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[发明专利]一种高一致性免串扰HfAlOy-CN202211679673.5在审
发明人：马忠元;胡宏升;陈通;杨洋;李伟;陈坤基;徐骏;徐岭 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及高一致性免串扰HfAlOy/TiOx多层膜神经元阵列，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：神经元阵列由HfAlOx/TiOx多层膜作为阻变层，阻变层的下电极上方构筑了镶嵌在氮化硅层中铝接触点，阻变层上表面的工字型电极和下表面的工字型电极互相垂直，本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，可以通过调控HfAlOx/TiOx多层膜中子层厚度来控制氧空位通道的粗细和断裂连接位置，从而提升器件工作性能的一致性，下电极接触点彼此之间通过氮化硅绝缘可以避免单元器件之间的串扰，为神经形态器件的集成提供了硬件保证。
一种一致性免串扰 hfalo base sub

[发明专利]一种高性能近红外发光钙钛矿薄膜及制备方法-CN202310612260.3在审
发明人：徐骏;隽方蓥;许筱晓;赵昕宇;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能近红外发光钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：第一步，合成全无机钙钛矿纳米晶；第二步，准备干净的衬底与配制钙钛矿前驱体溶液；第三步，配制反溶剂并掺杂所述第一步制备的全无机钙钛矿纳米晶；第四步，采用两步旋涂法先后在干净的衬底上滴加旋涂钙钛矿前驱体溶液，并在第二步旋涂过程中滴加第三步制备的掺杂全无机钙钛矿纳米晶的反溶剂；第五步，将旋涂完的衬底退火结晶处理，得到全无机钙钛矿纳米晶掺杂的钙钛矿薄膜。本方法制备的钙钛矿薄膜过程简单、可控、可重复。
一种性能红外发光钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]碳化硅基质中纳米硅神经元器件及其制备方法-CN202111635890.X在审
发明人：马忠元;朱旭;陈坤基;徐骏;徐岭 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅基质中纳米硅神经元突触器件。该神经元突触器件的特征在于：神经元器件由镶嵌在不同化学配比的碳化硅薄膜中的纳米硅阵列组成，本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，通过含氢碳化硅薄膜的碳硅比调控，从而获得由不同尺寸大小的纳米硅阻变通道，进而调节神经元器件的权重，使纳米硅阻变存储器可切实应用于未来的神经元器件中。
碳化硅基质纳米神经元器件及其制备方法

[发明专利]3D架构垂直沟道纳米硅环栅存储器的制备方法-CN202111635960.1在审
发明人：马忠元;陈坤基;徐骏;徐岭;李伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D环栅量子点存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：其特征在于：以非晶硅作为存储器件沟道，所述非晶硅纳米柱的上下两端作为浮栅存储器沟道的源漏电极，以及环绕在非晶硅柱侧壁的纳米硅浮栅层，所述纳米硅浮栅由隧穿层、纳米硅层和高K介质控制层组成；在控制层表面沉积金属层，形成栅电极；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，纳米硅浮栅存储器由于其分立电荷存储的优势，在写入和擦除过程中电荷可以独立存储在彼此分立的纳米硅中，另外纳米硅浮栅存储器的隧穿层较薄，可以在较小的工作电压下完成写入和擦除的工作，实现低功耗。
架构垂直沟道纳米硅环栅存储器制备方法

[发明专利]3D架构水平非晶硅沟道的硅量子点闪存及其制备方法-CN202111680291.X在审
发明人：马忠元;冷康敏;朱旭;陈坤基;徐骏;徐岭;李伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明涉及3D架构水平非晶硅沟道的硅量子点闪存及其制备方法，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：以多层非晶硅作为存储器件沟道，并以氧化硅作为隔离层，所述非晶硅两端作为浮栅存储器沟道的源漏电极，所述硅量子点浮栅由隧穿层、纳米硅层和高K介质控制层组成；在控制层表面沉积金属层，形成栅电极；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，硅量子点浮栅存储器由于其分立电荷存储的优势，在写入和擦除过程中电荷可以独立存储在彼此分立的纳米硅中，另外纳米硅浮栅存储器的隧穿层较薄，可以在较小的工作电压下完成写入和擦除的工作，实现低功耗。
架构水平非晶硅沟道量子闪存及其制备方法

[发明专利]一种3D无结增强型浮栅存储器及其制备方法-CN202210011980.X在审
发明人：马忠元;于心月;朱旭;陈坤基;徐骏;徐岭;李伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D无结增强型浮栅存储器及其制备方法，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：其特征在于：以非晶硅环绕层作为存储器件沟道，通过控制非晶硅环绕层的周长可以实现增强型沟道，所述非晶硅环绕层的上下两端作为浮栅存储器沟道的源漏电极，以及环绕在非晶硅侧壁的纳米硅浮栅层，所述纳米硅浮栅存储由隧穿层、纳米硅层和氮化硅控制层组成；在控制层表面沉积金属层，形成栅电极；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，非晶硅层无须掺杂就可以实现增强特性，降低工艺成本，纳米硅浮栅存储器由于其分立电荷存储的优势，在写入和擦除过程中电荷可以独立存储在彼此分立的纳米硅中，另外纳米硅浮栅存储器的隧穿层较薄，可以在较小的工作电压下完成写入和擦除的工作，实现低功耗。
一种增强型浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]尺寸可控的磷掺杂纳米硅量子点LED器件及制备方法-CN202211564833.1在审
发明人：徐骏;孙腾;李东珂;陈佳明;韩俊楠;王宇皓;李伟;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种尺寸可控的磷掺杂纳米硅量子点LED器件，包括p型硅衬底材料层，所述衬底背面蒸镀有金属Al电极，还包括多层交替沉积于所述p型硅衬底材料层上的磷掺杂非晶硅子层和碳化硅子层，所述磷掺杂非晶硅子层经热处理后形成纳米硅，进而成为磷掺杂的纳米硅量子点层；所述碳化硅子层为热处理后形成的致密碳化硅层，最上层掺杂纳米碳化硅量子点层的表面制有ITO电极。本发明在室温条件下，实现了纳米硅量子点LED器件的高效电致发光。利用周期性生长异质结结构，使得纳米硅尺寸可控。引入禁带宽度更窄的碳化硅作为介质层，改善器件整体的电学特性；引入磷杂质进行掺杂，改善纳米硅界面结构，有效减少纳米硅量子点中存在的大量缺陷，并提高了纳米硅量子点的电学特性，降低了器件开启电压，提高发光效率。
尺寸可控掺杂纳米量子 led 器件制备方法

[发明专利]光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法-CN202110661496.7有效
发明人：董恒平;陈坤基;杨华烽;窦如凤;井娥林;李伟;徐骏 -专利权人：南京理工大学泰州科技学院
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面，被配置为紫外光吸收层以产生载流子；叉指状电极，形成于所述非晶掺氧氮化硅薄膜表面。本发明的日盲紫外探测器采用发光的宽禁带非晶掺氧氮化硅(a‑SiNx:O)薄膜作为紫外光吸收层，以P型晶硅(p‑Si)或本征晶硅(i‑Si)作为载流子传输层，构建的光导型全硅基日盲紫外探测器不仅成本低廉，而且能与成熟的CMOS制造工艺相兼容，从而实现大面积生产。
光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法

[发明专利]一种空气中制备高性能近红外钙钛矿薄膜的方法-CN202210024343.6在审
发明人：徐骏;许筱晓;肖科;朱挺;朱钰;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气中制备高性能近红外钙钛矿薄膜的方法，该方法包括四步：(1)钙钛矿前驱体溶液的配制，(2)反溶剂的掺杂及配制，(3)使用旋涂法将钙钛矿旋涂在衬底上，(4)衬底转移至热台上退火结晶形成钙钛矿薄膜；所述钙钛矿材料的通式为ABX3，其中A为单价阳离子，B为二价金属阳离子，X为卤素阴离子；反溶剂中混合掺杂六氟磷酸四丁胺(TBAPF‑6)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，两种材料共同掺杂，在空气湿度40％的条件下，钙钛矿薄膜的荧光强度可以提升至未处理钙钛矿薄膜的15倍。
一种空气制备性能红外钙钛矿薄膜方法

[发明专利]一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2-CN202010636000.6有效
发明人：徐骏;张阳熠;王理想;陈佳明;侯国智;李东珂;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射的硅基SnO2:Er3+复合薄膜及制备方法，所述的碱土金属离子包括镁Mg2+、钙Ca2+、锶Sr2+和钡Ba2+；硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜，其结构为SnO2:Er3+纳米晶镶嵌的非晶SiO2薄膜；相对于Si元素Sn4+的掺杂浓度范围为5‑50mol％，Er3+离子的浓度为3‑10mol％，碱土金属掺杂浓度为0.01‑25mol％。通过碱土金属离子掺杂提高硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜红外光发射的强度。采用碱土金属氯酸盐作为掺杂剂，通过匀胶技术结合后退火处理制备碱土金属离子掺杂硅基SnO2:Er3+复合结构薄膜。
一种碱土金属离子掺杂提高红外光发射 sno base sub

[发明专利]一种硅基宽光谱吸收光热转换材料及其制备方法-CN201810103181.9有效
发明人：徐骏;宋小瑛;宋虎成;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基宽光谱吸收光‑热转换材料，包括设有互联纳米线的核壳结构本体，所述核壳结构本体包括上部结构和下部结构；所述上部结构的纳米线上镶嵌有合金量子点，所述下部结构的纳米线上嫁接有纳米线；所述互联纳米线、镶嵌的合金量子点以及嫁接的纳米线构成三维纳米分级结构。本发明设计的纳米分级结构不仅可以有效利用一维纳米线阵列的陷光特性，提高光的捕获能力。而且，此核壳纳米线结构在高温还原的过程中可以生成合金量子点镶嵌在互联的核壳纳米线上，通过金属的局域表面等离激元效应增强Si或Ge等壳层材料对太阳光的吸收能力。此外，能够有效利用金属纳米颗粒的光热特性将吸收的光转换成热量局域在器件表面。
一种硅基宽光谱吸收光热转换材料及其制备方法

[发明专利]一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法-CN201810959326.5在审
发明人：徐骏;刘孝龙;季阳;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法，以石英和单晶硅作为衬底，利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)生长一层磷掺杂非晶富硅SiC薄膜，通过改变原料气甲烷(CH₄)、硅烷(SiH₄)和适量的磷烷(PH₃)的气体流量，实现C/Si比的调节以及掺杂浓度的改变；其中CH₄/SiH₄气体流量的比例范围为0.3～3，PH₃的气体流量变化为0sccm～80sccm；通过退火，使非晶SiC薄膜得到晶化，形成镶嵌于非晶SiC膜中的硅纳米晶。SiH₄气体流量1sccm以上，PH₃的气体流量0.5～80sccm以上。
气体流量非晶带隙可调高电导率硅基薄膜制备等离子增强化学气相沉积退火单晶硅原料气甲烷硅纳米晶磷掺杂衬底富硅硅烷晶化磷烷石英掺杂镶嵌生长

[发明专利]利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法-CN201610395687.2有效
发明人：徐骏;陆鹏;李东珂;季阳;钱明庆;翟颖颖;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(LSPR)效应的表征：采用傅里叶变换红外光谱仪对不同掺杂浓度的多层膜样品进行测试，得到了在1微米之内短波长范围的红外光谱吸收，对应于样品的局域表面等离激元共振吸收；第二步：利用掺杂纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振峰估算纳米硅量子点中的掺杂浓度与掺杂效率。
利用局域表面离激元共振效应估算纳米量子掺杂效率方法

[发明专利]一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法-CN201710733295.7在审
发明人：徐骏;刘婧婧;李东珂;沐维维;季阳;吴仰晴;林泽文;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，硅基异质结电致发光器件采用钙钛矿电致发光器件，其结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层‑电子阻挡层、发光层、电子传输‑空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层‑电子阻挡层为Si基材料，包括p‑Si、p‑Si+SiO2、p‑Si+SiC、p‑Si+SiN以及非晶硅；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X＝Cl、Br或I；采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ‑100MHZ,占空比20％‑80％；(2)正弦波驱动频率10HZ‑100MHZ。
一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结电致发光器件及制备方法-CN201710733302.3在审
发明人：徐骏;刘婧婧;李东珂;季阳;吴仰晴;林泽文;陈坤基 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：钙钛矿/硅异质结电致发光器件，所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层‑电子阻挡层、发光层、电子传输‑空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层‑电子阻挡层为Si基材料，包括p‑Si、p‑Si+SiO2、p‑Si+SiC、p‑Si+SiN以及非晶硅，包括这些但不限于此；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合(X＝Cl，Br，I)。
一种钙钛矿硅异质结电致发光器件制备方法

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