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[实用新型]一种半导体二极管芯片-CN201520830860.8有效
发明人： 金豫浙;冯亚萍;薛生杰;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本实用新型的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
一种半导体二极管芯片

[发明专利]一种有背镀金属层发光二极管晶元的切割方法-CN201510912694.0在审
发明人：冯亚萍;李志聪;张应;金豫浙;薛生杰;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种有背镀金属层发光二极管晶元的切割方法，属于半导体技术领域，本发明于基片同侧制出各发光单元的P焊线电极和N焊线电极，在与P焊线电极和N焊线电极同侧的相邻的发光单元之间制作出正面切割道，经减薄处理后，在与P焊线电极和N焊线电极背对的一侧相邻的发光单元之间制作出反面切割道，所述反面切割道与正面切割道的位置完全对应，激光光束仅能在背面切割道区域透过，激光光束透过背面切割道聚焦至透明基板进行隐形切割，经对晶元进行裂片扩张，取得独立的发光二极管。超短Ps激光束可以从背面切割道的位置聚焦到衬底内部对整个衬底进行切割，不易破片，大大减少了先切割再制作薄膜带来的管芯损失，提高成品率。
一种镀金发光二极管切割方法

[发明专利]一种半导体二极管芯片-CN201510698067.1在审
发明人： 金豫浙;冯亚萍;薛生杰;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本发明的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
一种半导体二极管芯片

[实用新型]一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘-CN201520367958.4有效
发明人：孙一军;李鸿渐;李盼盼;赵新印;王明洋;金豫浙;李志聪;王辉;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘，在卫星盘体的背面中心开设固定栓支撑小孔，在卫星盘体的正面中心设置一个中心片槽，以所述中心片槽为对称中心，在卫星盘体的正面布置若干边缘片槽，其特征在于：在所述中心片槽的底部开设内凹槽。通过石墨盘与空隙热导率的差异降低中心片的温度，增加中心片波长，使中心片与边缘片波长一致，从而提高外延片生产的波长良率。
一种提高 mocvd 外延波长卫星

[实用新型]提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件-CN201520368560.2有效
发明人：孙一军;李鸿渐;李盼盼;赵新印;王明洋;金豫浙;李志聪;王辉;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件，涉及GaN基LED外延生产领域，特别是提高MOCVD外延片波长均匀性的石墨盘组件的结构技术。本实用新型包括石墨盘、卫星盘和固定栓，所述固定栓为柱形石墨件，在柱形石墨件表面设置碳化硅涂层。本实用新型消除了现有固定栓与石墨之间热导率的差异，使得中心片温度与边缘片温度一致，从而提高LED波长均匀性。该方法结构简单，实用性强。
提高 mocvd 外延波长均匀一种石墨组件

[发明专利]提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件-CN201510292702.6在审
发明人：孙一军;李鸿渐;李盼盼;赵新印;王明洋;金豫浙;李志聪;王辉;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件，涉及GaN基LED外延生产领域，特别是提高MOCVD外延片波长均匀性的石墨盘组件的结构技术。本发明包括石墨盘、卫星盘和固定栓，所述固定栓为柱形石墨件，在柱形石墨件表面设置碳化硅涂层。本发明消除了现有固定栓与石墨之间热导率的差异，使得中心片温度与边缘片温度一致，从而提高LED波长均匀性。该方法结构简单，实用性强。
提高 mocvd 外延波长均匀一种石墨组件

[发明专利]一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘-CN201510292660.6在审
发明人：孙一军;李鸿渐;李盼盼;赵新印;王明洋;金豫浙;李志聪;王辉;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘，在卫星盘体的背面中心开设固定栓支撑小孔，在卫星盘体的正面中心设置一个中心片槽，以所述中心片槽为对称中心，在卫星盘体的正面布置若干边缘片槽，其特征在于：在所述中心片槽的底部开设内凹槽。通过石墨盘与空隙热导率的差异降低中心片的温度，增加中心片波长，使中心片与边缘片波长一致，从而提高外延片生产的波长良率。
一种提高 mocvd 外延波长卫星

[实用新型]一种具有双绝缘层的发光二极管阵列-CN201520125009.5有效
发明人：冯亚萍;张溢;金豫浙;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种具有双绝缘层的发光二极管阵列，涉及发光二极管芯片的生产技术领域。本实用新型以阵列将各发光单元布置在同一透明基板上，相邻的发光单元通过金属导电层使微晶粒实现串并联，大大简化了芯片模组中的固晶、键合数量，提升了封装产品良率，降低了封装成本；单位面积内形成的多颗芯片集成，避免了芯片间BIN内如波长、电压、亮度跨度带来的一致性问题。同时这种发光二极管阵列还可以作为单元，再次进行串并联拼接，形成更大功率的模组。特别是本实用新型采用在隔离深槽内设置两层透明绝缘层的方式，能够得到性能稳定、可靠性高、适合大规模量产的发光二极管阵列。
一种具有绝缘发光二极管阵列

[实用新型]具有双反射层的倒装发光二极管芯片-CN201420655496.1有效
发明人： 金豫浙;冯亚萍;张溢;李志聪;叶青贤;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：具有双反射层的倒装发光二极管芯片，涉及发光二极管芯片的生产技术领域，在一透明生长基板的同一侧依次设置N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上设置透明氧化物欧姆接触层，在透明氧化物欧姆接触层上设置P反射层；在局部裸露的N型半导体层上设置N反射层；P反射层和N反射层布置在透明生长基板的同一侧；P反射层由P反射金属层、第一阻挡金属层和第一Ti接触金属层组成，N反射层由N反射金属层、第二阻挡金属层和第二Ti接触金属层组成。本实用新型有助于倒装发光二极管芯片提升亮度和提高层与层之间的黏附，改善可靠性。
具有反射层倒装发光二极管芯片

[发明专利]具有双反射层的倒装发光二极管芯片-CN201410615822.0在审
发明人： 金豫浙;冯亚萍;张溢;李志聪;叶青贤;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：具有双反射层的倒装发光二极管芯片，涉及发光二极管芯片的生产技术领域，在一透明生长基板的同一侧依次设置N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上设置透明氧化物欧姆接触层，在透明氧化物欧姆接触层上设置P反射层；在局部裸露的N型半导体层上设置N反射层；P反射层和N反射层布置在透明生长基板的同一侧；P反射层由P反射金属层、第一阻挡金属层和第一Ti接触金属层组成，N反射层由N反射金属层、第二阻挡金属层和第二Ti接触金属层组成。本发明有助于倒装发光二极管芯片提升亮度和提高层与层之间的黏附，改善可靠性。
具有反射层倒装发光二极管芯片

[实用新型]一种半导体发光二极管芯片-CN201320747631.0有效
发明人： 金豫浙;冯亚萍;张溢;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本实用新型在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。
一种半导体发光二极管芯片

[实用新型]一种白光LED芯片-CN201320498022.6有效
发明人： 金豫浙;张溢;冯亚萍;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：种白光LED的芯片，涉及半导体光电技术领域。包括P型氮化物出光面，位于透明导电层和P型氮化物出光面之间的金属扩展层。具体方法包括：提供完整的具有P型氮化物层、有源层、N型氮化物层的外延基片，刻蚀裸露N型层，并在必要区域，沉积包括电流阻挡层和金属扩展层，再生长透明导电层；并旋涂荧光层在P型出光面，最后利用剥离工艺制作打线焊盘。此芯片结构和制备方法利于提高荧光粉涂覆均匀性，有效降低白光芯片成本。
一种白光 led 芯片

[发明专利]一种半导体发光二极管芯片-CN201310598862.4有效
发明人： 金豫浙;冯亚萍;张溢;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。
一种半导体发光二极管芯片

[发明专利]一种LED芯片及其加工工艺-CN201310501616.2在审
发明人：冯亚萍;张溢;金豫浙;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种LED芯片及其加工工艺，属半导体光电子器件制造技术领域，对外延片基片上的P型氮化物层刻蚀裸露出N型氮化物层；在P型电极焊盘区域下面制作电流阻挡层，刻蚀保留P型电极焊盘区域下面绝缘物质、N型电极焊盘和扩展电极与P型氮化物层直接接触的绝缘物质和P型氮化物和量子阱侧壁的绝缘物质；在基片表面沉积ITO薄膜，再光刻制成电流扩展层、合金，再在基片表面蒸镀金属层，剥离后部分金属层后，形成P型电极焊盘、N型电极焊盘和N金属扩展电极。产品的P电极焊盘和N电极焊盘均位于P型出光面之上，高度相同；N金属扩展电极部分或全部与部分N型氮化物层直接接触。本发明方便打线，提高氮化物基底LED芯片的亮度和光提取效率。
一种 led 芯片及其加工工艺

[发明专利]一种白光LED芯片及其生产方法-CN201310354876.1无效
发明人： 金豫浙;张溢;冯亚萍;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种白光LED的芯片及生产方法，涉及半导体光电技术领域。包括P型氮化物出光面，位于透明导电层和P型氮化物出光面之间的金属扩展层。具体方法包括：提供完整的具有P型氮化物层、有源层、N型氮化物层的外延基片，刻蚀裸露N型层，并在必要区域，沉积包括电流阻挡层和金属扩展层，再生长透明导电层；并旋涂荧光层在P型出光面，最后利用剥离工艺制作打线焊盘。此芯片结构和制备方法利于提高荧光粉涂覆均匀性，有效降低白光芯片成本。
一种白光 led 芯片及其生产方法