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- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811036196.4有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-10-13
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法。晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域分别形成有器件，该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出；对准工序，通过红外线拍摄构件从晶片的正面侧透过密封材料拍摄晶片的正面侧而检测对准标记，根据对准标记检测应进行激光加工的分割预定线；和分割工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于密封材料具有吸收性的波长的激光束，通过烧蚀加工将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811035751.1有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-10-10
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H01L21/304
- 提供晶片的加工方法，该方法具有：切削槽形成工序，从晶片的正面侧形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，通过可见光拍摄构件检测对准标记并据此检测应进行激光加工的分割预定线；改质层形成工序，将具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在切削槽中的密封材料的内部，沿着分割预定线进行照射而在切削槽中的密封材料的内部形成改质层；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至完工厚度而使切削槽中的密封材料露出；和分割工序，对切削槽中的密封材料赋予外力而分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片，通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光同时实施对准工序。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811035748.X有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-07-21
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法。晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域分别形成有器件，该方法包含：第1切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第1切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使第1切削槽中的密封材料露出；对准工序，通过红外线拍摄构件从晶片的正面侧透过密封材料拍摄晶片的正面侧而检测对准标记，根据对准标记检测待切削的分割预定线；和分割工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第2切削刀具切割第1切削槽中的密封材料，将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811035752.6有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-07-18
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法。该方法具有：第1切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的第1切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，通过可见光拍摄构件来检测对准标记，根据对准标记检测待切削的分割预定线；第2切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线在第1切削槽中的密封材料中形成深度相当于完工厚度的第2切削槽；保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；和分割工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至完工厚度而使第2切削槽露出，将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施对准工序。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811035735.2有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-07-14
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H01L21/56
- 提供晶片的加工方法，该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，通过红外线拍摄构件对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据对准标记来检测应进行激光加工的分割预定线；改质层形成工序，将对于密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在切削槽中的密封材料的内部而照射激光束而形成改质层；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出；和分割工序，对切削槽中的密封材料赋予外力而以改质层为分割起点将该晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811035734.8有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-07-07
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，该方法包含：第1切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过第1切削刀具形成深度相当于完工厚度的第1切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据对准标记检测待切削的分割预定线；第2切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过具有比第1切削刀具的第1厚度小的第2厚度的第2切削刀具在第1切削槽的密封材料中形成深度相当于完工厚度的第2切削槽；保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；和分割工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至完工厚度而使第2切削槽露出，将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811036207.9有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-06-23
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧通过切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，通过红外线拍摄构件对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据对准标记来检测应进行激光加工的分割预定线；激光加工槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于密封材料具有吸收性的波长的激光束，通过烧蚀加工在切削槽中的密封材料中形成深度相当于器件芯片的完工厚度的激光加工槽；保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；和分割工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至完工厚度而使激光加工槽露出，分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811036194.5有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-06
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2023-06-23
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，通过可见光拍摄构件检测对准标记并据此检测应进行激光加工的分割预定线；激光加工槽形成工序，从晶片的正面侧照射对于密封材料具有吸收性的波长的激光束，在切削槽的密封材料中形成深度相当于完工厚度的激光加工槽；保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；和分割工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至完工厚度而使激光加工槽露出，将晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施对准工序。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811066921.2有效
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铃木克彦;伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-09-13
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2022-03-04
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B28D5/00
- 提供晶片的加工方法。该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，其正面被密封材料密封，该方法具有如下工序：对准工序，通过可见光拍摄构件透过密封材料对器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记并据此检测应进行激光加工的分割预定线；改质层形成工序，将对于器件晶片和密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在器件晶片或密封材料的内部并沿着分割预定线照射而形成改质层；和分割工序，对器件晶片和密封材料赋予外力而以改质层为分割起点将该晶片分割成正面被密封材料密封的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施对准工序。
- 晶片加工方法
- [发明专利]晶片的激光加工方法-CN201810295763.1有效
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伴祐人
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株式会社迪思科
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2018-03-30
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2021-10-08
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B23K26/362
- 提供晶片的激光加工方法，抑制因先行的激光束的照射而产生的碎屑等对后续的激光束照射造成妨碍。晶片的激光加工方法使用激光加工装置对晶片进行加工，该晶片由呈格子状设定于正面的多条分割预定线划分，该激光加工装置具有激光束照射单元，该激光束照射单元通过聚光透镜对保持于卡盘工作台的晶片照射由激光束振荡器振荡并由激光束分支单元分支而形成的多个激光束，该晶片的激光加工方法具有加工槽形成步骤，沿着该分割预定线对该晶片照射该多个激光束，在该晶片上形成沿着该分割预定线的加工槽，在该加工槽形成步骤中，使由该激光束分支单元分支而得的该多个激光束呈列状排列在与该多个激光束所照射的该分割预定线的延伸方向非平行的方向上。
- 晶片激光加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201510440970.8有效
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长冈健辅;小川雄辉;小幡翼;伴祐人
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株式会社迪思科
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2015-07-24
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2020-06-19
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法。对在层叠于基板的正面的功能层上由多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割，包含：高度记录工序，利用卡盘工作台保持在正面上粘贴有保护部件的晶片的保护部件侧，一边在X轴方向上加工进给卡盘工作台一边检测晶片的与分割预定线对应的背面的Z轴方向的高度位置，记录分割预定线的X坐标和与X坐标对应的Z坐标；切削槽形成工序，从基板的背面侧将切削刀具定位在与分割预定线对应的区域，根据已记录的X坐标和Z坐标在Z轴方向上移动切削刀具，残留未到达功能层的基板的一部分而形成切削槽；激光加工工序，从晶片的背面侧沿着切削槽的底部照射激光光线，沿着分割预定线分割晶片。
- 晶片加工方法
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