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[发明专利]一种紫外发光二极管及其制作方法-CN201811277372.3有效
发明人：何苗;丛海云;黄仕华;熊德平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管，包括蓝宝石衬底与GaN缓冲层，所述紫外发光二极管包括GaN纳米线层与GaN纳米线融合层；所述GaN纳米线层设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底表面；所述GaN纳米线层包括GaN纳米线，所述GaN纳米线的两端分别连接所述GaN纳米线融合层和所述蓝宝石衬底，实现所述GaN纳米线融合层与所述蓝宝石衬底间的电连接；所述GaN纳米线融合层设置在所述GaN纳米线层与所述紫外发光二极管的GaN缓冲层之间。本发明通过将传统的GaN层替换成GaN纳米线层，减少了GaN材料与衬底的接触面积，同时也就减少了接触面间的缺陷和位错，提升了内量子效率，进而提高了元件效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的紫外发光二极管的制作方法。
一种紫外发光二极管及其制作方法

[发明专利]深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法-CN201811527141.3有效
发明人：何苗;丛海云;黄仕华;熊德平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外LED芯片、深紫外LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在衬底上生长AlGaN缓冲层，并在AlGaN缓冲层上生长N型AlGaN层；在N型AlGaN层上生长Al组分渐变的N型AlGaN层，并在Al组分渐变的N型AlGaN层上生长Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区；在Al0.5Ga0.5N/Al0.15Ga0.85N有源区上生长AlGaN阻挡层，并在AlGaN阻挡层上生长P型GaN层。本申请公开的上述技术方案，由于生长Al组分渐变的N型AlGaN层在生长有源区之前，因此，则不会引起有源区能带结构发生变化，从而可以提高深紫外LED芯片的发光效率。
深紫 led 芯片外延及其制备方法

[发明专利]LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法-CN201811527124.X有效
发明人：何苗;丛海云;黄仕华;熊德平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法，其中，制备方法包括：在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层，并在GaN成核层表面生长P型GaN层；在P型GaN层表面生长GaN阻挡层，并在GaN阻挡层表面生长多量子阱层；在多量子阱层上生长N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片。本申请公开的上述技术方案，直接在金属衬底上依次生长GaN成核层、P型GaN层、GaN阻挡层、多量子阱层、及N型GaN层，以得到垂直结构的LED外延片，这样就不需要对LED外延片的衬底进行剥离和键合，因此，则可以提高LED外延片的制备效率，并且可以提高最终所制备出的LED外延片的良品率和内量子效率。
led 芯片垂直结构外延及其制备方法

[发明专利]一种新型阻变存储器及其制造方法-CN201710903360.6有效
发明人： 黄仕华;陈达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型阻变存储器及其制造方法，包括硅片衬底、背电极，硅片衬底上方具有二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上蚀刻有若干圆柱形凹穴，该凹穴与硅片衬底接触处为阻变介质层，阻变介质层上方为硅化物层，硅化物层上方及其对应凹穴的圆周内壁为防金属扩散层，防金属扩散层内为金属顶电极。本发明得到的阻变存储单元具有优异稳定的电阻转变特性，通过引入硅化物层，减小了上电极与阻变介质层之间的势垒电阻，使得阻变介质层发生电阻转变可不受上电极材料的影响，进一步提升了存储单元的稳定性。
一种新型存储器及其制造方法

[发明专利]氮化铜薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201911106109.2在审
发明人： 黄仕华;康桥;李林华;李兴达;陈达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铜薄膜太阳能电池及其制备方法，电池自下而上包括如下结构：ITO玻璃\镁掺杂氮化铜薄膜\组分渐变氮化铜薄膜\硒掺杂氮化铜薄膜\ITO薄膜\银电极，其中组分渐变氮化铜薄膜中，氮的含量自下而上逐渐变大。本发明的氮化铜薄膜利用反应磁控溅射方法制备，通过调节反应气体(氮气)的流量，获得禁带宽度逐渐变化的氮化铜薄膜，拓宽了薄膜对太阳光吸收的光谱范围。
氮化薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]利用四甲基胍有机碱在单晶硅表面制绒的方法-CN201910893517.0在审
发明人： 黄仕华;张嘉华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用四甲基胍有机碱在单晶硅片制绒的方法，首先清洗硅片，然后以去离子水位溶剂，配制四甲基胍和异丙醇混合溶液，其中四甲基胍的体积比为10％，异丙醇的体积比为7％，80℃的水浴锅中预热备用；将硅片放入制绒液中，80℃下水浴加热35min，并用去离子水冲洗二到三次，再用去离子水超声5min以除去溶液残留。本发明提出的四甲基胍有机碱单晶硅制绒后的光学反射率大幅降低，同时消除了制绒液中金属离子对硅片的污染，也降低了制绒废液的后续处理成本。
四甲基胍硅片制绒去离子水体积比有机碱制绒液异丙醇混合溶液单晶硅光学反射率单晶硅片后续处理金属离子溶液残留水浴锅异丙醇预热溶剂超声放入废液冲洗加热备用离子配制清洗下水水位并用污染

[发明专利]抗紫外和近红外辐射的增透玻璃的制备方法-CN201910892826.6在审
发明人： 黄仕华;丁月珂;李兴达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗紫外和近红外辐射的增透玻璃的制备方法，首先利用铝诱导玻璃粗化的方法在玻璃表面制备绒面结构，增加玻璃对可见光的透射；其次在绒面上生长锡掺杂的氧化锌纳米薄膜，吸收近红外辐射；最后生长钇掺杂的二氧化钛薄膜，吸收紫外辐射。铝诱导玻璃粗化、吸收近红外和紫外辐射薄膜的制备方法全部采用磁控溅射，具有工艺简单、成本低廉等特点，镀膜玻璃对波长小于380nm的紫外光的吸收超过96％，对波长大于760nm的近红外光的反射率大于65％，对波长为400～760nm的可见光的透射率大于92％，在建筑玻璃材料、汽车玻璃材料和照明灯具玻璃材料等方面具有广泛的应用前景。
波长近红外辐射可见光紫外辐射吸收铝诱导玻璃粗化制备氧化锌纳米薄膜二氧化钛薄膜紫外光玻璃表面玻璃材料磁控溅射镀膜玻璃建筑玻璃近红外光汽车玻璃增透玻璃照明灯具制备绒面生长反射率透射率锡掺杂钇掺杂透射薄膜应用

[发明专利]一种宽光谱抗反射超疏水光伏玻璃的制备方法-CN201910892833.6在审
发明人： 黄仕华;康桥;李兴达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱抗反射超疏水光伏玻璃的制备方法，采用两步法制备宽光谱抗反射超疏水光伏玻璃，首先在玻璃上制备多孔结构的氧化铝薄膜，然后在多孔结构中填充尺寸为几纳米至几十纳米的氧化硅纳米颗粒，并利用十七氟癸基三甲氧基硅烷降低氧化硅纳米颗粒的表面能。本发明在光伏玻璃表面制备的宽光谱抗反射超疏水膜层具有双尺度结构，这种工艺简单、低成本的抗反射超疏水膜层的制备方法是光伏玻璃、幕墙玻璃、汽车玻璃等工业应用的有效解决方案。
抗反射制备宽光谱氧化硅纳米超疏水膜多孔结构光伏玻璃玻璃十七氟癸基三甲氧基硅烷氧化铝薄膜表面制备尺度结构工业应用幕墙玻璃汽车玻璃有效解决表面能低成本两步法填充

[发明专利]具有光学双转换特性的抗反射自清洁光伏玻璃的制备方法-CN201910893516.6在审
发明人： 黄仕华;丁月珂;李兴达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有光学双转换特性的抗反射自清洁光伏玻璃的制备方法，采用高分子聚合物诱导成孔，在玻璃表面形成稀土掺杂的孔状三维交联网络结构，孔的尺寸为亚微米量级；其次，在多孔结构中填充几纳米至十几纳米大小的氧化硅纳米颗粒；最后，利用硅烷偶联剂处理，降低玻璃的表面能。本发明利用铕、铒、钐、钕、镱、镧等稀土离子的上/下转换发光的特点，可以把波长1100～1600nm的红外光和260～450nm的紫外光转化为可见光或近红外光，增加稀土掺杂玻璃的光学透过率，从而增加电池对光能的转换效率。
红外光硅烷偶联剂处理高分子聚合物稀土掺杂玻璃光学透过率亚微米量级氧化硅纳米可见光紫外光玻璃表面多孔结构光伏玻璃近红外光三维交联网络结构稀土掺杂稀土离子转换特性转换效率表面能抗反射自清洁波长光能成孔孔状填充制备发光诱导电池玻璃转换转化

[发明专利]一种氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法-CN201910614568.5在审
发明人： 黄仕华;张嘉华;金日升 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法，电池自上而下具有如下的结构：Ag/ITO/NiO_x:Mg/SiO_x/n‑c‑Si/SiO_x/TiO_x/Ag。制备时，把清洗好的硅片放入HNO₃溶液进行热氧化生长，利用磁控溅射法生长镁掺杂氧化镍薄膜，利用磁控溅射法生长氧化钛薄膜；利用激光划片技术把硅片分割面积为1.5×1.5cm²的样品，然后利用磁控溅射法生长ITO透明导电薄膜和金属银电极；制作完成的电池在退火结束后自然冷却到室温。本发明不需要使用等离子体化学气相沉积(PECVD)或原子层沉积(ALD)等昂贵的薄膜沉积设备，具有工艺简单、成本低、对环境友好等特点。
磁控溅射法制备氧化物钝化太阳能电池硅片生长等离子体化学气相沉积电池退火薄膜沉积设备金属银电极热氧化生长氧化镍薄膜氧化钛薄膜原子层沉积环境友好激光划片镁掺杂放入清洗分割制作

[发明专利]一种单晶硅的刻蚀方法及刻蚀液-CN201910614567.0在审
发明人： 黄仕华;金日升;李兴达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅的刻蚀方法及刻蚀液，刻蚀液由如下比例的成分组成：乙醇胺20～35％；没食子酸3.5～6.5％；哌啶0.1～0.3％；含氟表面活性剂0.005～0.01％；过氧化氢1.0～2.0％；去离子水余量。配制如上所述的刻蚀液后，未抛光的p型单晶硅硅片，放入氢氟酸、硝酸与去离子水混合液中浸泡，然后用去离子冲洗；将处理过的硅片浸泡于刻蚀液中反应，反应完成后，取出硅片，用去离子水冲洗，最后用氮气吹干。本发明可以获得低反射率的金字塔结构绒面，同时具有无碱金属污染、成本低廉、环境友好等特点，在高效单晶硅太阳能电池行业有巨大的潜在应用和推广价值。
刻蚀液去离子水硅片单晶硅刻蚀冲洗浸泡单晶硅太阳能电池含氟表面活性剂金字塔结构绒面碱金属氮气吹干低反射率过氧化氢环境友好没食子酸硝酸混合液氢氟酸未抛光乙醇胺放入哌啶离子配制取出污染应用

[发明专利]一种氧化亚铜-氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910269032.4在审
发明人： 黄仕华;丁月珂;池丹;张嘉华;张美影 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化亚铜‑氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法，以康宁玻璃为衬底，利用磁控溅射法生长金属钛，随后在钛薄膜上溅射银电极；利用反应磁控溅射法生长氮掺杂Cu₂O薄膜；采用等离体子化学气相沉积法在氮掺杂Cu₂O薄膜表面生长微晶氧化硅薄膜；利用磁控溅射法生长铝掺杂ZnO薄膜；采用磁控溅射法生长，利用掩膜板在ZnO薄膜上溅射一层Ag电极。本发明利用微晶氧化硅中的非晶氧化硅钝化Cu₂O表面的CuO深能级缺陷，掺杂的硅纳米晶输运光生载流子，同时在生长过程中引入的氢在随后退火温度下扩散到Cu₂O之中，减少其缺陷密度，从而提高Cu₂O太阳能电池的效率。
磁控溅射法异质结太阳能电池生长氧化亚铜氮掺杂氧化锌溅射微晶制备反应磁控溅射法退火化学气相沉积非晶氧化硅光生载流子深能级缺陷氧化硅薄膜太阳能电池表面生长硅纳米晶生长过程电极掺杂的金属钛铝掺杂掩膜板氧化硅银电极钛薄膜衬底钝化输运玻璃扩散引入

[发明专利]一种新型全钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201910269192.9在审
发明人： 黄仕华;周理想;池丹;丁月珂;芮哲 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型全钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括晶体硅层，两侧各有一层超薄氧化硅钝化层，在其正面还有混合相硅氧化物/纳米晶硅层，反面还有本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅层，其两侧外还均有ITO层和Ag电极。本发明利用mp‑SiO_x/nc‑Si替代TOPCon电池的SiO_x/poly‑Si钝化接触结构中的poly‑Si层作为电池正面钝化接触，采用本征氢化非晶硅(a‑Si:H(i))与掺杂的a‑Si:H叠层作为背面钝化接触，设计并制备了全钝化接触晶体硅太阳能电池，从而提高了钝化接触的晶体硅太阳能电池正面的电学和光学性能。
钝化晶体硅太阳能电池制备本征氢化非晶硅超薄氧化硅背面钝化电池正面光学性能硅氧化物接触结构晶体硅层纳米晶硅掺杂的钝化层混合相电极电学叠层电池替代

[发明专利]无掺杂晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910269012.7在审
发明人： 黄仕华;王佳;池丹;丁月珂;芮哲 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掺杂晶体硅异质结太阳能电池以及其制备方法，衬底为n型c‑Si，空穴选择材料为WO₃，电子选择材料为CsF；其特征在于：在c‑Si层两侧各生长有一层本征a‑Si:H薄膜层。本发明在硅片的两侧都实现了本征氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜的钝化，通过钝化夹层界面处理表面复合，提高电池的整体性能。
异质结太阳能电池选择材料晶体硅钝化制备掺杂本征氢化非晶硅空穴表面复合界面处理薄膜层硅片夹层本征衬底薄膜电池生长

[发明专利]一种智能鞋柜-CN201910193799.3在审
发明人：王润;何苗;黄仕华;熊德平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： A47B61/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能鞋柜，包括：鞋柜柜体，红外传感器，主控制器，报警装置；其中，所述鞋柜柜体用于存储用户的鞋子；当智能鞋柜处于防盗模式时，所述红外传感器用于检测以所述鞋柜柜体为中心，第一预设长度为半径的圆周区域内是否有人；当所述红外传感器检测到所述圆周区域内有人的状态持续的时间大于等于预设时长时，则发送报警信号至所述主控制器；所述主控制器用于接收所述红外传感器发送的报警信号，控制所述报警装置报警。本发明所提供的智能鞋柜，具有感应鞋柜柜体周围偷盗者的功能，并通过报警装置向用户报警，实现了智能防盗的功能。
红外传感器鞋柜柜体智能鞋柜报警装置主控制器报警信号圆周区域报警发送存储用户防盗模式预设时长智能防盗检测预设