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[发明专利]一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法-CN202110639970.6有效
发明人：朱天飞;梁言;刘璋成;王艳丰;邵国庆;何适;问峰;王宏兴 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
一种成像激光系统元件制作方法

[发明专利]载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法-CN202211599409.0在审
发明人：王玮;牛田林;梁月松;陈根强;方培杨;冯永昌;熊义承;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。
载流子迁移率增强金刚石场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种纳米透镜阵列及其制备方法-CN202211696916.6在审
发明人：朱天飞;李珀;问峰;王宏兴 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米透镜阵列及其制备方法，其中一种纳米透镜阵列的其制备方法包括如下步骤：在衬底的一个表面上涂覆光刻胶，用具有圆孔阵列的掩膜板对所述光刻胶进行遮挡，然后对所述光刻胶进行曝光处理和显影处理，在所述衬底上得到具有圆孔阵列的光刻胶薄膜；对具有圆孔阵列的所述光刻胶薄膜的所述衬底镀金属层；将所述光刻胶薄膜从所述衬底剥离，得到金属圆盘阵列；在具有所述金属圆盘阵列的所述衬底进行退火处理，以使所述金属圆盘阵列熔化并缩聚成金属球体阵列，所述金属球体阵列作为衬底的刻蚀掩膜；对具有所述金属球体阵列的所述衬底进行干法刻蚀，得到纳米透镜阵列。该制备方法制备的纳米透镜阵列的成本低，且操作简单。
一种纳米透镜阵列及其制备方法

[发明专利]一种金刚石场效应晶体管及其制备方法-CN202211600276.4在审
发明人：王玮;梁月松;牛田林;熊义承;陈根强;冯永昌;方培杨;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。
一种金刚石场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法-CN201910943288.9有效
发明人：王玮;王宏兴;问峰;张明辉;林芳;陈根强 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的AlxGa1‑xN势垒层、形成于AlxGa1‑xN势垒层上的GaN盖帽层以及形成于GaN盖帽层上的电子接收层；其中，电子接收层的功函数大于AlxGa1‑xN势垒层的功函数，电子能够从AlxGa1‑xN/GaN界面二维沟道转移至电子接收层。本发明的增强型GaNHEMT集成结构利用电子接收层与势垒层之间的功函数差，产生较宽的空间电荷区，使得电子从GaN/AlGaN异质界面二维电子气流入电子接收层，进而将栅极下方沟道耗尽，获得增强型器件特性。
一种增强 ganhemt 集成结构及其制备方法

[发明专利](100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法-CN201910890609.3有效
发明人：王宏兴;刘璋成;赵丹;王娟;邵国庆;易文扬;李奇;王玮;问峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法，解决了p沟道结型场效应晶体管空穴迁移率低的问题。(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管，包括设有两个沟道的n型金刚石层，n型金刚石层的表面沿水平方向依次设置有源极、n‑p结和漏极，在n‑p结的上方设置有栅极，源极、漏极与n型金刚石层之间均设置有欧姆电极，欧姆电极即为高导电表面。
100 金刚石沟道场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种（100）晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法-CN201910890607.4有效
发明人：王宏兴;刘璋成;赵丹;王娟;邵国庆;易文扬;李奇;王玮;问峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法，解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题，从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管，其具体结构为：由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石和n型金刚石薄层；在n型金刚石薄层上：一部分为由下至上层叠设置的高导电表面和欧姆电极I，另一部分为由下至上层叠设置的i型金刚石、p型金刚石和欧姆电极II。
一种 100 金刚石二极管及其制备方法

[发明专利]一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法-CN201811075622.5有效
发明人：王玮;王宏兴;问峰;王艳丰;林芳;张明辉;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
一种金刚石基多通道调控场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法-CN201910194062.3有效
发明人：王玮;王宏兴;张明辉;林芳;问峰;王艳丰;陈根强;卜忍安 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电沟道上设置有低功函数导电栅极层，低功函数导电栅极层上设置有栅电极；其中，低功函数导电栅极层与导电沟道接触，能够产生达到预设阈值的势垒高度，用于夹断沟道。本发明的金刚石基场效应晶体管，利用肖特基势垒产生的空间电荷区将氢终端金刚石表面产生的二维空穴气完全耗尽，夹断沟道实现常关型器件特性；本发明不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
函数导电栅极金刚石场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法-CN201910890576.2有效
发明人：王宏兴;刘璋成;赵丹;王娟;邵国庆;易文扬;李奇;王玮;问峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法，包含以下步骤：步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研磨抛光，以获得光滑表面；步骤二、利用MPCVD方法在所述n型单晶金刚石被研磨的表面生长一层n型单晶金刚石外延薄层，然后采用酸洗或者紫外臭氧处理将所述薄层表面氢终端转变成氧终端，得到样品A；步骤三、将氧化后的样品A置于退火炉中退火，使所述薄层表面的磷析出、碳原子重构，得到高导电金刚石表面；步骤四、在高导电金刚石表面镀上金属电极，置于退火炉中退火，形成欧姆接触。
一种 100 取向型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法

[发明专利]一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法-CN201811074396.9有效
发明人：王玮;王宏兴;问峰;王艳丰;张明辉;林芳;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
一种掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种微透镜阵列的集成非平面紫外光电探测器-CN201710423435.0有效
发明人：王宏兴;朱天飞;刘宗琛;刘璋成;王玮;问峰;卜忍安;张景文;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种微透镜阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
一种透镜阵列集成平面紫外光电探测器

[发明专利]界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法-CN201910194666.8有效
发明人：王玮;王宏兴;林芳;张明辉;问峰;王艳丰;陈根强;卜忍安 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
界面电荷补偿常关型金刚石场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种单晶金刚石n-i-p结核动力电池-CN201921567676.3有效
发明人：王宏兴;刘璋成;赵丹;王娟;邵国庆;易文扬;李奇;王玮;问峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型的目的是提供一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，包括层叠接触设置的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石层、i型金刚石层、p型金刚石层和p型欧姆电极；在n型金刚石层与i型金刚石层所接触的表面上，一部分接触设置i型金刚石层，其余部分接触设置n型欧姆电极；p型欧姆电极通过引线连接有，i型金刚石层通过引线连接有；还包括放射源，放射源设置于p型欧姆电极的上方，或者环绕设置于i型金刚石层的外侧。
一种金刚石结核动力电池

[发明专利]一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用-CN201910943269.6在审
发明人：王玮;王宏兴;张明辉;问峰;林芳;陈根强 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p‑GaN材料层，所述p‑GaN材料层形成有重掺杂p‑GaN层；所述重掺杂p‑GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p‑GaN层中，Mg掺杂浓度≥1×1020cm‑3。本发明的p‑GaN欧姆接触电极，具有低比接触电阻率的欧姆接触特性。
一种 gan 欧姆接触电极及其制备方法应用

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