专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202210186669.9在审
  • 佐藤茂树;吉田崇一;旭兴治;百田圣自 - 富士电机株式会社
  • 2022-02-28 - 2022-10-18 - H01L29/739
  • 本发明提供一种半导体装置,其具备:预先设定的第一沟槽长度的第一沟槽部;第二沟槽长度的第二沟槽部,所述第二沟槽长度比第一沟槽长度长;第一栅极布线部,其与第一沟槽部的端部电连接;以及第二栅极布线部,其与第一栅极布线部电连接,并且与第二沟槽部的端部电连接,第一栅极布线部的每单位长度的电阻率大于第二栅极布线部的每单位长度的电阻率。
  • 半导体装置
  • [发明专利]绝缘栅半导体装置-CN201780002760.8有效
  • 佐藤茂树 - 富士电机株式会社
  • 2017-01-04 - 2022-03-04 - H01L21/822
  • 在绝缘栅半导体装置中实现静电放电耐量的提高,所述绝缘栅半导体装置具备:主绝缘栅晶体管,具备控制主电流的栅极;电流检测用绝缘栅晶体管,与主绝缘栅晶体管并联设置,输出相对于在主绝缘栅晶体管流通的主电流而按晶体管的面积成比例的电流;以及温度检测用二极管,与这些绝缘栅晶体管一同形成在同一半导体基板上。通过在电流检测用绝缘栅晶体管的发射极与温度检测用二极管的阳极之间安装静电耐量用齐纳二极管,从而利用温度检测用二极管来确保电流检测用绝缘栅晶体管的静电放电耐量。
  • 绝缘半导体装置
  • [发明专利]功率模块和反向导通IGBT-CN201880014992.X有效
  • 佐藤茂树 - 富士电机株式会社
  • 2018-08-02 - 2021-12-03 - H01L21/336
  • 本发明提供能够提高具有虚设沟槽栅结构的IGBT的控制性的功率模块和反向导通IGBT。所述功率模块具备:功率半导体芯片,其在同一芯片内形成有包括虚设沟槽栅极的沟槽栅结构的IGBT(41A)和用于使IGBT(41A)的发射极的过剩载流子回到IGBT(41A)的集电极的续流二极管(5A);以及用于对IGBT(4A)进行导通/关断驱动的驱动芯片(3A),所述功率模块是将功率半导体芯片和驱动芯片(3A)封装而成的功率模块,为了将虚设沟槽栅极用于筛选检查,所述功率模块还具备电荷蓄积元件(CP1),其连接在能够虚拟形成的虚设IGBT(42A)的栅极与发射极之间。
  • 功率模块向导igbt
  • [发明专利]半导体装置及系统-CN202080018066.7在审
  • 佐藤茂树;松井俊之;荒木龙;宫田大嗣;吉田崇一 - 富士电机株式会社
  • 2020-09-25 - 2021-10-22 - H01L27/02
  • 提供一种半导体装置,该半导体装置具备:半导体基板;温度感测部,其设置于半导体基板的正面;阳极焊盘和阴极焊盘,其与温度感测部电连接;正面电极,其被设定为预先确定的基准电位;以及双向二极管部,其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管,且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
  • 半导体装置系统
  • [外观设计]旋转蒸发仪-CN202130059454.7有效
  • 山本孝裕;佐藤茂树;千叶英昭 - 东京理化器械株式会社
  • 2021-01-27 - 2021-06-11 - 24-01
  • 1.本外观设计产品的名称:旋转蒸发仪。2.本外观设计产品的用途:本产品是用于减压浓缩和减压蒸馏的旋转蒸发仪。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.使用状态参考图中,A为冷却器,B为回收容器,C为驱动部,D为试样容器,E为本产品,F为恒温槽部,G为顶升部。
  • 旋转蒸发
  • [发明专利]功率模块、反向导通IGBT及驱动电路-CN201880014955.9有效
  • 佐藤茂树 - 富士电机株式会社
  • 2018-08-02 - 2021-03-02 - H02M1/08
  • 本发明提供能够提高反向导通IGBT的控制性的功率模块、反向导通IGBT和驱动电路。上述功率模块具备:功率半导体芯片(3),其在同一芯片内形成有IGBT(31)和续流二极管(32);以及驱动电路(2),其与功率半导体芯片(3)连接,对IGBT(31)进行导通/关断驱动,上述功率模块(1)是将功率半导体芯片(3)和驱动电路(2)封装化而成的功率模块,上述功率模块还具备串联配置在IGBT(31)的发射极与驱动电路(2)的接地之间的电容器CP和开关元件(23),在驱动电路(2)使IGBT31进行关断开关动作的情况下,开关元件(23)使发射极与接地之间导通。
  • 功率模块向导igbt驱动电路
  • [其他]接触式传感器-CN201890000867.9有效
  • 泽田昌树;友井田亮;佐藤茂树;山田博文 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2018-06-11 - 2020-05-19 - G06F3/041
  • 本公开的接触式传感器包括:传感器部,其由电极形成;传感器基板,在该传感器基板形成有所述传感器部;连接器,其具有与所述传感器基板的周缘相连接的连接器基板;以及布线,其一端部配置于所述传感器基板并且与所述传感器部的所述电极电连接,另一端部配置于所述连接器基板。所述连接器能够与其他连接器相连接,所述布线的配置于所述连接器基板的所述另一端部能够与所述其他连接器电连接,所述传感器基板与所述连接器基板形成为一体。
  • 接触传感器

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