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[发明专利]一种增强低介电材料对TiN硬掩模刻蚀选择性的方法-CN201210449657.7有效
发明人：杜若昕;王兆祥;刘志强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效地增强低介电材料对TiN硬掩模刻蚀选择性的方法，将光刻胶剥离的操作划分为两个步骤，在第一步骤中利用O₂/CO/CO₂的等离子体进行刻蚀，直到接近TiN硬掩模的表面而使该表面不会暴露的位置，在第二步骤中则改用含氮（不含氧）的等离子体进行过刻蚀，将光刻胶等的剩余部分全部去除，使得TiN硬掩模的表面不会被氧化，保证了TiN硬掩模表面的氮含量。因此，在后续利用碳氟化合物的等离子体刻蚀形成沟道时，能够获得稳定的、相比原先使用O₂/CO/CO₂等离子体时相对较慢的刻蚀速率，从而提高低介电材料对TiN硬掩模的选择性，改善沟道刻蚀的效果。
一种增强低介电材料 tin 硬掩模刻蚀选择性方法

[发明专利]降低晶圆漏电流的结构及设置该结构的等离子体处理室-CN201210453203.7有效
发明人：罗伟义;梁洁;丁冬平;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种降低晶圆漏电流的结构，其设置在等离子体处理室，该等离子体处理室包含基座，设置在所述基座表面上的ESC，埋设在该ESC中的直流电极，以及与所述ESC连接的直流供电电源；在该ESC上安装待蚀刻的晶圆；所述降低晶圆漏电流的结构是一个串联连接在所述直流供电电源的输出端和ESC之间的限流阻抗，其阻值大于1MΩ。本发明还提供一种设置有上述降低晶圆漏电流的结构的等离子体处理室。本发明能有效降低等离子体处理室上电时通过晶圆的漏电流尖峰值和上电结束后通过晶圆的漏电流稳态值，使得晶圆在蚀刻过程中受损伤的概率得到明显的减少，从而能够有效提升制成后半导体器件的质量和性能，增加其使用寿命。
降低漏电结构设置等离子体处理

[发明专利]一种等离子反应器及其处理方法-CN201210445691.7有效
发明人：叶如彬;黄智林 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子反应器及其处理方法。上述等离子反应器包括上下相对的电极，其中上电极周围围绕有一个点燃电极，上电极和点燃电极在面向反应腔内处理空间的一面均镀有一层绝缘材料层。在通入反应气体到等离子处理所需气压后点燃电极上连接到高压电源，产生微等离子。随后微等离子体扩散到整个反应内处理空间，反应器进入等离子处理阶段。
一种等离子反应器及其处理方法

[发明专利]一种深硅通孔刻蚀方法-CN201210445649.5有效
发明人：黄秋平;许颂临 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种深孔硅刻蚀方法，将待处理硅片设置在等离子体处理室中，硅片表面包括图形化的掩膜层，通入第一反应气体对硅片进行刻蚀形成具有底切形貌的开口到第一深度。然后进入交替进行刻蚀和侧壁保护的主刻蚀阶段，在完成主刻蚀阶段后形成具有基本垂直侧壁形貌的侧壁。
一种深硅通孔刻蚀方法

[发明专利]反应腔室清洗方法-CN201210422958.0在审
发明人：李俊良;苏兴才;王兆祥;刘志强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： B08B6/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种反应腔室清洗方法，用于清洗等离子体处理工艺使用的反应腔室以及气体喷淋头表面堆积的聚合物，反应腔室下方设有静电卡盘，该方法包括如下步骤：向反应腔室中通入清洗气体；向反应腔室施加射频电源，并向静电卡盘施加一直流电源；其中，射频电源作用于清洗气体而产生等离子体，等离子体与聚合物反应而生成带电离子，直流电源的电压极性与带电离子的电极性相同；抽出反应腔室中的剩余物质。其在清洗过程中，有效避免聚合物在静电卡盘或下电极上的再次沉积，从而清洗效率明显提高，并能节省成本。
反应清洗方法

[发明专利]一种气体喷淋头及制作该气体喷淋头的方法-CN201210419129.7有效
发明人：彭帆;徐朝阳;贺小明;左涛涛 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种气体喷淋头和制作该气体喷淋头的方法，所述的方法包括下列步骤：在一石墨圆盘上设置若干个第一孔径的孔；将所述石墨圆盘放置在一沉积反应器中，在所述石墨圆盘的上下表面以及所述第一小孔内壁沉积一层碳化硅；在完成沉积的所述第一孔径的孔内设置第二孔径的孔，所述第二孔径小于所述第一孔径。通过采用该技术方案，使得石墨圆盘的下表面和进气孔的内壁表面沉积不易被等离子体腐蚀的碳化硅，从而延长气体喷淋头的使用时间同时节省了成本。
一种气体喷淋制作方法

[发明专利]用于等离子处理腔室的气体喷淋头及其涂层形成方法-CN201210421403.4有效
发明人：贺小明;倪图强;张翰廷;徐朝阳;王明方;万磊;杨平 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了用于等离子体处理腔室的气体喷淋头的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积形成。所述涂层的形成包括一物理过程，其将源材料浓缩于气体喷淋头表面，还包括一化学过程，其中等离子体中的活性成份与该浓缩的源材料反应。并且，等离子体中的非反应成份轰击气体喷淋头表面以使所述涂层更紧密。
用于等离子处理气体喷淋及其涂层形成方法

[发明专利]用于半导体装置性能改善的涂层-CN201210421964.4有效
发明人：贺小明;张力;陈星建;倪图强;徐朝阳 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：用于半导体装置性能改善的涂层，等离子体处理腔室具有增强型涂层的气体喷淋头和延伸的下电极。所述延伸的下电极可由聚焦环、覆盖环和等离子体约束环的一个或多个组成。延伸的下电极可利用一个一片式的复合覆盖环制成。所述复合覆盖环可由Al₂O₃制成并具有抗等离子体Y₂O₃涂层。所述等离子体约束环可以包括一流量均衡化离子屏蔽装置，其也可具有抗等离子体涂层。所述延伸电极的抗等离子体涂层可具有配合气体喷淋头的成份。
用于半导体装置性能改善涂层

[发明专利]一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置-CN201210419716.6有效
发明人：徐朝阳;倪图强;许颂临;周宁 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置；所述等离子体处理设备设置有能够密闭的腔室，所述腔室的侧壁顶部设置有环盖；所述腔室的顶部由介电窗构成，所述环盖与所述介电窗之间存在温度差；所述温度隔离装置是设置在所述环盖顶部的隔热圈；所述隔热圈的顶面，与所述介电窗的一部分底面相接触，实现对介电窗的支撑，从而隔绝介电窗与所述环盖之间的导热接触，以阻止热量由所述介电窗向环盖传导，实现减少介电窗中心位置到边缘位置的温度梯度的目的。本发明能够有效提升等离子体处理设备的安全性能。
一种等离子体处理设备及其中的温度隔离装置

[发明专利]静电卡盘加热方法及系统-CN201210422960.8有效
发明人：吴狄;倪图强;左涛涛 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电卡盘加热方法及系统。静电卡盘用于承载晶圆，其包括上下设置的绝缘层和基座，绝缘层中设有一加热器，用于通过对静电卡盘的加热来加热晶圆，基座中设有至少一冷却液流道，用于注入流体调节静电卡盘的温度，该方法包括如下步骤：以加热器将静电卡盘自第一温度加热至第二温度；向冷却液流道注入第一气体，第一气体经冷却液流道放热转化为第一流体，以将静电卡盘自第二温度加热至第三温度。本发明在使静电卡盘快速升温的同时，有效保证其各区域温度的均一性，从而使晶圆各区域温度均一，有利于等离子体刻蚀工艺的进行，提高了晶圆的制成良率。
静电卡盘加热方法系统

[发明专利]用于等离子体处理腔室的静电夹盘组件及制造方法-CN201210421961.0有效
发明人：贺小明;倪图强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于等离子体处理腔室中的静电夹盘的增强型涂层。所述增强型涂层利用等离子体增强型物理气相沉积制成。所述涂层通常是Y₂O₃/Al₂O₃，也可以是其他材料的组合。并且，它可以是多层涂层，以使得一中间涂层利用标准等离子体喷涂形成，一顶层涂层用PEPVD方式形成。整个静电夹盘组件可由涂层“封装”而成。
用于等离子体处理静电组件制造方法

[发明专利]用于等离子体处理腔室内部的部件及制造方法-CN201210421401.5有效
发明人：贺小明;万磊;徐朝阳;杨平;张翰廷 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理腔室的部件的增强型涂层，所述增强型涂层形成于未密封的阳极化处理表面上。在涂层形成之后，对涂覆了涂层的区域执行掩膜，并对剩余的阳极化处理表面进行密封。被阳极化处理的但未被密封的铝的多孔的和粗糙的结构增强了涂层的粘附力。然而，为了防止颗粒污染产生，曝露的阳极处理化表面在涂层形成之后被密封。涂层可为氧化钇，其由等离子体增强型原子沉积技术制造，以形成一致密和光滑的涂层。
用于等离子体处理内部部件制造方法

[发明专利]一种改善通孔侧壁形貌的方法-CN201210393966.7无效
发明人：陶铮;松尾裕史 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种改善通孔侧壁形貌的方法，所述方法为将硅基底放置在一等离子体刻蚀腔内，在所述等离子体刻蚀腔内通入反应气体，所述反应气体包括含氟元素的气体，还包括为COS气体或H2S气体的一种或两种，COS气体或H2S气体产生的碳离子、氧离子、氢离子和硫离子与侧壁硅反应生成碳硅化合物、硅氧化和物、硅硫化合物、硅氢化合物附着在硅通孔的侧壁和底部，形成钝化层。F等离子在大功率条件下垂直轰击底部的钝化层或Si，可以对孔洞底部的Si形成快速刻蚀，而在孔洞的侧壁，F等离子没有垂直方向的动能的作用，F等离子对钝化层的刻蚀速率很慢，因此，在整个刻蚀过程中，横向刻蚀速率慢，具有良好的各向异性的特点。
一种改善侧壁形貌方法

[发明专利]一种半导体处理装置的供气系统-CN201310574531.7在审
发明人：倪图强;魏强 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体处理装置的供气系统，其特征在于，包括：压力调节器，流量控制器，反应腔；压力调节器包括一个输入端接收来自气源的处理气体，还包括一个输出端输出处理气体；流量控制器包括一个输入端接收来自压力调节器的处理气体，还包括一个输出端连接到反应腔；其特征在于，在压力调节器输出端与流量控制器输入端之间还连接有储气腔，所述储气腔内的储气空间大于5立方厘米。通过本发明储气腔的设置可以避免在气体流通瞬间产生过冲。
一种半导体处理装置供气系统

[发明专利]一种等离子处理方法及等离子处理装置-CN201210393470.X有效
发明人：徐蕾;倪图强;席朝晖 -专利权人： 中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子处理装置的等离子处理方法，所述等离子处理装置包括一个反应腔，反应腔内包括一个基座，具有不同射频频率输出的多个射频电源施加射频电场到所述反应腔内，所述多个射频电源中至少一个脉冲射频电源输出具有多个状态，所述处理方法包括：匹配频率获取步骤和脉冲处理步骤，在匹配频率获取步骤中切换脉冲射频电源的输出状态使反应腔具有脉冲处理步骤中会出现的多个阻抗。调节可变频射频电源的输出频率使之与出现的阻抗匹配，存储该调节后的多个输出频率为多个匹配频率，在后续的脉冲处理步骤中以存储的多个匹配频率来之间匹配快速切换的阻抗。
一种等离子处理方法装置