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[实用新型]一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片-CN202020816530.4有效
发明人：宋锐;黄传传;吴宗杰;李运鹏;李小丽;骆建辉 -专利权人：江西萨瑞微电子技术有限公司
申请日： 2020-05-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型属于硅芯片技术领域，尤其为一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片，包括长基区，所述长基区的上表面设置有正面短基区，所述长基区的下表面设置有背面P型区，所述正面短基区的上表面设置有正面发射区，所述正面短基区的上表面设置有保护膜，所述保护膜、正面短基区和长基区设置有正面沟槽，所述正面沟槽两侧表面设置有正面钝化区，所述保护膜靠近正面发射区的表面设置有正面阴极铝电极；结合铝扩工艺与硼扩工艺的优点，利用铝扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取铝硼扩散工艺，对通隔离区与短基区可同步形成，合二为一，扩散时间为30h，极大地提高了生产效率，又可降低表面缺陷，获得良好的Veb特性。
一种台面结构扩散工艺可控硅芯片

[发明专利]一种单一芯片双信道保护组件的制造方法-CN201810597483.6在审
发明人：李运鹏;郭小红;陈智伟;黄传传 -专利权人：江西萨瑞微电子技术有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单一芯片双信道保护组件的制造方法，包括如下步骤：(1)将一片硅晶圆作基底，基底为P型或N型，(2)将所述硅晶圆置入扩散炉或离子布植机中，掺杂一层N型或P型杂质，(3)之后将硅晶圆置入氧化炉中，加热氧化形成另一层氧化层，(4)再将所述硅晶圆置入扩散炉掺杂继续驱入，使PN接面形成，(5)以第一光照照射基底表面，(6)通过微影术曝光获得扩散区域及切割道图案。本发明在原硅片扩散后，芯片正反面使用二套U型槽光刻板，蚀刻U型槽以形成有效的PN节，后经钝化技术保护PN节，划开切割道后形成双通道集成芯片，成本低。
硅晶圆置入扩散炉切割道基底掺杂蚀刻离子布植机正反面使用保护组件单一芯片钝化技术硅片扩散基底表面集成芯片加热氧化扩散区域光刻板双通道双信道微影术氧化层氧化炉硅晶光照照射芯片图案曝光制造

[发明专利]一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法-CN201810594567.4在审
发明人：李运鹏;郭小红;陈智伟;黄传传 -专利权人：江西萨瑞微电子技术有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及突波电压抑制器，特别是一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法。芯片为NPN结构，N型杂质扩散分布于P型基底正、反两面，N型杂质的电极区域覆盖有电极金属，其它区域覆盖有氧化层，芯片的厚度为170μm‑240μm。二极管突波电压抑制器芯片为双极性或单极性，双极性的正、反面电极区域均覆盖有负电极金属；单极性的正面电极区域覆盖有负电极金属，反面整体为电极区域，并覆盖有正电极金属。本发明的二极管突波电压抑制器芯片，使用电流增益控制较佳的P型原硅片，减薄至一定的厚度。原硅片双面扩散N型掺杂，补扩散控制PN结的深度以进一步控制芯片的负电阻特性，在遇到突波电压时因崩溃电压带负电阻的特性使得元件承受的功率降低，更耐高电流。
突波电压抑制器芯片二极管负电极金属电极区域区域覆盖单极性双极性覆盖扩散负电阻特性崩溃电压电极金属电流增益反面电极反面整体功率降低硅片双面控制芯片扩散控制正面电极负电阻高电流氧化层正电极硅片基底减薄金属制造

[实用新型]一种DO-41增强功率装置-CN201721494985.3有效
发明人：李运鹏;郭小红;黄传传;李强 -专利权人：萨锐微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种DO‑41增强功率装置，包括上连接部、放大器组件和下连接部，上连接部下方设置有放大器组件，放大器组件下方设置有下连接部，放大器组件通过导线并联连接瞬态抑制二极管，放大器组件包括上方凸台、下方凸台和芯片，上方凸台下方设置有芯片，芯片下方设置有下方凸台，芯片包括精密元器件层、隔离层和功率放大层，功率放大层外层设置有精密元器件层，精密元器件层外层设置有隔离层；本实用新型实现了高科技发展，电子产品体积小，功能增强，低成本，瞬态功率大，漏电流低，击穿电压偏差，无损坏极限，使用进行DO‑41的浪涌能力加强做到600W的水平，成本低，电路板面积减少。
放大器组件精密元器件芯片凸台本实用新型功率放大功率装置上连接部下连接部隔离层瞬态抑制二极管电路板高科技发展导线并联功能增强击穿电压面积减少能力加强瞬态功率低成本漏电流体积小浪涌电子产品

[实用新型]一种电子芯片平面工艺产品叠加装置-CN201721494314.7有效
发明人：李运鹏;郭小红;黄传传;李强 -专利权人：萨锐微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子芯片平面工艺产品叠加装置，包括芯片基板、叠加芯片封装一、叠加芯片封装二、芯片一和芯片二，芯片基板上方通过焊锡固定有叠加芯片封装一和叠加芯片封装二，叠加芯片封装一内部设置有下焊接盘，下焊接盘上方通过焊锡固定连接有芯片二，芯片二上方设置有阻隔铜片，阻隔铜片上方设置有芯片一，芯片一通过焊锡固定在上焊接盘上，上焊接盘左侧连接有芯片接线一，焊接盘右侧连接有芯片接线二，本实用新型通过设置的阻隔铜片使得电子芯片平面工艺产品叠加产品既保留了平面工艺产品残压小，浪涌能力强的优点又实现的三维芯片封装减小面积节约了封装内部空间，降低了封装装置的整体厚度，有安全实用等优点。
芯片芯片封装叠加焊接盘平面工艺电子芯片焊锡铜片阻隔本实用新型叠加装置芯片基板接线封装安全实用封装装置内部设置三维芯片能力强残压减小浪涌节约保留

[实用新型]一种SMF增强功率装置-CN201721494993.8有效
发明人：李运鹏;郭小红;黄传传;李强 -专利权人：萨锐微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SMF增强功率装置，包括外壳、芯片和瞬态抑制二极管，外壳底部设置有底板，外壳内设置有框架凸台，框架凸台下方设置有芯片，芯片通过导线并联连接瞬态抑制二极管，框架凸台上设置有正方形凸台，框架凸台、正方形凸台和芯片构成放大器组件，放大器组件使得浪涌能力达到400W的功率，芯片包括精密元器件层、隔离层和功率放大层，功率放大层外层设置有精密元器件层，精密元器件层外层设置有隔离层；本实用新型实现了高科技发展，电子产品体积小，功能增强，低成本，瞬态功率大，漏电流低，击穿电压偏差，无损坏极限，我们进行使用SOD‑123的浪涌能力加强做到400W的水平，成本低，电路板面积减少。
芯片精密元器件瞬态抑制二极管本实用新型放大器组件正方形凸台功率放大功率装置框架凸台隔离层浪涌底板电路板高科技发展导线并联功能增强击穿电压面积减少能力加强瞬态功率低成本漏电流体积小电子产品

[实用新型]一种SMD功率增强电感-CN201721494984.9有效
发明人：李运鹏;郭小红;黄传传;李强 -专利权人：萨锐微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01F27/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SMD功率增强电感，包括芯片、框架凸台和凸台，芯片上下两端均设置有框架凸台，框架凸台外侧固定有凸台，凸台两端通过框状的内部连接装置固定连接，芯片外部缠绕的线圈上附着有磁胶层，磁胶层上下分别连接有顶部和底部，底部上开设有引脚凹槽，本实用新型本实用新型低成本，浪涌能力不减弱强，通过把芯片做到4.5*5MM，把凸台做大。把SMD产品功率不减弱，成本降低高科技发展，要求低成本，通过磁胶层与芯片外部线圈的无缝结合，有效的减少了产品工作时所产生的蜂鸣声，通过底部的金属片电极片的设计，使产品具有超强的抗跌落能力，较传统电感抗跌能力提升5倍以上，为电子类产品稳定工作提供了保障。
凸台芯片本实用新型框架凸台磁胶层电感功率增强低成本内部连接装置电子类产品高科技发展金属片电极产品功率上下两端外部线圈无缝结合引脚凹槽蜂鸣声抗跌落超强附着感抗框状浪涌缠绕外部

[实用新型]一种减薄的SOD-123贴片二极管-CN201721494300.5有效
发明人：李运鹏;郭小红;黄传传;李强 -专利权人：萨锐微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种减薄的SOD‑123贴片二极管，包括芯片，封装体和凸台，芯片上下均设置有凸台，凸台外端面上缠绕有引线，引线两端分别连接有引脚一和引脚二，引脚一和引脚二均贯穿封装体，且焊接在封装后背上，封装后背固定在封装体底部，本实用新型本实用新型一种减薄的SOD‑123贴片二极管，通过改变外部结构的厚度，减薄了本实用新型整体的厚度，通过设置的凸台，最终达到增加引线与封装体的连接强度，有效的解决了引线与封装体剥落的问题，提升了产品质量，保证了产品的寿命，通过封装后背上开设的凹槽，便于本实用新型芯片热量的散热(槽自身也具有通风效果)，且减少了材料利用，降低了本实用新型的生产成本。
本实用新型封装体减薄凸台引脚贴片二极管后背封装芯片材料利用通风效果外部结构芯片热量散热外端剥落生产成本缠绕焊接贯穿保证

[实用新型]一种瞬间电压抑制器(TVS)三口器件-CN201721503385.9有效
发明人：李运鹏;郭小红;黄传传;李强 -专利权人：萨锐微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种瞬间电压抑制器(TVS)三口器件，包括器件壳体、PIN1端口、PIN2端口和PIN3端口，器件壳体下端设置有PIN2端口，器件壳体上端设置有PIN1端口，PIN1端口右侧设置有PIN3端口，器件壳体内部设置有双向二极管，双向二极管中下端设置有PIN2PN结，PIN2PN结下面安装有输出端口二，PIN2PN结上端设置有夹层，夹层上面安装有PIN1PN结，PIN1PN结上面设置有输出端口一，PIN1PN结右边设置有PIN3PN结，PIN3PN结上方安装有输出端口三。本实用新型通过设置的三口一体的双向二极管可以起到电路过压保护装置作用，可提供雷击、静电放电和其他瞬态电压保护，有安全实用等优点，且器件实现三口内部集成，降低封装成本，简化电路减小电路板面积，可以普遍推广使用。
双向二极管器件壳体输出端口瞬间电压抑制器本实用新型上端夹层电路板压保护装置安全实用静电放电壳体内部内部集成瞬态电压面安装雷击减小下端封装电路

[实用新型]一种降低TVS电容装置-CN201721503399.0有效
发明人：李运鹏;郭小红;黄传传;李强 -专利权人：萨锐微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低TVS电容装置，包括第一电容单元与电压开关型瞬态拟制二极管TSS，第一电容单元内部设置有绝缘层极板与电压开关型瞬态拟制二极管TSS，第一电容单元下方连接有金属氧化层，金属氧化层下方连接有第二电容单元，第二电容单元内部设置有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS与基层极板，基层极板上方连接有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS，电压钳位型瞬态拟制二极管TVS上方连接有电压开关型瞬态拟制二极管TSS，电压开关型瞬态拟制二极管TSS上方固定有绝缘层极板，使得在应用端使用时不容易出现信号终断的现象，可以有效地增强信号，降低电容，避免电容不匹配的问题，并极大地提高了产品效能的一致性。
二极管瞬态电容单元电压开关型极板电压钳位绝缘层金属氧化层电容装置内部设置电容本实用新型产品效能增强信号应用端有效地匹配基层

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