专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锑化铟芯片的制备方法-CN202011383350.2在审
  • 郑律;马可军;俞振中;门楠;陈占胜 - 浙江森尼克半导体有限公司
  • 2020-12-01 - 2021-04-06 - H01L31/18
  • 本申请公开了一种锑化铟芯片的制备方法,该制备方法包括:制备一个第一预设厚度的n型锑化铟单晶晶圆;对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行化学腐蚀以除去第二预设厚度的损伤层;对所述锑化铟单晶晶圆的正面进行半导体掺杂以使所述锑化铟单晶晶圆具有一个第一预设深度的p型层;对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行光刻以形成芯片图形;对所述锑化铟单晶晶圆的p型层进行蒸镀以形成芯片电极;用填充物填充至所述锑化铟单晶晶圆的正面并将所述锑化铟单晶晶圆反贴至一个基片;对所述锑化铟单晶晶圆的反面进行减薄至预设位置。本申请的有益之处在于提供了一种能有效克服分凝系数以及加工误差带来的良率问题的锑化铟芯片的制备方法。
  • 锑化铟芯片制备方法
  • [实用新型]一种气相生长ZnTe单晶体的装置-CN201920733278.8有效
  • 郑律;马可军;俞振中;门楠 - 浙江森尼克半导体有限公司
  • 2019-05-21 - 2020-04-07 - C30B29/48
  • 本实用新型公开了一种气相生长ZnTe单晶体的装置及方法,该装置包括:加热炉,延轴向依次包括恒温区和线性降温区,所述加热炉具有贯通所述两个温区的炉腔;石英管,安置在所述加热炉的炉腔中且二者能够沿炉腔轴向相对移动;组合石英舟,由主舟、料舟和长晶套管组成。该装置具有第一工作状态和第二工作状态,在所述第一工作状态时,所述主舟与长晶套管分离,抽石英管内气压至10‑5Pa然后冲入氩气。在所述第二工作状态时,主舟与长晶套管由石英磨砂连接,主舟内形成密闭空间,加热料舟至目标温度,控制加热炉以一个与晶体生长速率相匹配的恒定速度沿炉腔轴向移动,从而使在长晶过程中ZnTe晶体的固气界面始终保持恒定的生长温场环境,实现ZnTe单晶的稳定生长。
  • 一种相生znte单晶体装置
  • [实用新型]组合式氧浓度监测实验装置-CN201220046820.0有效
  • 夏春波;罗兆宏;刘漫君;曾庆懋;李雄辉;卢慧玲;陆竞艳;莫刚;兰羚元;农琳琳;门楠 - 桂林医学院
  • 2012-02-14 - 2012-10-17 - A61B19/00
  • 本实用新型公开一种组合式氧浓度监测实验装置,包括实验箱,所述实验箱主要由2个或2个以上透明的单元腔级联而成;上述每个单元腔的2个侧壁上各设有进孔和出孔;两个相邻的单元腔中的前一级单元腔的出孔与后一级单元腔的进孔相接,并使得两个相邻单元腔的内部相连通;第一级单元腔的进孔形成实验箱的进气口,该进气口通过进气控制阀与外部设有的供气罐相连;最后一级单元腔的出孔形成实验箱的出气口,该出气口与实验箱外部大气相通。本实用新型可用于观察装置内的实验动物在注入不同干扰因素后对不同氧浓度的反应,以为后续抑制氧疗危害药物的研制提供可靠的实验数据。
  • 组合式浓度监测实验装置

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