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[发明专利]基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器-CN200610085590.8无效
发明人：施毅;闾锦;杨红官;张荣;濮林;韩平;顾书林;朱顺明;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2006-06-26 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下，使存储时间显著增加，解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾，达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程，又能长久存储。
基于纳米结构挥发性存储器

[发明专利]一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法-CN200510123107.6无效
发明人：谢自力;张荣;韩平;修向前;刘斌;李亮;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
一种生长结晶氮化铟单晶外延方法

[发明专利]化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法-CN200510095459.5无效
发明人：韩平;王荣华;夏冬梅;刘成祥;谢自力;赵红;修向前;朱顺明;顾书林;施毅;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH₄、C₂H₄为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C₂H₄分压0.01～0.15Pa，GeH₄分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si_1－xGe_x：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH₄分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si_1－xGe_x：C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。
化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲薄膜方法

[发明专利]改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法-CN200510095245.8无效
发明人：修向前;张荣;陈琳;谢自力;韩平;顾书林;江若琏;胡立群;朱顺明;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在650－800℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照GaN/蓝宝石样品，界面处的GaN被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到GaN自支撑衬底。在高于800℃时在氨气气氛保护下进行激光器透过蓝宝石辐照。本发明经高于650℃激光剥离，GaN和蓝宝石很容易就分离开来，从而得到GaN自支撑衬底。且蓝宝石和衬底之间的应力完全得到释放，得到的GaN衬底平整无翘曲。
改进制备支撑氮化衬底激光剥离方法

[发明专利]一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法-CN200510094184.3无效
发明人：谢自力;张荣;刘成祥;韩平;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-09-01 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H₂和或N₂，NH₃气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH₃气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
一种 gan 薄膜材料控制生长方法

[发明专利]一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法-CN200510094747.9有效
发明人：谢自力;张荣;韩平;刘成祥;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N₂，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。
一种 ingan gan 量子 led 器件结构生长方法

[发明专利]在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱L ED器件结构的方法-CN200510094880.4有效
发明人：谢自力;张荣;韩平;刘成祥;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在β－Ga₂O₃衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga₂O₃衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N₂，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga₂O₃衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga₂O₃衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga₂O₃衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
氧化衬底生长 ingan gan 量子 ed 器件结构方法

[发明专利]一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法-CN200510037733.3无效
发明人： 顾书林;朱顺明;叶建东;刘松明;张荣;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-02-02 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物I由进气管1输入，反应物II由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物I和反应物II接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。
一种获取均匀宽带半导体薄膜同轴方法

[发明专利]无掩膜横向外延生长高质量氮化镓-CN200410065676.5无效
发明人：修向前;张荣;陈琳;谢自力;顾书林;施毅;韩平;沈波;江若琏;朱顺明;胡立群;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积SiO₂、Si₃N₄、W等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度80nm－2μm，然后将掩膜用腐蚀的方法去除，即可得到图形蓝宝石衬底，用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至蚀刻区被GaN铺满，继续生长可以得到低位错密度氮化镓薄膜。
无掩膜横向外延生长质量氮化

[发明专利]一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法-CN200410041436.1无效
发明人：张荣;修向前;俞慧强;陈琳;谢自力;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH₃和HCl为原料气生长，直到生长完成。本发明的特点是：由于铝酸锂(001)或镓酸锂和GaN(11－20)的晶格常数基本一致，没有很大的结构失配，生长得到的GaN薄膜位错密度较低，质量较高。
一种制备质量极性 gan 支撑衬底方法

[发明专利]利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜-CN200410041443.1无效
发明人：张荣;俞慧强;陈琳;修向前;谢自力;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400－800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000－1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
利用氢化物外延方法衬底生长 gan 薄膜

[发明专利]利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法-CN200410041677.6无效
发明人：谢自力;张荣;修向前;毕朝霞;刘斌;于英仪;俞慧强;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-08-12 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330－400℃，只通入金属有机源三甲基铟5－15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
利用 in 金属纳米催化合成生长 inn 方法

[发明专利]金属有机源压力闭环控制系统-CN200410041227.7无效
发明人： 顾书林;秦锋;胡立群;朱顺明;叶建东;郑有炓;张荣;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种金属有机源压力闭环控制系统包括流量计、金属有机源、与反应室相连的调节阀和压力传感器(DP)，其特点是还包括由单片机、数模转换器、放大器所组成的单片机控制电路。载气通过流量计导入到金属有机源，携带了金属有机源气体的混合气体通过调节阀通入到反应室；单片机控制电路通过控制调节阀改变气体的流量，压力传感器将压力转换为电压反馈信号输出。通过控制和反馈的信号使得管路内的压力达到一个动态平衡值，以减小对MOCVD材料生长过程的影响。
金属有机压力闭环控制系统

[发明专利]改善氢化物汽相外延法制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法-CN200310112720.9无效
发明人：于英仪;张荣;修向前;谢自力;俞慧强;郑有炓;施毅;沈波;顾书林;江若琏;韩平;朱顺明;胡立群;叶宇达 -专利权人：南京大学
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01F41/22 文献下载
摘要：改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N₂管道和NH₃管道、设有金属镓源－HCl－N₂管道和金属锰源－HCl管道，对金属锰源－HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3－6sccm，Ar气流量为100－300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820－860℃，反应区域温度，即蓝宝石α－Al₂O₃衬底所在位置的温度为；生长时间为8－20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
改善氢化物外延法制 gamnn 铁磁性薄膜晶体质量方法

[发明专利]利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法-CN200310106426.7无效
发明人：于英仪;张荣;修向前;谢自力;俞慧强;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N₂管道和NH₃管道、设有金属镓源－HCl－N₂管道，包括一路金属镓源－HCl－N₂管道，并将反应物GaCl－N₂均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中。通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。本发明可以获得完全的GaMnN和GaN薄膜材料。HVPE生长GaMnN合金薄膜具有生长速率高、可以生长大面积薄膜，反应物中Mn的掺杂量可控等优点。
利用氢化物外延制备 gamnn 铁磁性薄膜方法