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[发明专利]半导体存储器件和包括其的存储器系统-CN202110823760.2在审
发明人：金雄来;洪德和;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请公开了半导体存储器件和包括其的存储器系统。一种存储器系统，包括：存储器控制器，适于在激活命令的输入次数达到特定数量时生成正常刷新命令和目标刷新命令，以及提供激活命令、正常刷新命令、目标刷新命令和地址；以及存储器件，包括多个存储体并且适于：响应于目标刷新命令而对至少一个存储体的一个或更多个字线执行目标刷新操作，通过在周期性间隔内基于地址而对每个存储体的目标刷新命令的输入次数进行计数来确定每个存储体的行锤击风险级别，以及响应于正常刷新命令而执行与每个存储体的行锤击风险级别相对应的隐藏刷新操作。
半导体存储器件包括存储器系统

[发明专利]用于执行目标刷新操作的装置和方法-CN202111521854.0在审
发明人：金雄来;金贵东;郑喆文;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器件及其操作方法。一种半导体存储器件包括：第一储存逻辑，其被配置成将在参考信号的使能时段期间施加的输入地址之中的具有不同值的“K”个地址储存作为第一地址；第二储存逻辑，其被配置成将输入地址之中的与参考信号的使能时段结束的时间点相对应的“L”个地址储存作为第二地址；顺序控制器，其被配置成基于第一地址中的每个第一地址被重复输入的次数来确定第一地址中的每个第一地址的第一输出顺序，并且确定用于输出混合地址的第二输出顺序，该混合地址是通过将基于第一输出顺序的第一地址与第二地址混合在一起而获得的；以及刷新操作逻辑，其被配置成将根据第二输出顺序的混合地址应用于目标刷新操作。
用于执行目标刷新操作装置方法

[发明专利]存储器件、包括存储器件的存储系统及其操作方法-CN201711317506.5有效
发明人：李宇荣;洪德和;金正贤;车载熏;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：一种存储器件可以包括：第一锁存部分和第二锁存部分，其被配置为分别储存目标地址和最新输入地址；比较单元，其被配置为将输入地址与分别储存在第一锁存部分和第二锁存部分中的目标地址和最新输入地址进行比较，并输出结果信号；计数部分，其被配置为响应于结果信号来增加与储存在第二锁存部分中的最新地址相对应的计数；以及控制单元，其被配置为响应于结果信号来检查计数部分的计数并将输入地址更新到第二锁存部分。
存储器件包括存储系统及其操作方法

[发明专利]半导体存储器件及其操作方法-CN202010894032.6在审
发明人：朱鲁根;林重昊;崔炳赞;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：单元阵列，其包括多个字线；多个地址存储电路，所述多个地址存储电路中的每一个适用于将采样地址存储为锁存地址，并且存储有效位和有效锁定位，所述有效位指示所述锁存地址是否有效，所述有效锁定位指示所述锁存地址是否被访问多于确定的次数，所述多个地址存储电路中的每一个还适用于根据所述有效位和所述有效锁定位将所述锁存地址输出为目标地址；以及行控制电路，其适用于响应于刷新命令而基于所述目标地址刷新一个或更多个字线。
半导体存储器件及其操作方法

[发明专利]存储系统-CN202010396011.1在审
发明人：崔准佑;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种存储系统，包括共享从存储器控制器接收到的公共地址的第一存储器和第二存储器，其中，第一存储器包括适用于对公共地址进行加扰以生成指定第一存储器中要被激活的字线的第一加扰地址的第一加扰电路；第二存储器包括适用于对公共地址进行加扰以生成指定第二存储器中要被激活的字线的第二加扰地址的第二加扰电路；以及第一加扰电路和第二加扰电路以如下的方式执行加扰操作：通过第二公共地址而非第一公共地址来在第一存储器和第二存储器之中的最多一个存储器中选择与由第一公共地址选择的字线相邻的相邻字线。
存储系统

[发明专利]一种MOS管的工艺角检测方法-CN201710106247.5有效
发明人： 黄正太;杨家奇;黄正乙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种MOS管的工艺角检测方法，所述工艺角检测方法包括：提供环形振荡器，所述环形振荡器包括奇数个串联成环的振荡单元，其中一个振荡单元的输出端作为所述环形振荡器的输出端，并输出振荡信号，其中，每一个所述振荡单元基于PMOS管和NMOS管构建；测量所述振荡信号的周期，以及所述振荡信号在每个周期内高电平和低电平的维持时间；根据所述振荡信号的周期，以及所述振荡信号在每个周期内高电平和低电平的维持时间，确定所述振荡单元中PMOS管和NMOS管的工艺角。本发明可以改善MOS管的工艺角检测的完备性。
一种 mos 工艺检测方法

[发明专利]静态随机存取存储器阵列的供电控制电路-CN201710622991.0有效
发明人：黄正乙;杨家奇;罗冬祥;黄正太 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器SRAM阵列的供电控制电路，该供电控制电路包括：SRAM测试单元，SRAM测试单元的结构与SRAM阵列一个基本单元的结构相同；开关装置，分别与电源、SRAM测试单元和SRAM阵列连接；开关控制电路，分别与SRAM测试单元和开关装置连接，在SRAM测试单元的测试电压小于预定电压的情况下，控制开关装置导通，使得电源为SRAM阵列和SRAM测试单元充电。本发明通过监测SRAM测试单元的漏电电流的方式，来监测SRAM阵列的漏电电流，控制开关装置导通，为SRAM阵列充电。本发明上述实施例的SRAM阵列供电控制电路输出电压稳定，不受温度等环境因素影响；本发明上述实施例可直接适应温度、压降以及环境造成变化，提前进行电压恢复。
静态随机存取存储器阵列供电控制电路

[发明专利]存储模块、其操作方法、存储系统以及其操作方法-CN201911257474.3在审
发明人：金雄来;李相权;金正贤;朴钟现;孙钟浩;黄美显;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：一种存储模块，包括：多个存储器，其中，每个存储器包括适用于储存加密密钥的加密密钥储存电路；地址加密电路，适用于通过使用储存在加密密钥储存电路中的加密密钥对从存储器控制器传送来的地址进行加密来产生加密地址；以及单元阵列，其通过加密地址来访问，其中，多个存储器的加密密钥储存电路储存不同的加密密钥。
存储模块操作方法存储系统及其

[发明专利]半导体器件和包括它的半导体系统-CN201610375207.6有效
发明人：玄相娥;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种半导体系统包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件输出命令、测试地址、地址和预充电信号。第二半导体器件在读取操作或写入操作之后根据命令的组合进入自动预充电操作，并且接收测试地址和预充电信号以对通过地址从多个存储体选中的一个存储体执行自动预充电操作。
半导体器件包括半导体系统

[发明专利]集成电路和存储器件-CN201610805880.9有效
发明人：具滋凡;黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：一种集成电路可以包括：非易失性存储器，适用于在启动操作期间输出储存的数据；一个或更多个寄存器，适用于在执行启动操作时接收由非易失性存储器输出的数据并且储存接收到的数据；以及一个或更多个内电路，适用于使用储存在一个或更多个寄存器中的数据而操作。在不更新模式下，尽管执行启动操作，也不会执行从非易失性存储器至寄存器的数据更新。
集成电路存储器件

[发明专利]供电电路、生成方法和控制方法-CN201710514058.1有效
发明人：杨家奇;黄正乙;邓志兵;黄正太;翁文君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提出一种供电电路、生成方法和控制方法，涉及智能穿戴技术领域。其中，本发明的一种供电电路包括：带隙基准电压源Bandgap；实时检测控制模块；和替代电压源模块；其中，实时检测控制模块与Bandgap和替代电压源模块连接，根据Bandgap的输出电压调整替代电压源模块的输出点电压；当替代电压源模块的输出点电压与Bandgap的输出电压相同时，关闭Bandgap，采用替代电压源模块供电。这样的供电电路能够根据Bandgap的输出电压校准替代电压源模块的输出点电压并替代供电，而Bandgap在完成电压校准后无需保持供电状态，从而实现了在提供稳定电压的基础上减少Bandgap的耗电量。
供电电路生成方法控制

[发明专利]用于测试模拟信号的系统-CN201610356701.8有效
发明人：杨家奇;王克涛;郑荣乐;黄正太;黄正乙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明提供一种用于测试模拟信号的系统，所述系统包括参考信号生成装置、多个比较装置以及存储装置，其中，所述参考信号生成装置用于生成参考信号；所述比较装置的数量与待测信号的数量相同，每个比较装置分别用于将一个待测信号与所述参考信号进行比较并生成比较结果信号；以及所述存储装置用于存储基于所述比较结果信号的测量结果并串行输出所述测量结果。本发明所提供的用于测试模拟信号的系统可以同时测量多个待测信号，减少测试时间，并且由于采用存储装置存储并串行输出测量结果，因此能够减少测试操作所需的焊盘，从而降低测试操作的复杂性。
用于测试模拟信号系统

[发明专利]PUF特征值的生成方法和具有PUF的器件-CN201710333172.4有效
发明人： 黄正太;杨家奇;黄正乙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：一种PUF特征值的生成方法和具有PUF的器件，其中，所述PUF特征值的生成方法包括：提供器件，所述器件包括第一频率产生电路和N个第二频率产生电路，N为正整数，所述第一频率产生电路生成的第一信号的频率不随工艺因素的变化而变化，所述N个第二频率产生电路生成的第二信号的频率随工艺因素的变化而变化；利用所述第一信号对所述N个第二信号的频率进行检测，以确定每一第二信号的检测结果；根据所述N个第二信号的检测结果生成PUF特征值。采用本发明技术方案可以使得器件在生成PUF特征值时具有较高的隐蔽性。
puf 特征值生成方法具有器件

[发明专利]半导体集成电路器件及驱动其的方法-CN201510627477.7有效
发明人： 黄正太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：公开了一种具有用于检测半导体器件的退化的功能的半导体集成电路器件及驱动其的方法。半导体集成电路器件包括：NMOS晶体管，电耦接到PMOS晶体管且被配置为与PMOS晶体管一起构成反相器；第一应力施加单元，电耦接到PMOS晶体管，且被配置为施加应力到PMOS晶体管；以及第二应力施加单元，电耦接到NMOS晶体管，且被配置为施加应力到NMOS晶体管。
半导体集成电路器件驱动方法

[发明专利]电压发生单元的检测电路及检测方法-CN201610407316.1有效
发明人：杨家奇;邓志兵;黄正乙;黄正太;翁文君 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种电压发生单元的检测电路及检测方法，检测电路包括：可控电压源，适于生成可变电压；第一分压电路，其分压节点耦接电压发生单元的输出端，其输入端耦接可控电压源的输出端；和第一分压电路内部电路结构相同的第二分压电路，其输入端耦接可控电压源的输出端；检测方法包括：控制可控电压源在第一和第二分压电路的输入端分别施加可变电压，并分别检测流经二者输入端的电流，以分别得到第一和第二电压电流关系；确定第一和第二电压电流关系的交叉点；根据第二分压电路的内部电路结构确定第二分压电路的分压关系，根据分压关系和交叉点的电压计算得到电压发生单元的输出端的电压。本发明可以检测弱驱动能力的电压发生单元输出的电压，有普适性。
电压发生单元检测电路方法

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