[发明专利]存储模块、其操作方法、存储系统以及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201911257474.3 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN111916132A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 金雄来;李相权;金正贤;朴钟现;孙钟浩;黄美显;黄正太 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/22 分类号: G11C16/22;G11C8/20
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种存储模块,包括:多个存储器,其中,每个存储器包括适用于储存加密密钥的加密密钥储存电路;地址加密电路,适用于通过使用储存在加密密钥储存电路中的加密密钥对从存储器控制器传送来的地址进行加密来产生加密地址;以及单元阵列,其通过加密地址来访问,其中,多个存储器的加密密钥储存电路储存不同的加密密钥。
搜索关键词: 存储 模块 操作方法 存储系统 及其
【主权项】:
暂无信息
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  • 洪亮;胡晓明;李向阳 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-03-11 - 2022-06-24 - G11C16/22
  • 本发明提供一种用于防止Flash存储器误擦写的保护电路,包括使能信号闸,用于接收使能信号、高压使能信号和高压配置信号,并产生内部使能信号以及内部高压配置信号;状态控制器,用于接收内部使能信号,之后产生第一、二状态信号;状态验证器,用于接收内部使能信号以及第一、二状态信号,并判断第一、第二信号的电平是否一致,若一致则发出高压状态信号;控制信号解码器,用于接收使能信号、第二状态信号和高压状态信号,控制解码器接收到高压状态信号后,则向Flash存储器的内部模块发送使能状态的高压控制信号。本发明的使能信号闸在芯片未复位或受到干扰情况下减少受到的干扰程度;避免对Flash内部的误擦写动作。
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