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[发明专利]Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法-CN200810051709.9无效
发明人：李金华;方铉;赵东旭;王晓华;魏志鹏;苏广义 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：Mg掺杂ZnO纳米线电化学沉积制备方法属于半导体发光材料技术领域。现有制备Mg掺杂ZnO纳米材料的分子束外延、金属有机化学气相沉积和磁控溅射等方法需要使用昂贵设备，并且能耗大、成本高、操作复杂，原料的利用率低，可重复性差。本发明采用电化学沉积方法制备Mg掺杂ZnO纳米线，首先配置先驱体溶液，锌源为醋酸锌，镁源为醋酸镁，六次甲基四胺作为表面活性剂，所述两种金属离子物质的量与六次甲基四胺物质的量相等；然后进行电化学沉积，将先驱体溶液转入三电极体系，其中以导电衬底作为工作电极，箔片作为辅助电极，Ag/AgCl作为参比电极，沉积温度为80～90℃，沉积时间为0.5～1.0h，沉积电位为-0.8～-1.0V；最后做后处理，将产物冲洗、干燥。
mg 掺杂 zno 纳米电化学沉积制备方法

[发明专利]一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片-CN200910066447.8无效
发明人：邓昀;曲轶;张晶;乔忠良;李辉;李梅;芦鹏;王玉霞;高欣;李占国;刘国军;王晓华 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造半导体激光器芯片绝缘膜层的技术，该技术属于半导体发光器件的介质膜制造领域。传统制造绝缘膜层的技术应用热蒸发、溅射或各种CVD技术，在器件外延片表面沉积SiO₂或Si₃N₄薄层作为绝缘膜，这些传统技术及其所产生的膜层会对外延材料表面造成损伤。本发明使用脉冲阳极氧化的方法，以外延材料中的Al、As等元素为原料反应生成绝缘膜层，克服了在传统制造绝缘层工艺中存在的问题。该发明可应用于半导体发光器件的制造领域。本发明还涉及一种应用脉冲阳极氧化技术制作的，专门应用在无需制冷长期连续稳定运转的光纤通讯设备中的边发射型长波长GaInNAs量子阱半导体激光器芯片，该激光器的波长专门针对G.652光纤的第2窗口，本器件属于半导体发光器件领域。
一种脉冲阳极氧化工艺制作波长通讯 gainnas 半导体激光器芯片

[实用新型]冷热缩相结合电缆终端-CN200820134760.1无效
发明人：苗润忠 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了冷热缩相结合电缆终端，包括：电缆的内层为硅橡胶冷缩复合绝缘或导电应力锥；外层为聚稀烃材料制造的热缩材料层，电缆的一端连接端子密封管，端子密封管通过填充胶粘接接线端子，电缆外侧具有单孔伞群；电缆的另一端顺序连接外半导电层、铜屏蔽、恒力弹簧、地线、电缆PVC护套，电缆PVC护套上具有密封防水胶。由于外层构件采用由聚稀烃材料制造的热缩材料，目的是解决吸尘沿面放电问题，因不采用瓷套，重量属于轻质；内层构件采用硅橡胶冷缩复合绝缘/导电应力锥，发挥冷缩预制式应力锥控制电场应力有效的优势，其中热缩应力管收缩在硅橡胶应力锥控制件的外层，起到二次疏散电应力的作用。
冷热相结合电缆终端

[发明专利]低温CCD微光夜视仪-CN200810051438.7无效
发明人：蔡红星;殷晓鲁;谭勇;邵桢;李俊 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G02B23/12 文献下载
摘要：低温CCD微光夜视仪属于夜视技术领域。现有微光夜视仪的核心部件是微光图像增强器，其光电阴极制作困难、价格昂贵、寿命低、微光阈值低；而现有CCD在常温下暗电流较大，表现为热噪声较大，并且，在图像信号的放大过程中，热噪声同样被放大，当景物照度较低，则需要提高放大倍数，必将导致最终显像噪点增大，成像质量下降。本发明其特征在于，CCD由制冷器制冷至-5～-15℃的低温，制冷器升温一侧与散热器接触；在CCD和前置放大器之间加入电荷放大器，放大自CCD输出的电荷信号并传输给前置放大器。可用于在微弱光照条件下观察景物和图像采集，应用领域包括军事、天文、航天、海洋考察、核物理实验以及需要暗室操作的科研活动领域等。
低温 ccd 微光夜视仪

[实用新型]一种电工电子及自动化综合实验装置-CN200820072421.5无效
发明人：王春阳;裴宁;冯颖娇;田键;王宇;黄磊 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：一种电工电子及自动化综合实验装置，属于教学、实验仪器技术领域，其特征是：由开关控制模块、直流电源实验模板、变频器实验单元、单片机实验模板、可编程控制器、驱动电路实验模板、操作面板、计算机和控制对象组成。在开关控制模块中，空气开关、接触器触点和热继电器连接，三相电源经过空气开关、接触器触点和热继电器向变频器实验单元提供三相电压；小空气开关、按钮和线圈连接，三相电源通过小空气开关、按钮和线圈控制接触器触点开启；接触器触点、变压器和熔断器连接，取三相电源的双相电压经过接触器触点、变压器和熔断器向直流电源实验模板提供交流电压。
一种电工电子自动化综合实验装置

[发明专利]抗HIV-1外膜嵌合蛋白的单克隆抗体-CN200810051640.X无效
发明人：赵丽辉;王会堂;王彬;孔维 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C07K16/10 文献下载
摘要：本发明属于基因工程技术领域，具体涉及到抗HIV-1外膜嵌合蛋白的单克隆抗体及其制备。根据蛋白的疏水性和保守性分析选定抗原基因，再根据抗原的免疫原性去诱导产生抗体，用已经确定的抗原位点制备单克隆抗体。一是操作简便，位点分析明确；二是某些小抗原的抗原性很强，单独与抗体就会有很强的抗原抗体结合反应。本发明选择HIV-1外膜基因的三处抗原位点较多，免疫原性较强的区域，通过原核表达体系表达抗原蛋白，得到检测灵敏度高、特异性好优势抗原用于制备抗HIV-1外膜嵌合蛋白的单克隆抗体。抗HIV-1外膜蛋白的单克隆抗体，可以用基因工程手段发酵生产，价格低，易于普及应用，可进一步用于HIV-1感染的诊断和治疗。
hiv 嵌合蛋白单克隆抗体

[实用新型]光学元件的高精度均匀数控抛光装置-CN200820072378.2无效
发明人：王春阳;聂凤明;吴庆堂;刘劲松;王大森 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： B24B13/04 文献下载
摘要：一种光学元件的高精度均匀数控抛光装置，属于光学机械制造技术领域，其特征是：A轴翻转进给系统由A轴伺服电机作为动力，通过蜗轮蜗杆副、齿轮副带动工件绕A轴作翻转运动；C轴回转进给系统由回转伺服电机作为动力，通过蜗轮蜗杆副最后带动转盘使工件绕C轴作回转运动，蜗轮蜗杆副是消隙滑块结构；动力抛光头系统中抛光模不仅可以平转动，也可以行星转动。有益效果是：改变了抛光点的位置，保证抛光位置始终处于水平状态，确定了高精度均匀数控抛光的方式，使去除函数与实际抛光加工量一致。保证去除函数的高确定性，抛光精度提高为线性趋势，加工效率提高3～5倍。
光学元件高精度均匀数控抛光装置

[实用新型]光学元件的行星主动抛光装置-CN200820072376.3无效
发明人：王大森;聂凤明;吴庆堂;刘劲松;王春阳 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：一种光学元件的行星主动抛光装置，属于光学机械制造技术领域，其特征是：抛光模与动力行星抛光头之间通过球头柔性连接，柱塞推动球头顶杆将抛光模压向工件的抛光表面；抛光头装置采用平行四连杆平衡定位机构；由行星电机传动通过软轴、传动机构传动给抛光模作行星动力转动；通过调节螺杆，调整抛光模的位置可获得不同公转半径。有益效果是：抛光模与抛光磨头之间通过球头柔性连接，便于压缩空气通过导气管输送到抛光头，保证抛光模与工件表面良好的贴合，保证抛光压力均衡和不变，避免了抛光头对光学玻璃元件的冲击造成光学元件的损坏。
光学元件行星主动抛光装置

[发明专利]InAs量子点材料的制备方法及其在太阳能电池中的应用-CN200810051600.5无效
发明人：李林;李占国;李梅;王勇;王晓华;曲轶;薄报学;刘国军 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明提供一种InAs量子点材料的制备方法，和一种由该量子点材料制成的多能带太阳能电池中间能级结构。该结构具有不同尺寸的多层量子点材料，其大致均匀地分布于三维空间。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，调节所选择的材料参数，包括量子点的尺寸、成分和面密度，确定量子点材料的带隙。该方法易于控制，工艺稳定。
inas 量子材料制备方法及其太阳能电池中的应用

[实用新型]热电材料性能测试炉-CN200720094619.9无效
发明人：魏长平;冯建林;管宏伟;许洁 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G01N27/14 文献下载
摘要：热电材料性能测试炉属于材料测试技术领域。已知技术采用主加热器、两个辅助加热器，还采用由压片以及压片升降保持杆所组成的样品固定结构，所采用的两支热电偶的作用仅在于测温，其结构复杂，无法控制测试过程，测试精度低。本实用新型使用主加热器和一个副加热器，两个测温热电偶和两个控温热电偶。待测样品低温端温度与炉腔温度相同，高温端温度由副加热器决定，在同样实现待测样品产生温差的前提下，减少加热部件。四个热电偶的传感端支撑待测样品，不再设置专门的样品固定结构。待测样品的高温端、低温端的控温、测温分别由不同的热电偶完成，从而获得准确、客观的温度、电压数据，提高了测试精度。可用于金属或者氧化物热电材料热电性能的测试。
热电材料性能测试

[发明专利]两步制备NiO透明导电薄膜的方法-CN200810051538.X无效
发明人：王新;李野;王国政;姜德龙;付申成;端木庆铎;吴奎 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：两步制备NiO透明导电薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有方法所采用的NiO陶瓷靶制备工艺较复杂、价格昂贵，易破损。由于在制备NiO陶瓷靶的过程中，Ni和O原子比例已固定，限制了制备的NiO透明导电薄膜中Ni和O原子比例调整范围，不能满足不同的应用需求。由于低温生长的特点导致薄膜中的缺陷较多，从而造成薄膜中载流子迁移率降低，大大降低了NiO透明导电薄膜的导电率和光学透过率。本发明第一步通过溅射Ni靶制备Ni膜；第二步将得到的Ni膜置于500～1200℃范围内的某一温度下的氧化气氛中，氧气流量为5～15l/min，热氧化时间为30～180分钟，将Ni膜氧化而形成NiO透明导电薄膜。
制备 nio 透明导电薄膜方法

[发明专利]晶体透镜自适应补偿热透镜激光谐振腔-CN200810051540.7无效
发明人：吕彦飞;张喜和;姜中明;宁国斌 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：晶体透镜自适应补偿热透镜激光谐振腔属于激光技术领域。现有技术除了采用一个短焦距透镜补偿热透镜效应外，还采取轴移调节一个腔镜的措施实现自适应补偿。在轴移调节过程中存在机械运动，严重影响系统稳定性。本发明是由电光晶体透镜与激光棒热透镜组成望远系统，电光晶体透镜置于电场中，温度传感器与激光棒热透镜接触，并与温度-电压调制电路相连，温度-电压调制电路还与电场电极相连。根据激光棒温度调制电光晶体透镜，实现自适应补偿热透镜。应用于固体激光器谐振腔中，改善光束质量，保证系统稳定性。
晶体透镜自适应补偿激光谐振腔

[发明专利]1.3微米波段InAs量子点材料的制备方法-CN200810050704.4无效
发明人：李林;刘国军;李占国;李梅 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-05-12 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：1.3微米波段InAs量子点材料的制备方法是一种采用MOCVD技术制备发光波长在1.3微米波段的InAs/GaAs量子点材料的方法，属于半导体材料制造技术领域。已知技术采用MBE外延技术离实用化、商业化尚存有距离。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470～490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0～3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20～60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490～510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5～1.5ML。制备出能够制作具有室温连续工作模式器件的1.3微米波段InAs量子点材料，该方法易于控制，工艺稳定。
1.3 微米波段 inas 量子材料制备方法

[发明专利]Ni_xMg_1-xO短波长紫外光探测材料-CN200810051539.4无效
发明人：王新;姜德龙;李野;王国政;付申成 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：Ni_xMg_1-xO短波长紫外光探测材料属于半导体材料技术领域。现有Ga_xAl_1-xN材料存在的不足有，首先，制作薄膜所使用的蓝宝石衬底昂贵；其次，需要使用化学气相沉积等大型、复杂设备生长，生长温度也较高，造成了能源的浪费；第三，禁带宽度调节范围较小，即3.4～6.2eV；第四，GaN和AlN晶格失配和离子半径失配较大，分别为1.8％和15％。本发明之短波长紫外光探测材料的分子式为Ni_xMg_1-xO，0≤X≤1。以石英玻璃为衬底在磁控溅射设备中制作Ni_xMg_1-xO短波长紫外光探测薄膜，所制备的薄膜晶格失配和离子半径失配很小，分别为0.7％和5.7％，禁带宽度为3.6～7.8eV。用来制作短波长紫外光探测器件。
ni sub mg 波长紫外光探测材料

[发明专利]宽距离光束平行性检测装置-CN200810051491.7无效
发明人：张磊;付跃刚;郑建平;张露;刘智颖;胡源 -专利权人： 长春理工大学
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明涉及宽距离光束平行性检测装置，其由自准直平行光管和扩径准直臂构成；本发明装置能够检测宽距离平行光束的平行性，其距离能够达到1.5m，不需要将被检测的两路平行光束包含在自准直平行光管的口径之内，这样能够减小自准直平行光管的口径，并且大大降低了制造自准直平行光管的成本。同时，五棱镜和光楔的使用，使得对五棱镜的加工精度要求大大降低，但这并不影响整个装置的检测精度，反而提供了很高的精度。自准直平行光管中分光系统的引入，使得本装置的检测波段由白光光谱段扩展至激光和红外光光谱段，成为多光谱光学系统。
距离光束平行检测装置