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[发明专利]一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法-CN201910130103.2有效
发明人：高军;朱为为;操国宏;银登杰;唐革;李勇;刘军;王政英;王东东 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
一种硅片承载装置以及对称扩散掺杂方法

[发明专利]一种双向晶闸管及其制造方法-CN201911109074.8有效
发明人：王政英;姚震洋;朱为为;李勇;操国宏;王东东;郭润庆;王亚飞;张西应;高军;银登杰 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。
一种双向晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种薄膜及其制备方法和应用-CN201911268765.2在审
发明人：王东东;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜及其制备方法和应用。该薄膜包括衬底以及沉积于所述衬底表面的具有图形化的DLC层。本发明的薄膜可以具有高精度、复杂化的DLC图形，且能够大规模化生产。
一种薄膜及其制备方法应用

[实用新型]一种晶闸管芯片及晶闸管-CN202021378945.4有效
发明人：王东东;操国宏;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
一种晶闸管芯片

[实用新型]一种晶闸管芯片及晶闸管-CN202021381028.1有效
发明人：王东东;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶闸管芯片和晶闸管，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。
一种晶闸管芯片

[发明专利]一种晶闸管芯片、晶闸管及其制作方法-CN202010675829.7在审
发明人：王东东;操国宏;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
一种晶闸管芯片及其制作方法

[发明专利]一种晶闸管芯片、晶闸管及其制作方法-CN202010677130.4在审
发明人：王东东;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管芯片及其制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。
一种晶闸管芯片及其制作方法

[发明专利]一种管芯参数测试方法、适配装置及该装置的安装方法-CN201710498176.8有效
发明人：贺振卿;银登杰;焦莎莎;李勇;王明;彭军华;刘栋;邹平;罗得;刘艳 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种管芯参数测试方法、适配装置及该装置的安装方法，装置包括：阴极适配器和阳极适配器，管芯设置于阴极适配器与阳极适配器之间。阴极适配器包括阴极垫板、阴极块和门极件，阴极垫板、阴极块采用导电材料。阴极垫板设置有与管芯的门极图形对应的阴极垫板槽。门极件设置于阴极垫板槽中，并在测试时与管芯的门极相连。阴极垫板的一面与管芯的阴极相装配，另一面与阴极块相装配。阳极适配器进一步包括阳极块，及用于固定管芯的定位圈，阳极块采用导电材料，定位圈设置于阳极块的一面。阳极块设置有定位圈的一面在管芯测试时与管芯的阳极相装配。本发明能够解决传统管芯测试适配器需逐片装放与拆卸，测试效率和准确性不高的技术问题。
一种管芯参数测试方法配装装置安装

[发明专利]一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法-CN201710378910.7有效
发明人：贺振卿;银登杰;焦莎莎;张谦;李勇;刘军;王明;李军;窦金龙 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法，用于将芯片安装至行星盘上，装置包括：用于安装芯片的盖板和挡环，挡环中部设置有挡环通孔，并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中，盖板设置于内卡环的上方，芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内，芯片设置有硅片的一面朝下，然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺，以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
芯片挡环行星盘盖板半导体芯片电子束蒸发装置内卡环外卡环硅片放入蒸发源材料盖板安装热胀冷缩芯片安装芯片报废蒸发工艺烧结卡环卡口内卡通孔蒸发

[发明专利]一种器件压力测试工具-CN201610940026.3有效
发明人：彭军华;窦金龙;赵耿;邵云;邹平;刘栋;高超;王真;王飞;银登杰 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件压力测试工具，包括上压块、下压块和用于驱动所述上压块与所述下压块沿竖直方向相向移动的驱动装置，还包括下侧面与所述下压块的上表面接触时能够电导通的滑板，所述滑板的上侧面具有用于放置器件的放置台面，且所述滑板能够相对所述下压块横向移动以能够带动器件从放置位置至测试位置。在该器件压力测试工具中，因为设置了滑板，可以避免人手将器件伸进去，继而保证安全。同时因为器件是在放置位置放置在放置台面上，其中放置位置的空间比测试位置的空间大，能够比较精准的放置，避免放置台面与器件相对摩擦，所以该器件压力测试工具能够有效地解决测试工具使用中存在安全隐患且容易造成器件损伤的问题。
一种器件压力测试工具

[发明专利]一种晶闸管串联配对测试电路及方法-CN201610030904.8有效
发明人：彭军华;邹平;高超;刘栋;贺振卿;窦金龙;王真;朱斌;银登杰 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管串联配对测试电路及方法，当第三电容充电，接通第一开关，触发被测晶闸管二、被测晶闸管一导通，经过设定的初始脉宽时间后，接通第二开关，关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，经过设定的关断时间后再次导通被测晶闸管二、被测晶闸管一，经过设定的脉宽时间后，接通第三开关，关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，一个测试周期结束。在一个测试周期内，第一次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一完成小电流均压测试，第二次关断被测晶闸管二、被测晶闸管一，利用续流回路的续流作用完成大电流均压测试。本发明能够解决快速晶闸管实际应用工况模拟，以及提高快速晶闸管串联配对准确度的技术问题。
一种晶闸管串联配对测试电路方法

[发明专利]晶闸管电流波形测试装置及方法-CN201610482846.2在审
发明人：彭军华;王真;刘栋;赵耿;高超;窦金龙;邹平;银登杰;焦莎莎;王飞 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种晶闸管电流波形测试装置及方法，其中装置包括连接有示波器的电流探头、第一开关、第一可调直流电源和第一电阻器，其中，第一开关、第一可调直流电源和第一电阻器依次连接组成第一串联电路，电流探头设置在第一串联电路上；还包括依次连接的第二开关、第二电阻器和第二可调直流电源。本发明提供的晶闸管电流波形测试装置及方法，通过测量低电压条件下晶闸管开通关断动态电流波形，并通过示波器显示，使检测人员能直观分辨出晶闸管电流波形是否存在电流波形跳变现象，从而筛选出那些低电压条件下门极特性不佳的器件，提高晶闸管工作可靠性。
晶闸管电流波形测试装置方法

[发明专利]一种半导体芯片烧结模具-CN201510956966.7在审
发明人：贺振卿;银登杰;焦莎莎;李勇;刘军;饶伟;王明;姚润华;邹平 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片烧结模具，包括不锈钢桶(2)以及能够放置于所述不锈钢桶(2)内的隔衬(3)和定位筒(1)，所述不锈钢桶(2)上具有通气孔，所述隔衬(3)和所述定位筒(1)的外径尺寸均满足所述不锈钢桶(2)的内径尺寸要求，所述隔衬(3)的内径尺寸满足所述芯片在高温下最大线性膨胀尺寸要求，所述定位筒(1)的内径尺寸满足所述芯片能够装模时的最小尺寸要求。该半导体芯片烧结模具有效地解决了在装模时芯片不容易定位等问题。
一种半导体芯片烧结模具

[发明专利]用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置-CN201410030804.6有效
发明人：贺振卿;焦莎莎;银登杰 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于烧结型半导体器件芯片台面腐蚀的装置，包括：夹具一、夹具二和隔片。夹具一与夹具二均采用圆环形结构，相互之间紧固连接。夹具一与夹具二通过对两个阳极面对接的芯片的边缘处进行紧固实现其阳极面和边缘处的密封。隔片设置在两个相互对接的芯片的阴极面外侧，实现芯片的阴极面的密封。隔片与由夹具一、夹具二和芯片组成的组合体之间留有间隙，使得芯片的台面能够被腐蚀，而芯片除台面以外的部分得到保护。本发明克服了现有技术中烧结型半导体器件芯片台面腐蚀时不能很好的保护芯片的技术问题，改善了烧结型半导体器件芯片台面的腐蚀质量，大幅提高了产品合格率。
用于烧结半导体器件芯片台面腐蚀装置

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