“马金榜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法-CN202111004367.7有效
发明人：张雅超;马金榜;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiSn外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层SiSn外延层，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiSn的热膨胀系数比Si大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
一种基于衬底背面 sisn 外延 algan gan hemt 制备方法

[发明专利]一种基于AlPN成核层的低射频损耗硅基GaN薄膜及制备方法-CN202210716538.7在审
发明人： 马金榜;张雅超;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于AlPN成核层的低射频损耗硅基GaN薄膜及制备方法，硅基GaN薄膜包括：Si衬底、预铺铝、至少两层AlPN成核层和GaN外延层，其中，所述Si衬底、所述预铺铝层、所述至少两层AlPN成核层和所述GaN外延层依次层叠。本发明实施例在Si衬底上生长至少两层AlPN成核层，与Si衬底接触的AlPN成核层可以实现Si衬底与成核层之间的晶格完全匹配，而最上面一层的AlPN成核层可以实现成核层与GaN层之间的晶格匹配，降低了Si基GaN外延层由于晶格失配带来的位错，提高了Si基GaN的晶体质量；同时，AlPN成核层生长过程中P源的引入可进入衬底形成N型掺杂，进而降低Si基GaN由于P型掺杂带来的寄生沟道的浓度，进而降低射频损耗。
一种基于 alpn 成核射频损耗 gan 薄膜制备方法

[发明专利]基于AlPN缓冲层的自支撑GaN薄膜的制备方法-CN202210688350.6在审
发明人： 马金榜;张雅超;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AlPN缓冲层的自支撑GaN薄膜的制备方法，包括以下步骤：在Si衬底上外延生长AlN成核层；在AlN成核层上外延生长AlPN缓冲层；在AlPN缓冲层上外延生长GaN层；利用碱性显影溶液剥离AlPN缓冲层，得到自支撑的GaN薄膜。本发明通过在Si衬底上生长AlPN作为缓冲层，一方面，由于AlPN与AlN之间的晶格失配极小，可以实现缓冲层与GaN层之间的晶格完全匹配，降低了Si基GaN由于晶格失配带来的位错，提高了Si基GaN的晶体质量；另一方面，由于AlPN缓冲层很容易在碱性显影溶液中溶解，可以更方便剥离得到自支撑的GaN薄膜。
基于 alpn 缓冲支撑 gan 薄膜制备方法

[发明专利]一种基于双异质结的CMOS晶体管及其制备方法-CN202210762296.5在审
发明人：陈楷;张雅超;马金榜;张进成;马晓华;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双异质结的CMOS晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、第一AlN层、第二AlN层、GaN缓冲层以及SiN隔离层，其中，SiN隔离层上开设有P‑HEMT有源区凹槽和N‑HEMT有源区凹槽；P‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有GaPN背势垒层、第一AlPN势垒层、第一GaPN沟道层和第一GaN帽层；N‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有AlPN背势垒层、第二GaPN沟道层、第二AlPN势垒层和第二GaN帽层；第一GaN帽层上表面设置有第一源极、第一漏极和第一栅极；在第二GaN帽层上表面设置有第二源极、第二漏极和第二栅极。本发明的AlPN/GaPN异质结可以实现晶格匹配，异质结的面内应力均可得到有效缓解，能够有效提升二维电子气的电学性能。
一种基于双异质结 cmos 晶体管及其制备方法

[发明专利]采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2-CN202210009984.4在审
发明人：张雅超;李一帆;张进成;马金榜;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用低温脉冲层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备低温脉冲层(2)；在所述低温脉冲层(2)上制备薄膜层(3)。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入低温脉冲层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延层质量，降低了外延层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。
采用低温脉冲金刚石外延 ga base sub

[发明专利]一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法-CN202111004388.9在审
发明人： 马金榜;张雅超;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该硅基AlGaN/GaN HEMT的制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面依次生长若干SiGe外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置若干SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
一种基于衬底背面外延 algan gan hemt 制备方法

[发明专利]一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法-CN202111006444.2在审
发明人：张雅超;马金榜;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiGe外延层；S2、往反应室中通入三甲基铝和氨气，在目标温度和目标气体流量下对所述Si衬底的正面进行预处理；S3、在预处理后的所述Si衬底的正面依次外延生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaNHEMT器件；S4、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
一种 algan gan hemt 器件制备方法

[发明专利]带有包裹埋层的Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202111006463.5在审
发明人：张雅超;马金榜;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有包裹埋层的Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述Si衬底中设置有N型埋层和隔离层，所述隔离层设置在所述Si衬底和所述N型埋层之间且包裹所述N型埋层。该高电子迁移率晶体管在Si衬底中设置N型埋层和隔离层，隔离层不会将N型埋层中的N型杂质完全掩蔽，N型杂质可以扩散进入Si衬底，从而抵消上层结构中Al扩散引入Si衬底的P型沟道浓度，从而提高衬底电阻率，降低器件的射频损耗。
带有包裹 si algan gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种硅基GaN薄膜及其外延生长方法-CN202111004389.3在审
发明人： 马金榜;张雅超;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基GaN薄膜及其外延生长方法，外延生长方法包括步骤：S1、往反应室中通入三甲基铝和氨气，在目标温度和目标气体流量下对Si衬底进行预处理；S2、在预处理后的所述Si衬底上外延生长AlN成核层；S3、在所述AlN成核层上生长AlGaN缓冲层；S4、在所述AlGaN缓冲层上生长GaN层。该外延生长方法先对Si衬底进行预处理，然后外延生长外延层，预处理会对Si衬底起到保护作用，使得Si衬底的表面更加平整，有利于之后AlN成核层淀积过程中Al原子的迁移，使之更容易到达平衡位置，此时AlN成核层更倾向于二维模式的生长，从而AlN成核层上的外延层也更倾向于二维模式的生长，有利于阻挡位错的延伸，得到的外延层也会更加平整，有利于提高外延GaN晶体的质量。
一种 gan 薄膜及其外延生长方法

1
共 9 条