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[发明专利]半导体装置-CN201880069469.7有效
发明人：村濑康裕;芦峰智行;中川博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)以及第二主面(110B)；第一电极(131)，设置在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第一电阻控制层((140)，设置在第一电极(131)之上；布线部(150)，设置在第一电阻控制层(140)之上；以及第二电极(132)，设置在半导体基板(110)的第二主面(110B)侧。第一电阻控制层(140)具备：将第一电极(131)与布线部(150)电连接的第一区域(141)；与第一区域(141)并排且电阻率比第一区域(141)高的第二区域(142)。
半导体装置

[发明专利]CR缓冲元件-CN201980026023.0有效
发明人：芦峰智行;中川博;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：CR缓冲元件(100)具备第一电阻部(110)、第一电容部(120)、第二电阻部(130)以及第二电容部(140)。第一电容部(120)与第一电阻部(110)串联地连接。第二电阻部(130)与第一电阻部(110)和第一电容部(120)串联地连接。第二电容部(140)与第二电阻部(130)并联地连接。CR缓冲元件(100)构成为在第一电容部(120)短路时，第二电阻部(130)断开。
cr 缓冲元件

[发明专利]电子部件、电子电路以及电子部件的制造方法-CN202310048773.6在审
发明人：吉冈由雅;中川博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供的电子部件具备：基板，具有相互对置的第一主面和第二主面，包含硅元素；电容器元件，设置于基板的第一主面侧；以及电感器元件，在基板的上述第一主面上或者第二主面上相对于电容器元件设置在与第一主面正交的方向上，并与电容器元件电连接，电容器元件具有：第一电极部，在第一主面与第二主面之间在与第一主面交叉的方向上延伸，且位于基板侧；第二电极部，在第一主面与第二主面之间在与第一主面交叉的方向延伸，在与第一主面平行的方向上与第一电极部对置；以及介电部，位于第一电极部与第二电极部之间，电感器元件具有：坯体，具有位于与基板相反侧的第三主面，包含磁性材料；电感器布线，设置于坯体内，在与第一主面平行的方向上延伸；以及垂直布线，设置在坯体内，与电感器布线的端部连接且延伸到第三主面，电感器布线的厚度比第二电极部的厚度厚。
电子部件电子电路以及制造方法

[发明专利]电容器及其制造方法-CN201880027665.8有效
发明人：芦峰智行;中川博;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：电容器(100)具备：具有主面(110A)的基材(110)、设置在基材(110)的主面(110A)侧的介电膜(130)、以及设置在介电膜(130)上的电极层(140)，基材(110)具有凹状构造部(112)，在从基材(110)的主面(110A)的法线方向俯视时，该凹状构造部由形成在比与电极层(140)重叠的区域更靠外侧的区域的至少一个凹部构成，介电膜(130)设置在凹状构造部(112)上。
电容器及其制造方法

[发明专利]电容器及其制造方法-CN201980021921.7有效
发明人： 中川博;芦峰智行;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明的电容器(100)具备基板(110)、电介质部(120)以及导电体层(130)。电介质部(120)包括厚膜部(120A)和薄膜部(120B)。厚膜部(120A)在与第一主面(111)垂直的方向上，比电介质部(120)的平均厚度厚。在与第一主面(111)垂直的方向上，薄膜部(120B)比电介质部(120)的平均厚度薄。厚膜部(120A)的相对介电常数比薄膜部(120B)的相对介电常数大。
电容器及其制造方法

[发明专利]制造具有改进的切割特性的半导体结构的方法-CN202180008344.5在审
发明人：弗雷德里克·瓦龙;布里吉特·苏利耶;中川博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：公开了一种制造半导体结构的方法。该方法包括：在晶片上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层；在第二金属层的位于晶片的电路区域上方的第一区域中形成第一多孔结构，并且在第二金属层的位于晶片的切割区域上方的第二区域中形成第二多孔结构，其中，第一多孔结构包括第一组孔，并且其中，第二多孔结构包括第二组孔；在第一多孔结构的第一组孔中形成金属‑绝缘体‑金属叠层；以及蚀刻第二多孔结构的第二组孔蚀刻以暴露硅晶片的切割区域。
制造具有改进切割特性半导体结构方法

[发明专利]电容器-CN201980015302.7有效
发明人：村濑康裕;芦峰智行;中川博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明的电容器(101)具备：基材(1)，具有主表面(1u)，该主表面具有凹凸；电介质膜(20)，覆盖主表面(1u)；以及导电体膜(30)，覆盖电介质膜(20)。电介质膜(20)沿着上述凹凸形成，电介质膜(20)的等效氧化层厚度为600nm以上。
电容器

[发明专利]三维电容性结构及其制造方法-CN202080027445.2在审
发明人：弗雷德里克·瓦龙;朱利安·埃尔萨巴希;中川博;岩地直树;久伊·帕拉特 -专利权人：株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：三维电容性结构(150)可以通过在多孔阳极氧化物的区域(152a)中的孔(151)上方共形地形成电容性堆叠(153至155)来产生。多孔阳极氧化物区域设置在包括抗阳极氧化层和互连层(159)的导电层(158、159)的堆叠上。在孔中，非常接近于孔底部存在具有受限直径(D)的位置(P)。在阳极氧化物的区域(152a)中的第一百分比的孔中，形成电容性堆叠(153至155)的功能部分(F)，以便延伸到孔中，不超过直径受限的位置(P)。可能存在于抗阳极氧化层(159)中的裂纹对电容性结构的特性具有降低的影响。可以容忍抗阳极氧化层(159)的厚度增加，使得整个电容性结构的等效串联电阻能够降低。
三维电容结构及其制造方法

[发明专利]电容器-CN201880013711.9有效
发明人：村濑康裕;芦峰智行;中川博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：电容器(100)具备第一电容器层(101)以及第二电容器层(103)，该第一电容器层(101)具有：设置具有沟槽部的第一沟槽结构(125)的第一基板(110)、第一电极(115)、以及设置在包括第一沟槽结构(125)的沟槽部(126)的区域的第二电极(119)，该第二电容器层(103)具有：第二基板(130)、第三电极(139)、以及第四电极(135)，第一电容器层(101)与第二电容器层(103)被配置为第二电极(119)与第三电极(139)相互相对且电连接。
电容器

[发明专利]半导体装置-CN201880069502.6在审
发明人：芦峰智行;中川博;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域(161)并排且比第一区域(161)电阻率高的第二区域(162)。
半导体装置

[发明专利]电容器-CN201880053659.X在审
发明人：芦峰智行;中川博;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：电容器(1)具有：基材(11)，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面(111)和第2主面(112)；有底的第1沟道部(14a)，其形成于基材(11)的第1主面(111)；第1导体部(14)，其形成于第1沟道部(14a)内；第1外部电极部(12)，其形成于基材(11)的第1主面(111)侧，并与第1导体部(14)连接；有底的第2沟道部(15a)，其形成于基材(11)的第2主面(112)；第2导体部(15)，其形成于第2沟道部(15a)内；以及第2外部电极部(13)，其形成于基材(11)的第2主面(112)侧，并与第2导体部(15)连接，第1沟道部(14a)与第2沟道部(15a)重叠。
电容器

[发明专利]电容器-CN201880048977.7在审
发明人： 中川博;芦峰智行;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。
电容器

[发明专利]电容器-CN201780030858.4在审
发明人：竹内雅树;西山茂纪;中川博;后藤觉;中村吉成 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：在使用了沟道式电容器的电力用半导体中能够抑制因沿面放电引起的装置破坏。该电容器具备：基板；电容器形成区域，其在基板设置有一个以上的沟道；虚设区域，其在基板上位于电容器形成区域与该基板的端部之间；第一电极以及介电膜，它们至少覆盖电容器形成区域，且设置于一个以上的沟道的内部；第二电极，其覆盖电容器形成区域，电位与第一电极不同；以及延长部，其形成于虚设区域，在从第二电极起至基板的端部为止的路径相对于基板形成凹或凸。
基板电容器电容器形成区域覆盖电容器第二电极第一电极虚设区域沟道电位沟道式电容器基板设置沿面放电介电膜半导体

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201210444176.7无效
发明人： 中川博;高田繁;田中保 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，提高了半导体器件的制造效率。将电耦合半导体芯片的多个外部端子(引线)与多个端子(测试端子)的接触区彼此分别接触。这在半导体芯片和测试电路之间建立电耦合。因此执行电测试。本文中的端子在多个半导体器件的电测试中将被重复使用。而端子的接触区包括由第一合金形成的芯材以及覆盖芯材的金属膜。此外，金属膜由硬度高于第一合金的第二合金形成。
半导体器件制造方法

[发明专利]带传感器结构的消融装置-CN200580011553.6无效
发明人： R·沃恩金;E·荣格;中川博;R·C·帕切科 -专利权人：普罗里森姆股份有限公司
申请日： 2005-04-19 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： A61B18/18 文献下载
摘要：一种心脏消融设备包括可转向导管(10)以及在该导管远端处结合有一个或多个球囊(20，22)的可扩张消融装置(18)，并且具有从导管近端延伸通过其自身并到达可扩张消融装置远侧的连续通路(28，30)。载有电极的探针(72)通过该通路被引入，并由其自身的回弹力展开至结合有与可扩张消融装置轴自动对齐的环(82)的结构，使得放置传感器探针所需要的操作最少。
传感器结构消融装置

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