[发明专利]一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法有效
申请号: | 202110642910.X | 申请日: | 2021-06-09 |
公开(公告)号: | CN113416935B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 黄意雅;郭奇勋;滕蛟;徐秀兰;张辉;于广华 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/58;H01F41/18;H01F41/22 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 528200 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi |
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搜索关键词: | 一种 磁性 拓扑 绝缘体 mnbi2te4 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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