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[发明专利]金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法-CN200980162274.8有效
发明人：洪性在 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法。该设备包括：腔室；安装在腔室内侧并能旋转的衬托器，其中，将至少一个衬底设置于衬托器上；加热衬托器的多个加热器，其温度被独立控制；气体喷射器，位于衬托器上部且朝向衬托器喷射III族气体和V族气体；多个温度探测传感器，其位于衬托器的上部，并测量通过各加热器加热的加热区的温度；和控制器，其存储加热区所需的温度设定值，并通过将由各温度探测传感器探测到的探测温度值与加热区所需的设定值相比较来控制加热区的温度。通过有效地调节金属有机化学汽相淀积设备中的每一外延工艺所必需的温度条件，可以在整个工艺期间均匀地向整个衬底实施温度倾斜，其通过将温度从室温上升至1200℃来执行工艺。因此提高了工艺效率和淀积均匀度。
金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法

[发明专利]化学气相沉积设备的温度控制方法-CN200980162273.3有效
发明人：洪性在 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：需要一种能够区分衬托器表面和晶片表面之间的温度差异并且通过反映所述温度差异控制温度的方法。为了实现此目的，本发明提供一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；衬托器，位于所述腔室的内侧以在所述腔室中转动，其中晶片层叠在衬托器上侧；设置在所述腔室内并且向所述晶片喷射气体的气体供应单元；设置在所述衬托器内并且加热所述晶片的加热器；以及位于所述腔室中并且测量温度的温度传感器。所述温度控制方法包括步骤：(a)基于所述温度传感器的测量值计算所述衬托器的温度分布，并且，将所述温度分布的相对高温段划分为衬托器段，将所述温度分布的相对低温段划分为晶片段；以及(b)通过将预设参考温度与在所述衬托器段或所述晶片段的选定位置的温度进行比较来控制加热器。
化学沉积设备温度控制方法

[发明专利]基板粘合装置以及基板粘合方法-CN201110255380.X有效
发明人：黄载锡 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板粘合装置以及基板粘合方法，该基板粘合装置包括：腔体；上表面板，其被布置在腔体内部，并且上表面板包括用于粘结上基板的粘结部件、和进行膨胀以使上基板与粘结部件分离的隔膜；下表面板，其被布置在腔体内部，下表面板与上表面板相对，并且下表面板支撑要被粘合到上基板的下基板；升降驱动器，其驱动下表面板上、下移动；以及控制器，控制升降驱动器朝着上表面板移动以对上基板和下基板进行粘合，并且当隔膜膨胀时控制升降驱动器，以使得下表面板的向下移动速度能够逐步变化。因此，当使粘结到粘结卡盘的基板与粘结卡盘分离时，对粘结到粘结卡盘上的上基板的分离速度进行控制以稳定地保持上基板的粘合位置，从而提高了基板的粘合效率。
粘合装置以及方法

[发明专利]基板处理装置的气体供给结构-CN201010613017.6有效
发明人：孙亨圭 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的基板处理装置的气体供给结构，将喷头以四边形环状结构配置在腔室的上部，或者喷头的喷射面为曲面、喷射口形成放射状结构，以便在腔室内更加均匀地喷射工艺气体，从而能够形成均匀的等离子体，可提供提高蚀刻处理性能的效果。
处理装置气体供给结构

[发明专利]基板处理装置的壁面能量损失减少装置-CN201010612970.9无效
发明人：孙亨圭 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的基板处理装置的壁面能量损失减少装置，由于在腔室壁面的隅角部分设置能够使能量损失最小化的电容器以及隅角挡板，因此可使腔室中央部和壁面间的电位差最小化，由此减少腔室的壁面部位的能量损失，不仅能够提高等离子体产生量，还能够生成整体上更加均匀的等离子体，从而可改善工艺效率。
处理装置能量损失减少

[发明专利]具有窗口加热结构的基板处理装置-CN201010612998.2有效
发明人：孙亨圭 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的具有窗口加热结构的基板处理装置中，由于以喷射加热空气的方式加热窗口，因此，能够防止在窗口上堆积腔室内的副产物，具有可提高蚀刻装置可靠性的效果。
具有窗口加热结构处理装置

[发明专利]基板处理装置的导引架-CN201010612922.X有效
发明人：孙亨圭 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及的基板处理装置的导引架，以中央窗口为中心在该中央窗口的周边配置四个周边窗口而构成，因此，能够比较容易地适用于大容量的基板处理装置，确保整个窗口的具有可靠性的支撑结构，并且将多个天线适当地配置在中央窗口和周边窗口上，能够提高工艺性能。
处理装置导引

[发明专利]基板处理装置-CN201010612966.2无效
发明人：孙亨圭 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置在腔室的外部(大气中)和内部(真空环境)分别具备天线，并且腔室外部的天线配置在中央部，腔室内部的天线配置成靠近腔室的墙面侧。因此，能够整体上均匀地形成等离子体，同时能够提高等离子体的密度，具有提高基板处理效率的效果。
处理装置

[发明专利]化学气相沉积装置及其控制方法-CN201010528318.9无效
发明人：陈周 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积(CVD)装置及其控制方法，所述CVD装置包括：腔室；设置在所述腔室内的在其上放置基片的基座；设置在所述基座上方并供给工艺气的工艺气供给单元；设置在所述基座上方并朝向所述基座或基片开口的检测管；安装在所述检测管的一端并通过所述检测管检测所述基座或基片温度的温度检测部件；和将吹扫气注入所述检测管的吹扫气供给单元。使用所述化学气相沉积(CVD)装置及其控制方法，通过注入所述吹扫气可以更为有效地防止吹扫气回流进入所述检测管中。因此，可以扩大所述检测管的出口，使得即使在光学高温计使用数值孔径较低的物镜时，性能也足以进行温度检测。
化学沉积装置及其控制方法

[发明专利]化学气相沉积装置的温度控制方法-CN201010502119.0有效
发明人：洪性在;李弘源;韩锡万;陈周 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供了化学气相沉积装置的温度控制方法。该方法可以准确地了解晶座的表面温度与基板的表面温度之间的差异而无需使用复杂并且昂贵的设备。该方法包括以下步骤：检测顶表面上装载有基板的晶座的旋转状态；测量所述晶座的顶表面的温度；基于检测到的旋转状态和测量出的温度来计算所述晶座的顶表面的温度分布；以及基于计算出的温度分布来控制所述晶座的顶表面的温度。
化学沉积装置温度控制方法

[发明专利]有机金属化学气相沉积装置和方法-CN201010294728.1无效
发明人：陈周 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种有机金属化学气相沉积装置，包括：反应室，在所述反应室中，通过使用第III-V族材料，将氮化物层沉积在衬底上，缓冲室，所述缓冲室连接到反应室，在所述缓冲室中布置有传送机器人，以便将所述衬底传送到反应室中和传送出反应室，气体供应设备，所述气体供应设备被配置为选择性地将氢气、氮气、和氨气中的一种或多种供应到所述缓冲室中，从而当所述缓冲室与所述反应室中的一个连通时，所述缓冲室的气氛与所述反应室的气氛相同；以及设置在所述缓冲室中的加热器。在反应室中，氮化物层沉积在衬底上，并且缓冲室的温度和气体气氛被调节为使得当传送衬底时，可以稳定地保持形成在衬底上的外延层。
有机金属化学沉积装置方法

[发明专利]用于化学气相沉积设备的气体喷射单元-CN201010278401.5有效
发明人：李在珷 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于化学气相沉积设备的气体喷射单元，该气体喷射单元通过使冷却剂流畅流动可以进行均匀地冷却，并且易于制造。该用于化学气相沉积设备的气体喷射单元尤其包括：气体分配壳体；冷却壳体，该冷却壳体位于所述气体分配壳体和执行沉积处理的处理室之间，并形成有用于引入冷却剂的冷却剂入口和用于排放冷却剂的冷却剂出口；处理气体管，该处理气体管的一端通向所述气体分配壳体，该处理气体管的另一端通向所述处理室，该处理气体管贯穿所述冷却壳体；以及第一壁部，该第一壁部位于所述冷却壳体内，并将所述冷却壳体的内部分隔为中央通路和外围通路，该第一壁部形成有使所述中央通路与所述外围通路连通的通孔。
用于化学沉积设备气体喷射单元

[发明专利]化学气相沉积装置以及基板处理装置-CN201010238929.X有效
发明人：李在珷 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积装置，其包括：腔室，构成用于在基板上形成薄膜的处理空间；喷淋头，向上述处理空间喷射工艺气体；腔室盖，开闭上述腔室；铰接部，用于将上述腔室盖的一侧结合在上述腔室上，使得上述腔室盖可转动；夹具部，对上述腔室盖的另一侧施加压力，使上述腔室盖接合在上述腔室上；以及倾斜调节部，在上述夹具部对上述腔室盖的另一侧施加压力的状态下，使上述腔室盖的一侧上升，以此调节上述腔室盖的倾斜。
化学沉积装置以及处理

[发明专利]能够控制反应室内的排放流体流动路径的化学气相沉积装置-CN201010274873.3无效
发明人：韩明宇 -专利权人： 丽佳达普株式会社
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够控制反应室内的排放流体的流动路径的化学气相沉积装置，将所述化学气相沉积装置装配为不必凭借重新设计和重新制造该装置即可控制基座和腔室的内表面之间的气体排放路径的宽度。化学气相沉积装置具有：腔室；位于腔室内部的并且上面能加载基板的基座；向基板注入处理气的喷头；以及引导单元，该引导单元可拆卸地安装在腔室的内部以引导处理气，从而使从喷头注入的处理气通过腔室内形成的腔室孔得以排放。
能够控制反应室内排放流体流动路径化学沉积装置

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