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[发明专利]用于非易失性存储装置的错误纠正的控制验证操作的方法及非易失性存储装置-CN202010440621.7在审
发明人： 陈伯苓;赤荻隆男;杨宇国 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于非易失性存储装置的错误纠正的控制验证操作的方法，所述方法包括以下内容；用于所述非易失性存储装置的错误纠正的容错位值被设定为第一数值，以依据所述容错位值控制多个验证操作。在所述非易失性存储装置的至少一部分被编制特定次数后，所述容错位值从所述第一数值更新为第二数值，以依据所述容错位值控制所述多个验证操作，其中，所述第二数值大于所述第一数值且小于或等于容错位阈值。所述方法可以在所述非易失性存储装置的至少一部分被编制且被验证期间而被执行。
用于非易失性存储装置错误纠正控制验证操作方法

[发明专利]闪存器件的列译码及预充电-CN03819817.7无效
发明人：杨天钧;谢明辉;K·栗原;陈伯苓;K·王;M·S·钟 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2003-06-10 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明说明读取存储单元的方法，和使用这些方法的存储器阵列。一组存储单元排列成具有行(X－次元)与列(Y－次元)的长方形阵列。在一行中，存储单元的源极和漏极耦接形成一线型链。一条共同的字线与该行中的每个栅极耦接。链中相邻存储单元之间的每一个节点与一条独立的列线耦接。四列Y－译码器用于选择感测操作用的列线。在感测操作中，将电压源提供给四列中的两列。预充电时，将一电负载提供给存储器阵列中的第一节点。将在同一条字线上与第一节点相隔至少一个介于其间的节点的第二节点预先充电。
闪存器件译码充电

[发明专利]用于快速且准确的存储器读取操作的电路-CN200480006883.1有效
发明人：李宾宽;陈伯苓;R·塔索 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了一种用于在读取操作期间读出目标单元内电流的存储器电路。依据一个示意性实施例，此存储器电路包含目标单元(305)、第一邻近单元(355)、和运算放大器(381)。第一目标单元的第一位线(316)连接至接地端；目标单元的第二位线(321)则连接至漏极电压。读出电路(360)在第一节点(320)连接至第一位线(316)或第二位线(321)的至少其中之一。第一邻近单元(355)的第三位线(341)连接至第二节点(350)。运算放大器(381)的输出端在读取操作期间在第二节点(350)连接至第三位线(341)。运算放大器(381)的非反相输入端连接至第一节点(320)，且其反相输入端连接至第二节点(350)。
用于快速准确存储器读取操作电路

[发明专利]使用预先擦除步骤擦除闪存的方法-CN03811863.7有效
发明人：李宾宽;D·汉密尔顿;K·坦派尔若杰;刘智征;何毅;郑伟;陈伯苓;M·范博斯科克 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-04-22 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：一种擦除闪存单元扇区的方法，其中对该闪存单元扇区施加第一组预设的预先擦除电压(步骤402)。在施加第一组预设的预先擦除电压之后，判定是否应该在闪存单元扇区上施加另一组的预设预先擦除电压(步骤410)。假使无须施加另一组预设预先擦除电压，则对扇区进行标准擦除过程(步骤411)。
使用预先擦除步骤闪存方法

[发明专利]动态参考编程的算法-CN03807742.6有效
发明人：李宾宽;陈伯苓 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-02-14 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种循环双位闪存阵列的方法，该阵列具有复数个排列在复数个扇区(302)中的双位闪存单元(10)，各扇区具有相关参考阵列，该相关参考阵列具有双位闪存单元(10)，这些双位闪存单元(10)连同扇区中的复数个双位闪存单元(10)一起循环。随后则对该相关参考阵列中的双位闪存单元(10)进行编程。
动态参考编程算法

[发明专利]用于动态页编程的更新设计-CN03807744.2有效
发明人：李宾宽;钟成智;陈伯苓 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-02-14 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种闪存阵列，其具有被分成连接到字线(12、202、208)的区段的多个双位存储单元(10、210、212、214、216、220、222)以及一对参考单元(218)，此参考单元与各区段逻辑地相关。一种将需要改变的区段或者多个区段字再编程的方法，包括将允许的改变输入到闪存阵列；在各区段中读取受到改变的字或者多个字；对各区段中将受到改变的字或者多个字中的位进行编程；将在受到改变的字或者多个字中的先前受到编程的位更新；将在各区段中改变的字或者多个字中先前受到编程的位更新；将在各区段中剩余字或者多个字中先前受到编程的位更新；以及将在已经被改变的区段中的各对参考单元中先前受到编程的位(10、210、212、214、216、220、222)予以更新。
用于动态编程更新设计

[发明专利]双位存储器擦除校验方法及系统-CN01819292.0有效
发明人： E·V·波提斯塔;D·汉米尔顿;W·F·李;陈伯苓;K·H·王 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2001-08-07 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种方法(22)以及系统，用来校验存储单元的擦除，此方法与装置可使用于双位存储单元结构体系中。此方法(22)包含：选择性校验存储单元的第一位(26，28)和存储单元的第二位(30，32)的其中一个的适度擦除；若该存储单元的第一和第二位均已适度擦除，则确定此双位存储单元已适度擦除；以及若第一和第二位中，其中有一个位并未适度擦除，则选择性地擦除(40)存储单元的第一和第二位中的至少一个位。此方法亦可包含在选择性地擦除该第一或第二位中的至少一个位之后，选择性地再校验第一和第二位(42，26，28)中其中一个位的适度擦除。
存储器擦除校验方法系统

[发明专利]为低VCC读取提升位线电压的方法及装置-CN01816763.2有效
发明人： M·A·万布斯科;陈伯苓 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2001-12-12 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器装置，该存储器装置具有与节点(A)电连通的存储单元(202)，而当应用一第一电压于该存储单元(202)时，可操作以指示于读取操作期间与储存于存储单元(202)的数据相关联的二进制值。该存储器件包括连接于节点和供应电压之间的电压升压器(220)，该供应电压于读取操作期间，为节点提供提升电压，其中该提升电压大于该供应电压。本发明也揭示一种用于读取储存于存储单元(202)中数据的方法(300)，包括施加(306)升压电压于与该存储单元(202)电连接的节点(A)，其中该提升电压大于该供应电压，以及感测(310)与存储单元(202)相关联的电流，以为了指示于读取操作期间，与储存于存储单元(202)的数据关联的二进制值。
vcc 读取提升电压方法装置

[发明专利]减少闪存中X译码器电容性负载以精确字符线和选择线的电压控制的方法-CN01811070.3无效
发明人：毕·Q·雷;栗原和弘;陈伯苓 -专利权人：先进微装置公司;富士通股份有限公司
申请日： 2001-06-04 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种用于降低在闪存X－译码器内的电容负载以便精确控制在选择字符线和区块选择线上的电压的装置和方法。译码结构(18)分别提供第一升压电压给字符线N－井区及提供第二升压电压给选择字符线，以便降低在选择字符线上由于与字符线N－井区相关的大电容负载所导致的电容负载。该译码结构更分别提供第三升压电压给选择栅极N－井区及提供第四升压电压给选择区块选择线，以便降低在选择区块选择线上由于与选择栅极N－井区相关的大电容负载所导致的电容负载。因此，因为其电容负载的路径非常小，可在选择字符线上快速产生精确的电压。
减少闪存译码器电容负载精确字符选择电压控制方法

[发明专利]非易失性存储单元的均匀位线交连-CN01809611.5无效
发明人： M·W·雷恩多芬;S·C·豪曼;陈伯苓;R·M·费斯多 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2001-05-01 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元阵列，此存储单元阵列包含多个存储单元，各存储单元通过M条字线与M条位线(224)的栅格而互联，其中，M＝2，3，4，5，…，并且M条位线(224)中的每一条均隐埋。该阵列还包含多个接头(228)，其中N条字线中的每一条，N＝1，2，3，…，均形成多个接头(228)中的一个接头，其中，多个接头(228)中的每一个均覆盖多个存储单元中的一个不同的栅极(229)。交连带(231)将隐埋位线(224)的其中一条连接至位于多个接头(228)的其中一个的下方的栅极(229)，并且每P条字线即形成一个选择晶体管(232)，其中P大于N。
非易失性存储单元均匀位线交连

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