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[发明专利]一种具有整流的碳化硅JFET栅结构的制备方法-CN201410657412.2有效
发明人：黄润华;陶永洪;柏松;陈刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及是一种具有整流作用的碳化硅JFET栅结构的制备方法，包括1）在第一导电类型衬底上生长第一导电类型层；2）形成PN结；3）通过欧姆退火实现源极和漏极欧姆接触；4）通过整流栅极接触退火间形成整流栅接触。优点与常规碳化硅JFET栅结构相比具有可控栅电压范围宽、栅极电流小的优势。在常规结构碳化硅JFET结构基础上加入栅接触区7，通过调整栅极接触区掺杂浓度和退火条件在栅电极8与栅接触区7之间引入整流特性限制栅流，扩大栅极电压范围，利用栅注入载流子感应作用提高沟道导通能力。
一种具有整流碳化硅 jfet 结构制备方法

[发明专利]耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法-CN201410259946.X有效
发明人： 陶永洪;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明是一种耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，该方法包括以下步骤：1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属，退火后形成欧姆接触；2）在背面欧姆接触上蒸发或者溅射一层阻挡金属；3）在SiC晶片正面涂一层树脂，烘箱高温烘烤固化树脂；4）SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，清洗甩干；5）在SiC晶片背面沉淀加厚金属；6）去胶划片，芯片烧结到载体上后做剪切力评估。优点：解决了碳化硅功率器件经过高温处理以后，背面金属不牢的问题，通过在背面欧姆上溅射一层阻挡金属，高温处理后与扩散到欧姆接触表面的C结合，避免了形成游离的C层，保证了背面加厚金属的牢固性和可靠性。
耐高温处理碳化硅背面金属加厚方法

[发明专利]一种带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法-CN201510604076.X在审
发明人：黄润华;陶永洪;柏松;陈刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供的带角度注入自对准MOS沟道制备方法，通过同一次注入掩膜分别实现第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，通过控制注入掩膜的角度以及离子注入与第一导电类型层垂直方向的角度来控制第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的宽度差，进而控制沟道长度，简化了器件加工工艺，减少了注入掩膜加工次数，并且注入过程中沟道处的SiC表面始终处于介质的保护状态下，避免了表面损伤，提高了后续氧化质量。
一种角度注入对准 mos 沟道制备方法

[发明专利]一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法-CN201210230972.0无效
发明人：李理;陈刚;柏松;陶永洪 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明是一种碳化硅器件背面欧姆接触的快速退火方法，包括以下步骤：1）在SiC晶片正面制备一层SiO2作为保护层；2）在SiC晶片背面制备欧姆接触金属；3）将SiC晶片正面向下放在托盘上，晶片正面保护层和托盘直接接触，然后放入快速热处理装置；4）对SiC晶片进行快速退火；5）采用湿法腐蚀去除SiC晶片正面保护层。优点：可在任何采用灯光辐射为热源的商用快速热处理装置内实施，快速退火过程中使用的托盘可重复使用，无需每次退火前清洗，降低器件的生产成本。采用保护层后，能完全避免托盘上的杂质和颗粒对晶片的影响，提高器件成品率和可靠性。保护层采用湿法腐蚀的方式去除，不会对器件的背面欧姆接触和正面工艺有影响。
一种碳化硅器件背面欧姆接触快速退火方法