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[发明专利]一种循环印刷式集成电路制备方法-CN202311189724.0在审
发明人：管方圆;单欣;黄意雅;徐秀兰;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请属于集成电路制备技术领域，公开了一种循环印刷式集成电路制备方法，包括步骤：把待制备的芯片电路分解为多个子电路，记为实际子电路；根据所述实际子电路匹配出对应的标准子电路；选用与各所述标准子电路对应的标准压印滚轮，依次在半导体晶圆表面的介电层上滚压出对应各所述标准子电路的子电路凹槽，以组成所述待制备的芯片电路的整体电路凹槽；所述标准压印滚轮的周面上设置有与对应标准子电路匹配的微纳凸起；在所述整体电路凹槽中填充金属，得到芯片电路；从而能够降低芯片电路制备成本并提高总体生产效率。
一种循环印刷集成电路制备方法

[发明专利]一种FeCoCr磁码盘薄膜材料及其制备方法-CN202111327639.7有效
发明人：徐秀兰;于广华;张辉;黄意雅;郭奇勋;朱冠伦;任宏宇 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
一种 fecocr 磁码盘薄膜材料及其制备方法

[发明专利]编码器转速波动性测试系统及方法-CN202111417615.0有效
发明人：张辉;刘忠诚;徐秀兰;黄意雅;朱冠伦;任宏宇;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明涉及编码器测试技术领域，公开了一种编码器转速波动性测试系统及方法。该系统包括：伺服驱动器、伺服电机、待测编码器、差分转单端模块、数据采集卡、测试装置；所述待测编码器安装在所述伺服电机上；所述待测编码器与所述差分转单端模块信号连接；所述数据采集卡分别与所述差分转单端模块、所述测试装置信号连接；所述测试装置用于基于所述待测编码器产生的脉冲信号，对所述待测编码器进行转速波动性测试。本发明提供的编码器转速波动性测试系统，结构简单、操作方便，显著降低了编码器转速波动性测试的成本。
编码器转速波动性测试系统方法

[发明专利]一种柔轮用特殊钢及其制备工艺-CN202210529639.3有效
发明人：郭奇勋;于广华;王学敏;滕蛟;黄意雅;徐秀兰;朱冠伦;任宏宇;何强 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种柔轮用特殊钢及其制备工艺，所述柔轮用特殊钢采用中碳高强度特殊钢制成，所述中碳高强度特殊钢的化学成分按质量百分含量包括：C：0.38％‑0.40％、Si：0.15％‑0.25％、Mn：1.0％‑1.20％、Cr：0.8％‑2.20％、Ni：0.5％‑0.8％、Mo：0.20％‑0.25％、B：0.0005％‑0.0010％、Sn：0.01‑0.02％、P≤0.012％、S≤0.005％、Cu：0.30％‑0.40％，余量为Fe及不可避免的杂质。本申请解决了现有技术柔轮材料的耐候性较差的技术问题。
一种柔轮用特殊及其制备工艺

[发明专利]一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法及铁磁/氧化物多层膜-CN202110538469.0有效
发明人：徐秀兰;黄意雅;张辉;江勇;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗，在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta，从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系，在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理，重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜，本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的，可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化，获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态，从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用，导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性，上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。
一种氧化物多层制备方法

[发明专利]磁阻元件、各向异性磁阻传感器及其制备方法和磁栅尺-CN202211268100.3在审
发明人：单欣;张辉;黄意雅;任宏宇;徐秀兰;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁阻元件、各向异性磁阻传感器及其制备方法和磁栅尺。本发明的磁阻元件，两端磁阻条长度较小、中间磁阻条长度较大，根据磁阻条的长宽比与退磁场的规律，磁阻条厚度一定时，长宽比越大，退磁场越大，即当磁阻条厚度与宽度一定时，长度越大，退磁场越大，因此，本发明的磁阻元件结构中两端磁阻条较短，中间磁阻条较长的类椭圆设计，可以有效改善AMR元件中沿宽度方向退磁场分布不均匀的问题；将本发明的磁阻元件应用于AMR磁阻传感器中，可使AMR磁阻传感器输出特性曲线的饱和场变小，从而提高磁阻传感器的输出信号。
磁阻元件各向异性传感器及其制备方法磁栅尺

[发明专利]一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器-CN202210916550.2在审
发明人： 黄意雅;张辉;单欣;朱冠伦;任宏宇;徐秀兰;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。
一种传感器芯片及其制备方法以及编码器

[发明专利]一种快速装夹装置-CN202210641215.6在审
发明人：何强;朱冠伦;徐秀兰;郭奇勋;任宏宇;黄意雅;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及工业工程技术领域，公开了一种快速装夹装置。快速装夹装置包括底座、安装结构、转动结构、第一复位弹性件和多个夹紧件，安装结构设置于底座上，安装结构对应设有多个径向滑槽；转动结构转动设置于安装结构上，位于安装结构和底座之间，转动结构对应多个径向滑槽设有多个偏心滑槽，偏心滑槽与径向滑槽在同一投影面上呈预设夹角设置；第一复位弹性件的一端设置于安装结构上，另一端设置于转动结构上；各夹紧件分别穿过径向滑槽并对应滑动设置于偏心滑槽上；在装夹工件时，转动转动结构带动夹紧件做径向远离圆心运动，松开转动结构，第一复位弹性件复位，带动夹紧件做径向靠近圆心运动快速将工件夹紧。装夹时间短、效率和通用性高。
一种快速装置

[实用新型]一种新型高精度绝对值磁码盘结构及磁编码器-CN202221324399.5有效
发明人：于广华;徐秀兰;何强;张辉;黄意雅 -专利权人：广东麦格智芯精密仪器有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01D5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高精度绝对值磁码盘结构及磁编码器，所述新型高精度绝对值磁码盘结构包括从内向外依次排列的第一磁道、第二磁道和第三磁道，所述第一磁道和所述第二磁道之间通过第一沟槽隔开，所述第二磁道和所述第三磁道之间通过第二沟槽隔开；其中，所述第一磁道写入31对磁信号，所述第二磁道写入32对磁信号，或者，所述第一磁道写入63对磁信号，所述第二磁道写入64对磁信号，所述第三磁道写入比所述第一磁道及所述第二磁道更多对磁信号。此外，所述第三磁道的磁极间距要比所述第一磁道及所述第二磁道的磁极间距小，这种结构及信号写入方式的磁码盘可适用于高分辨高精度伺服电机用磁编码器应用场合。
一种新型高精度绝对值盘结编码器

[发明专利]一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法-CN202110642910.X有效
发明人： 黄意雅;郭奇勋;滕蛟;徐秀兰;张辉;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，属于发光材料制备及应用技术领域，包括如下步骤：S1.清洁并干燥基片后，将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内；S2.室温下，利用磁控多靶共溅射法，将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜；S3.共溅射结束后，原位溅射生长一层Al膜作为保护层；S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中，退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到，工艺简单，可操作性更强；能够最大限度地节约时间成本，使效率最大化，适用于大批量生产；无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏；降低了设备成本，有利于工业化生产。
一种磁性拓扑绝缘体 mnbi2te4 薄膜制备方法

[发明专利]磁编码器倍频处理系统及倍频处理方法-CN202210258819.2在审
发明人：朱冠伦;曾庆明;张辉;任宏宇;何强;江勇;徐秀兰;郭奇勋;黄意雅;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明涉及编码器技术领域，公开了一种磁编码器倍频处理系统及倍频处理方法。该系统包括：磁传感器芯片、运算放大电路、STM32单片机、稳压模块、FPGA芯片；运算放大电路分别与磁传感器芯片、STM32单片机信号连接；稳压模块分别与STM32单片机、FPGA芯片信号连接；FPGA芯片用于接收稳压模块输出的脉冲信号，并记录相邻两个脉冲信号的时间间隔记作当前的时钟周期；对时钟周期进行倍频处理，得到倍频周期；基于倍频周期进行脉冲输出，得到倍频后的脉冲信号。本发明倍频处理系统结构简单，各部件相互独立，方便维护和复用，使用FPGA芯片对脉冲进行倍频处理，显著提高了输出脉冲的频率，满足高精度细分产品的使用需求。
编码器倍频处理系统方法

[发明专利]一种FeCoCr磁码盘薄膜材料及其制备方法和应用-CN202210337334.2在审
发明人：徐秀兰;刘锦涛;于广华;黄意雅 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，为多层膜结构，包括基底，以及在基底上依次制备的Bi掺杂的FeCoCr薄膜和保护层；其中，所述保护层用于防止Bi掺杂的FeCoCr薄膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法和应用。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，通过控制Bi元素在FeCoCr薄膜中的掺杂量，可以对FeCrCo薄膜的矫顽力进行有效地调控，使得薄膜的矫顽力由不掺杂Bi时的457Oe，提升为掺Bi之后的930Oe，矫顽力增幅达100％以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
一种 fecocr 磁码盘薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法-CN202110659746.3有效
发明人：徐秀兰;黄意雅;张辉;冯春;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01F10/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
一种增加薄膜材料垂直各向异性方法

[发明专利]多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法-CN202111652469.X有效
发明人：徐秀兰;郭日思;黄意雅;郭奇勋;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明公开了多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，涉及材料分析领域，包括以下步骤：从磁性金属元素中选取目标元素；获取多层薄膜材料具备垂直磁各向异性时的氧化度预测范围；获取COB；获取CB；根据公式I计算多层薄膜材料的氧化度ε的实测值；判定多层薄膜材料的实测值是否在氧化度预测范围内；若多层薄膜材料的实测值在氧化度预测范围内，则多层薄膜材料具备垂直磁各向异性，反之，则不具备。本发明提供的多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，通过半定量数据对垂直磁各向异性进行表征，测试方法简单、直接且快捷；后续可以通过半定量的氧化度ε的实测值作为垂直磁各向异性的定量指标，有助于进一步研究。
多层薄膜材料垂直各向异性检测方法

[发明专利]一种基于锁相环算法的正余弦编码器细分方法及系统-CN202111622438.X在审
发明人：朱冠伦;张辉;任宏宇;徐秀兰;黄意雅;江勇;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于锁相环算法的正余弦编码器细分方法及系统，涉及信号处理技术领域，使用单片机芯片ADC模拟数字转换器模块读取编码器传感器芯片传回的正余弦信号，将正余弦信号输入锁相环PLL算法模块，算出正余弦信号中的角度信息。本发明有益效果：计算时间短，细分得到的脉冲信号噪声小且脉宽稳定均匀。
一种基于锁相环算法余弦编码器细分方法系统

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