“马荣晶”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN201510021811.4有效
发明人：孙伟锋;马荣晶;周雷雷;张艺;张春伟;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
一种射频横向扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法-CN201410126962.1有效
发明人：孙伟锋;叶伟;叶然;马荣晶;周雷雷;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法，包括以下步骤步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容CiSS、CrSS测试，并通过计算得到CGS、CGD与漏极电压相对应的电容值，获取CGS、CGD的测试数据文件，步骤50）建立垂直型场效应晶体管电容CGD模型；步骤60）建立垂直型场效应晶体管电容CGS模型，本发明中垂直型场效应晶体管的直流特性模型可以解决BSIM3V3模型本身不具备垂直型场效应晶体管所具有的准饱和特性的问题，并且弥补了垂直型场效应晶体管电容模型的空白。
一种垂直场效应晶体管直流特性电容仿真方法

[发明专利]一种高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管-CN201510021785.5在审
发明人：孙伟锋;张春伟;王佳丽;马荣晶;顾春德;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：P型衬底，在P型衬底的一侧连接有漏极金属，在P型衬底的另一侧设有P型漂移区，在P型漂移区中对称设置一对N型基区，在N型基区中设有P型源区和N型体接触区，在P型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及P型源区上设有场氧化层，在P型源区和N型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。
一种可靠性碳化硅纵向金属氧化物半导体

[发明专利]一种N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管-CN201410195822.X在审
发明人：孙伟锋;顾春德;王剑峰;马荣晶;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中设有P型基区，在P型基区中设有P型体接触区和N型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧化层且栅氧化层的边界分别向两侧延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属。其特征在于所述的P型体接触区和P型基区中间内嵌有一金属层。这种结构的优点在于保持器件击穿电压等其他参数基本不变的前提下不仅可以显著降低器件的反向恢复时间，而且还提高了器件的抗闩锁能力。
一种碳化硅纵向金属氧化物半导体