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[发明专利]碲镉汞红外探测器的形成方法-CN202311007631.1在审
发明人： 陈世锐;龚汉红;丁俊毅;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的形成方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；去除碲镉汞半导体基底表面自然氧化形成的氧化层；在碲镉汞半导体基底的表面形成光刻胶层；光刻光刻胶层，使得剩余的光刻胶层为多个大小和形状均相同的点阵形状；在光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面和光刻胶层的表面均形成钝化层；去除光刻胶层以及光刻胶层的表面的钝化层，以在钝化层内形成开孔。本发明线通过图案化的光刻胶定义开孔的位置和形状，再在图案化的光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面形成钝化层。在钝化层中形成了比较一致的多个开孔，没有腐蚀过多的钝化层，使得开孔之间的钝化层的横截面面积达标，减小了钝化层的表面出现漏电的几率。
碲镉汞红外探测器形成方法

[发明专利]消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器-CN202310213025.9在审
发明人：谭必松;龚汉红;陈世锐;程佩琪;李克俊;林欢欢;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器，包括：碲镉汞薄膜，碲镉汞薄膜分为第一离子区和多个间隔的第二离子区，第一离子区和多个第二离子区分别形成多个PN结；多个间隔的电极层，均位于碲镉汞薄膜的背面，电极层与第二离子区接触，并且每个第二离子区均与一个电极层接触；多个钝化层，均位于碲镉汞薄膜的背面，每相邻两个电极层之间均设置一个钝化层；读出电路，通过多个铟柱与所有电极层均连通；导电膜，位于所有碲镉汞薄膜的正面；公共电极，与读出电路均电连接。在大面阵芯片中，本发明消除了边缘像元的开启电压与中心区域像元的开启电压之间的差异，从而使得边缘像元和中心区域像元实现了同步开启。
消除电位偏置效应大面红外探测器

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片的分割方法-CN202310253513.2在审
发明人： 陈世锐;李伟伟;丁俊毅;居龙飞;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层。本发明在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。
碲镉汞红外探测器芯片分割方法

[发明专利]半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法-CN202310254591.4在审
发明人：杜宇;陈世锐;黄先念;段鹏;姚佳静;刘竟然;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法，形成方法包括：提供基片，基片上覆盖有剥离材料层；形成光刻胶材料层覆盖剥离材料层，对光刻胶材料层执行第一前烘烤，并冷却预设时间后，再执行第二前烘烤；执行曝光工艺及显影工艺，去除部分光刻胶材料层及剥离材料层，以形成光刻胶图形及剥离图形，剥离图形相对光刻胶图形沿基片表面内缩形成侧向凹槽；执行镀膜工艺，形成半导体薄膜覆盖基片的表面及光刻胶图形的外壁，剩余的侧向凹槽作为剥离窗口；执行剥离工艺，形成半导体图形。本发明中，解决镀膜后半导体薄膜较难剥离及剥离后质量不佳的问题。
半导体图形形成方法制冷红外探测器制造

[发明专利]一种小球自动计数装置及系统-CN202111648395.2在审
发明人：梁佳琦;黄创奇;马雨聪;陈世锐 -专利权人：优必选（湖北）科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： A63B71/06 文献下载
摘要：本申请适用于数据处理技术领域，提供了一种小球自动计数装置及系统，小球自动计数装置，包括：集球组件、RFID天线组件和数据处理组件；RFID天线组件和数据处理组件通信连接；集球组件用于采集小球并将小球传送至RFID天线组件；RFID天线组件用于读取小球的标签数据，并传输至数据处理组件；数据处理组件用于对标签数据进行解析，确定小球的属性信息和唯一标识，并根据属性信息和唯一标识确定每种属性的小球的计数值。本申请通过对小球中的标签信息进行识别得到小球的属性信息和唯一标识，从而确定每种属性的小球的计数值，节约了计数所耗的人力和时间，提高了计数效率。
一种小球自动计数装置系统

[发明专利]一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法-CN202111664539.3在审
发明人：龚汉红;陈世锐;陈路;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，包括如下步骤：S1：对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形，边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距；S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面，将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外，提升了碲镉汞芯片制备的合格率。
一种有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹方法

[发明专利]一种编程方法、电子设备及计算机可读存储介质-CN202111226832.1在审
发明人： 陈世锐;孙雪松;立嘉;罗卫国;甘胜鑫 -专利权人：深圳市优必选科技股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G09B19/00 文献下载
摘要：本申请适用于智能教育技术领域，提供一种编程方法、电子设备及计算机可读存储介质；其中，编程方法包括：使控制设备在服务设备的控制下进入编程模式，并通过服务设备间接控制受控设备执行对应的操作；使控制设备在受控设备的控制下进入空鼠模式，并直接控制受控设备执行对应的操作。利用编程方法进行编程教育或学习时，用户可以摆脱传统的单机操作，基于三个设备之间的交互方式，通过控制设备采用预先设置好的控制指令直接或间接控制受控设备，便于用户理解并运用人工智能技术来解决生活和学习中的现实问题，寓教于乐，更具趣味性。
一种编程方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种交互学习方法、装置、智能学习设备及存储介质-CN202011193201.X在审
发明人： 陈世锐;钟永;立嘉;曾斌 -专利权人：深圳市优必选科技股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本申请适用于计算机技术领域，提供了一种交互学习方法、装置、智能学习设备及存储介质。该方法包括获取输入数据；输入数据包括环境物体的输入数据和/或用户手势；根据输入数据确定对应的控制指令，控制指令包括执行主体以及控制动作；向执行主体发送控制指令，控制指令用于指示执行主体执行控制动作。本申请实施例提供的交互学习方法，实现了环境物体和/或用户手势对各种执行主体的控制，增加了交互方式的多样性，将交互方式由现有技术中常见的移动终端触摸屏触方式变更为与环境物体和/或用户手势的互动，增加交互的趣味性。
一种交互学习方法装置智能学习设备存储介质

[实用新型]一种焦平面探测器的互联结构-CN201521061122.8有效
发明人：黄立;金迎春;周文洪;刘斌;姚柏文;汪良衡;陈世锐;戴俊碧 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种焦平面探测器的互联结构，包括以阵列形式设在光敏材料面及读出电路面上的互联单元、相邻单元，其中：在光敏材料面上的互联单元与相邻单元之间以垂直向位设置；在读出电路面上的互联单元及相邻单元分别以错位对应光敏材料面上的互联单元及相邻单元设置，使得光敏材料面上的互联单元与读出电路面上的互联单元耦合成十字交叉状，同时光敏材料面上的相邻单元与读出电路面上的相邻单元也耦合成十字交叉状，藉由前述构造，解决了倒装焊互联对位困难且会产生滑移互联不通，或互联错位的技术问题，达成了提升对位精度、单元之间不易错连以及降低压焊压力和压焊所造成的材料浪费的良好效果。
一种平面探测器联结

[发明专利]一种红外探测器铟柱的工艺方法-CN201510945699.3在审
发明人：黄立;金迎春;周文洪;刘斌;姚柏文;汪良衡;陈世锐;戴俊碧 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外探测器铟柱的工艺方法，包括在芯片上以叠加形式旋涂两层光刻胶，还包括先在芯片上旋涂一层负性光刻胶，再在负性光刻胶上旋涂一层反转光刻胶；通过有掩膜板曝光和无掩膜板曝光，使得芯片上两层光刻胶上半部断面轮廓呈梯形，下半部断面轮廓呈倒梯形；铟膜沉积，铟沉积窗口不会明显减小，铟柱呈平台状，有利于后续制成，藉由前述方法，解决了在芯片上制成平顶铟柱的技术问题，达成了易于制成、价格低廉及利于与外部设备结合的良好效果。
一种红外探测器工艺方法

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