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[发明专利]一种高精度电流检测方法及其芯片模组-CN202210571509.6有效
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度电流检测方法及其芯片模组，高精度电流检测方法包括至少两个保护开关，在至少一个保护开关上并联设置采样桥臂，采样桥臂包括串联连接的至少一个电流采样开关和至少一个信号处理单元，电流采样开关至少为相互并联的两个和/或对应的保护开关至少为相互并联的两个；电流采样开关使用镜像电流法获取电流采样信号Is；信号处理单元根据电流采样信号Is生成保护开关电流信号Ip。采用本发明所公开的高精度电流检测方法，信噪比得到进一步提升，对运放的需求也会有所降低，同时也提升了采样精度。在大电流工况下也可以在满足采样精度的情况下降低导通损耗，又可以降低系统成本。
一种高精度电流检测方法及其芯片模组

[发明专利]一种晶圆级功率模组及其制作方法-CN202310626027.0在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级功率模组及其制作方法，包括晶片和被动元件，晶片包括一晶片功能区，晶片功能区位于晶片的第一表面；被动元件包括至少一功率引脚，被动元件堆叠于晶片的第二表面上，晶片功能区通过一导电通路从晶片的第一表面电性连接至晶片的第二表面，并与被动元件的功率引脚电性连接；导电通路依附于晶片。本发明直接在晶片上连接一被动元件，相比现有技术，该晶片未经过埋入工序，省去了晶片封装带来的高度尺寸的浪费，本发明省去了嵌埋晶片封装的尺寸，使得除被动元件之外的厚度降低了至少50％；本发明对晶圆进行切割形成功率模组，功率模组的平面尺寸与晶圆切割后的晶片平面尺寸相同，省去了埋入工序带来的平面尺寸的浪费。
一种晶圆级功率模组及其制作方法

[发明专利]一种电源变换器、内埋集成器件单元、高散热高频功率模组及其制作方法-CN202310555038.4在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高散热高频功率模组及其制作方法，包括：嵌入式电路板、至少一个高频电容和绝缘导热材料，至少两个半导体功率器件的功率电极串联连接，以形成至少一功率变换桥臂；嵌入式电路板表面引出的半导体功率器件的功率电极布线与半导体功率器件投影重叠的面积相对半导体功率器件的面积比超过60％；功率变换桥臂就近与高频电容并联连接，以实现低回路电感互联。本发明可以实现高频大电流特性，具有单面高散热能力以及近乎理想的双面高散热能力。由于本发明极佳的回路处理，由两个每10平方毫米半导体功率器件组成的桥臂回路电感有机会小于2nH甚至1nH以下，适合频率MHz需求，远高于当下低于100KHz的主流频率。
一种电源变换器集成器件单元散热高频功率模组及其制作方法

[发明专利]一种高频大功率封装模组、模组的制作方法及混合基板-CN202310266865.1在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频大功率封装模组、模组的制作方法及混合基板，包括至少一个功率变换桥臂、至少一个高频电容、电路层、绝缘导热板以及塑封体，半导体功率器件的正面与电路层的第一表面电连接，半导体功率器件的背面与绝缘导热板的下表面热连接或电热连接，高频电容与电路层的第一表面或电路层的第二表面或绝缘导热板的下表面电连接，高频电容的至少一个电极通过内层电连接层与至少一个半导体功率器件的至少一个电极电连接。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，充分发挥了第三代半导体的优势，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频大功率封装模组制作方法混合

[发明专利]一种高频高功率密度模块电源、并联组合、制作方法及软硬结合组件-CN202310464146.0在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频高功率密度模块电源及其制作方法，包括一载体元件，载体元件的至少一个表面具有表面功率引脚；一软硬结合组件，软硬结合组件包括至少一硬质部分及至少一柔质部分，至少一硬质部分包括功率半导体组件，硬质部分与柔质部分电性连接；软硬结合组件至少有一处与载体元件的表面功率引脚电性连接；软硬结合组件以载体元件的表面为载体进行折弯，折弯处为柔质部分；硬质部分和柔质部分通过同一柔性部件互连而成，至少一硬质部分和/或柔性部件具有至少一功率引脚。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频功率密度模块电源并联组合制作方法软硬结合组件

[发明专利]一种高频大功率封装模组及其制作方法-CN202210822506.5在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司;上海晓本技术服务有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频大功率封装模组及其制作方法，包括至少一个功率变换桥臂、至少一个高频电容、多层线路板、绝缘导热板以及塑封体，半导体功率器件的正面与多层线路板的第一表面电连接，半导体功率器件的背面与绝缘导热板的下表面热连接或电热连接，高频电容与多层线路板的第一表面或多层线路板的第二表面或绝缘导热板的下表面电连接，高频电容的至少一个电极通过内层电连接层与至少一个半导体功率器件的至少一个电极电连接。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，充分发挥了第三代半导体的优势，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频大功率封装模组及其制作方法

[发明专利]一种表面设置有金属凸点结构的载板的制作方法及其应用-CN202210499059.4在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面设置有金属凸点结构的载板的制作方法及其应用，包括载板及芯片；载板包括载板上表面、内层电连接层、载板下表面及垂直电连接通路，载板上表面设置有布线层，布线层上设置有金属凸点结构；芯片倒装焊接在金属凸点结构上，芯片的至少一个电极与金属凸点结构电连接。本发明提供了一种表面设置有金属凸点结构的载板，以减少系统集成时对多个芯片表面进行处理带来的高成本、长开发周期的缺点。而且，由于金属凸块结构和基板的膨胀系数的匹配性远高于芯片和金属凸块结构的匹配性，由此可以进一步提高凸块面积及密度，可以进一步降低连接阻抗，及寄生电感，从而降低系统损耗，提高器件可靠性。
一种表面设置金属结构制作方法及其应用

[发明专利]一种双面散热高频大功率模组及其制作方法-CN202210544881.8在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热高频大功率模组及其制作方法，包括：嵌入式电路板、至少一个高频电容和绝缘导热材料，至少两个半导体功率器件的功率电极串联连接，以形成至少一功率变换桥臂；嵌入式电路板表面引出的半导体功率器件的功率电极布线与半导体功率器件投影重叠的面积相对半导体功率器件的面积比超过60％；功率变换桥臂就近与高频电容并联连接，以实现低回路电感互联。本发明可以实现高频大电流特性以及近乎理想的双面散热能力。由于本发明极佳的回路处理，由两个每10平方毫米半导体功率器件组成的桥臂回路电感有机会小于2nH甚至1nH以下，适合频率MHZ需求，远高于当下低于100KHZ的主流频率。
一种双面散热高频大功率模组及其制作方法

[发明专利]一种高频高功率密度模块电源及其制作方法-CN202210483027.5在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频高功率密度模块电源及其制作方法，包括一载体元件，载体元件的至少一个表面具有表面功率引脚；一软硬结合组件，软硬结合组件包括至少一硬质部分及至少一柔质部分，至少一硬质部分包括功率半导体组件，硬质部分与柔质部分电性连接；软硬结合组件至少有一处与载体元件的表面功率引脚电性连接；软硬结合组件以载体元件的表面为载体进行折弯，折弯处为柔质部分；硬质部分和柔质部分通过同一柔性部件互连而成，至少一硬质部分和/或柔性部件具有至少一功率引脚。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频功率密度模块电源及其制作方法

[发明专利]一种晶圆级功率模组及其制作方法-CN202210612515.1在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级功率模组及其制作方法，包括晶片和被动元件，晶片包括一晶片功能区，晶片功能区位于晶片的第一表面；被动元件包括至少一功率引脚，被动元件堆叠于晶片的第二表面上，晶片功能区通过一导电通路从晶片的第一表面电性连接至晶片的第二表面，并与被动元件的功率引脚电性连接；导电通路依附于晶片。本发明直接在晶片上连接一被动元件，相比现有技术，该晶片未经过埋入工序，省去了晶片封装带来的高度尺寸的浪费，本发明省去了嵌埋晶片封装的尺寸，使得除被动元件之外的厚度降低了至少50％；本发明对晶圆进行切割形成功率模组，功率模组的平面尺寸与晶圆切割后的晶片平面尺寸相同，省去了埋入工序带来的平面尺寸的浪费。
一种晶圆级功率模组及其制作方法

[实用新型]一种高效率堆叠电源模块结构-CN202221036862.6有效
发明人：李亚宇;曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-04 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效率堆叠电源模块结构，包括一基板、至少一第一元件和至少一第二元件；基板的上表面设置第一元件，第二元件设置于基板与第一元件之间的间隙区域内，第一元件的侧面具有侧面引脚，第一元件与第二元件的上表面通过胶合固定连接，和/或，第一元件与基板的上表面通过胶合固定连接，侧面引脚与第一元件内部的至少一导电结构一体成型。本实用新型通过引脚压扁直接引出的方式形成一体成型的侧面引脚，减少了一道制作流程，并且通过胶合固定连接解决了第一元件采用引脚压扁直接引出时产生的放置失稳的问题，从而降低了模组的损耗，提高了电源模块的功率密度，能够满足在大电流的工作场合下的应用需求。
一种高效率堆叠电源模块结构

[发明专利]一种低高度高空间利用率的绕组结构及其应用-CN202210493801.0在审
发明人：曾剑鸿;陈庆东;黄娇平;辛晓妮 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司
申请日： 2022-05-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种低高度高空间利用率的绕组结构，包括：一绕组，绕组由多匝绕线单元绕制而成；一窗口，窗口形成于绕组的中心；绕线单元的横截面的包络外形具有包络外形长边及包络外形短边，包络外形长边与包络外形短边的比值为n；其中，n≥2；绕线单元包括竖直绕线单元和水平绕线单元；竖直绕线单元为紧邻窗口的一匝绕线单元，竖直绕线单元的包络外形长边沿窗口的轴线方向设置；绕组中的其他匝绕线单元均为水平绕线单元，水平绕线单元的包络外形长边方向沿窗口的径向方向设置。本发明在保证绕组具有较低绕组阻抗的同时，还可以实现较低的绕组厚度，以及较高的磁芯窗口填充率，为进一步降低电源转换器的空间尤其是高度提供了有力支撑。
一种高度空间利用率绕组结构及其应用

[发明专利]一种DC-DC变换器的控制方法及其控制芯片模组-CN202210509557.2在审
发明人：陆城;辛晓妮;李亚宇;黄娇平 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司;OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种DC‑DC变换器的控制方法及其控制芯片模组，所述控制方法包括根据Ts[k‑1]计算当前开关周期的T2crm[k]，计算当前开关周期的Tu[k]，确定当前开关周期采用的模式，计算T1[k]、T2[k]、Ts[k]，获取复位信号以及调制PWM信号。所述控制芯片模组包括控制算法组件、比较器和PWM调制组件。本发明在不管是升压还是降压工况，均能降低损耗，提高了转换效率，节省了硬件成本并进一步提高了变换器的转换效率，即便在轻载下，也可以实现高精度采样，可以选择更小的采样电阻。
一种 dc 变换器控制方法及其芯片模组

[发明专利]一种DC-DC变换器模组-CN202210510505.7在审
发明人：叶浩屹;陆城;辛晓妮;曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司;OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种DC‑DC变换器模组，包括Buck电路网络、Boost电路网络、电感及采样电阻；所述Buck电路网络包括Buck桥臂、输入电容、电压输入正极端口和电压输入接地端口；所述Boost电路网络包括Boost桥臂、输出电容、电压输出正极端口和电压输出接地端口；所述电感的两端分别与Buck桥臂的PWM电压端口和Boost桥臂的PWM电压端口电连接；所述采样电阻的两端分别与电压输入接地端口、电压输出接地端口电连接。本发明在节约成本的同时，实现高精度、低损耗、简单实用的全电流信息采样，为变换器ZVS控制、逐周期过流保护、输出和/或输入电流估计提供了基本条件。
一种 dc 变换器模组

[发明专利]一种高频大功率封装模组及其制作方法-CN202210274148.9在审
发明人：曾剑鸿 -专利权人： 上海沛塬电子有限公司;上海晓本技术服务有限公司
申请日： 2022-03-20 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频大功率封装模组及其制作方法，包括至少一个功率变换桥臂、至少一个高频电容、多层线路板、绝缘导热板以及塑封体，半导体功率器件的正面与多层线路板的第一表面电连接，半导体功率器件的背面与绝缘导热板的下表面热连接或电热连接，高频电容与多层线路板的第一表面或多层线路板的第二表面或绝缘导热板的下表面电连接，高频电容的至少一个电极通过内层电连接层与至少一个半导体功率器件的至少一个电极电连接。本发明保障散热能力的同时，大幅减小了回路电感，使得大功率高频得以实现，充分发挥了第三代半导体的优势，并为其性能的更新换代提供了应用基础。
一种高频大功率封装模组及其制作方法

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