祥;靳群;史文博;姜辛 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料领域，具体涉及一种玻璃纤维/Bi2Te3热电薄膜复合材料及其制备方法，该复合材料可作为柔性能源器件、微型传感器等方面的应用。该复合材料包括玻璃纤维基体以及均匀沉积在其表面上的Bi2Te3热电薄膜层，形成核‑壳结构；其中，玻璃纤维的直径为5～10μm，Bi2Te3热电薄膜层的厚度为1～2μm，膜层结构致密且与玻璃纤维表面结合良好利用非平衡磁控沉积技术制备的玻璃纤维/Bi2Te3热电薄膜复合热电材料，Bi2Te3沉积层为具有纳米尺度晶粒的致密结构，厚度均匀可调，其热电性能接近于商用块体材料。
一种玻璃纤维 bi sub te 热电薄膜复合材料及其制备方法

[发明专利]一种n型Bi₂Te₃块体材料的力学性能的测试方法-CN201110071345.2无效
发明人：李耀刚;闫伟;江莞;王连军;王宏志;张青红 -专利权人：东华大学
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01N3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种n型Bi2Te3块体材料的力学性能的测试方法，包括：(1)粉碎区熔n型Bi2Te3单晶锭棒，过筛选取粒度为80μm的初始粉料，然后放电等离子烧结技术进行块体材料的制备；(2)室温下，将上述烧结的n型Bi2Te3块体样品切成片状，经过粗磨、细磨，并采用1μm的金刚石单面抛光制成MSP样品，利用MSP系统进行样品的断裂性能，动态疲劳和循环疲劳测试。本发明的测试方法简单，适用于片状小样品；样品固定方便，施加循环载荷时样品仍能保持其位置的稳定，确保测试结果有效；通过改变测试模式，可获得n型Bi2Te3块体材料的MSP断裂强度和疲劳性能。
一种 bi sub te 块体材料力学性能测试方法

[发明专利]一种低维纳米银/ Bi₂Te₃基热电复合材料及其制备方法-CN201310436498.1有效
发明人：王连军;张骐昊;王明辉;朱娟娟;江莞 -专利权人：东华大学
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种低维纳米银/Bi2Te3基热电复合材料及其制备方法，所述热电复合材料由两相组成，第一相为纳米Bi2Te3，第二相为低维纳米银；其中热电复合材料中纳米银的体积百分含量为0.5～2.5%。制备方法：分别合成纳米Bi2Te3与低维纳米银，然后按不同体积比进行超声混合，最后利用放电等离子体SPS技术烧结，得到低维纳米银/Bi2Te3基热电复合材料。
一种纳米 bi sub te 热电复合材料及其制备方法

[发明专利]一种N型Bi2Te3复合CH3NH3I热电薄膜及其制备方法-CN201711086713.4在审
发明人：范平;郑壮豪;罗景庭;李亚丹;梁广兴 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开一种N型Bi2Te3复合CH3NH3I热电薄膜及其制备方法，其中，采用热共蒸发法对CH3NH3I与Bi2Te3进行复合制得热电薄膜，通过CH3NH3I的有机功能团的特性，调节Bi2Te3的载流子输运特性同时，可通过工艺参数的调控，调节有机材料CH3NH3I的复合含量，可制备出不同类型和热电性能更高的热电薄膜。
一种 bi2te3 复合 ch3nh3i 热电薄膜及其制备方法

[发明专利]用制冷晶棒加工废料制备N型Bi₂Te₃基热电材料的方法-CN201310253561.8有效
发明人：樊希安;蔡新志;荣振洲;杨帆;吴朝阳;陆磊;李光强 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用制冷晶棒加工废料制备N型Bi2Te3基热电材料的方法。然后将其放入石英管内，按N型Bi2Te3基热电材料的化学式（BixSb2-xTe3-ySey，其中1.5≤x≤2.0，0.1≤y≤0.7）添加纯度大于99.9wt%的Bi、Te、Sb和Se原料。最后对石英管抽真空封装，放入加热炉内熔炼，熔炼温度为580～850℃，保温0.5～5.0h，随炉冷却，取出石英管内的合金锭，即得N型Bi2Te3基热电材料。
制冷加工废料制备 bi sub te 热电材料方法

[发明专利]用制冷晶棒加工废料制备P型Bi₂Te₃基热电材料的方法-CN201310252792.7无效
发明人：樊希安;蔡新志;荣振洲;杨帆;吴朝阳;陆磊;李光强 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用制冷晶棒加工废料制备P型Bi2Te3基热电材料的方法。然后将其放入石英管内，按P型Bi2Te3基热电材料的化学式（BixSb2-xTe3-ySey，其中0.3≤x≤0.6，y≤0.7）添加纯度大于99.9wt%的Bi、Te、Sb和Se原料。最后对石英管进行抽真空封装，放入加热炉内熔炼，熔炼温度为580～850℃，保温0.5～5.0h，随炉冷却，取出石英管内的合金锭，即得P型Bi2Te3基热电材料。
制冷加工废料制备 bi sub te 热电材料方法

[发明专利]一种Bi2Te3-xSx热电材料及其制备方法-CN201410844212.8在审
发明人：方海生;赵超杰;张之;张梦杰;田俊;王森 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：一种Bi2Te3-xSx热电材料及其制备方法，属于热电材料及其制备方法，目的在于提高本来用于低温区的Bi2Te3基热电材料在中温区内的相关热电性能，同时解决现有中温热电材料对环境造成不利影响的问题。本发明分别将准备好的高纯的铋粉(Bi)、碲粉(Te)、硫粉(S)按照预定原子比称重混合之后，放置于球磨罐中，在氩气保护的气氛下进行机械合金化处理，然后将所得到的粉料装于石墨模具中进行放电等离子烧结，既可得Bi2Te3-xSx的块体材料。本发明工艺简单，制备周期短，制备过程耗材少成本低，可操作性强，通过材料中S元素的引进，提高了本来用于低温区的Bi2Te3基热电材料在中温区内的相关热电性能，并对环境友好，解决了现有中温热电材料对环境造成不利影响的问题
一种 bi2te3 xsx 热电材料及其制备方法

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