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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201310224034.4有效
发明人：朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电型漂移层；形成在漂移层上的第二导电型主体层；形成在漂移层下方的第二导电型集电极层；通过穿透主体层及一部分漂移层而形成的第一栅；形成在主体层中并形成为与第一栅间隔开的第一导电型发射极层；遮盖主体层及发射极层的上部并在第一栅上形成为扁平型栅的第二栅；以及形成在具有主体层、发射极层及漂移层的第一和第二栅的接触表面之间的偏析阻止层。本发明还提供了制造该功率半导体器件的方法。本发明提供的功率半导体器件防止了栅传导电压Vth的不稳定性，因此防止了集电极电流的波纹现象，由此提高功率半导体器件的稳定性。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]外壳及具有该外壳的电源模块-CN201310247367.9有效
发明人：洪昌燮;郭煐熏;金洸洙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外壳及具有该外壳的电源模块，该外壳能够防止在外壳装配时产生的压力对紧固部分的损坏。用于电源模块的外壳包括主体部分，在主体部分中形成有空间，所述空间容纳模块基板，在模块基板上安装了电子元件；多个紧固部分，形成为从主体部分的侧表面突出；弹性构件，以板簧的方式结合到紧固部分，并弹性地支撑紧固部分的下部。
外壳具有电源模块

[发明专利]外壳及具有该外壳的电源模块-CN201310247131.5有效
发明人：洪昌燮;郭煐熏;金洸洙;徐范锡 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外壳及具有该外壳的电源模块，该外壳能够均匀地分布在外壳装配时产生的压力。根据本发明的实施例的用于电源模块的外壳包括主体部分，在主体部分中形成有空间，所述空间容纳模块基板，在模块基板上安装了电子器件；多个紧固部分，从主体部分的侧部突出；紧固构件，具有片簧的形式，紧固构件的两端分别结合到所述多个紧固部分中的两个紧固部分，其中，紧固构件包括结合部分，结合到固定构件；弹性部分，从结合部分的两个边缘延伸以结合到紧固部分，当结合部分紧固到热辐射基板时，弹性部分弹性地变形以给紧固部分提供弹性力。
外壳具有电源模块

[发明专利]功率因数校正电路和包括该功率因数校正电路的电源-CN201310078589.2有效
发明人：郑仁和;徐范锡;金洸洙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明提供了功率因数校正电路和包括该功率因数校正电路的电源，其中该功率因数校正电路包括主开关，调整输入功率的电流和电压之间的相位差；主电感器，根据主开关的切换，存储或释放功率；缓冲电路单元，包括给主开关导通前存在的多余功率形成传输通道的缓冲开关和调整施加给缓冲开关的电流量的缓冲电感器；以及减小电路单元，包括与缓冲电感器电感耦接的辅助电感器以及消耗通过辅助电感器由缓冲电感器感生的功率的辅助电阻器。
功率因数校正电路包括电源

[发明专利]半导体封装件及利用该封装件的半导体封装件模块-CN201510550173.5在审
发明人：李荣基;金洸洙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装件及利用该封装件的半导体封装件模块。根据本发明的一个实施例的半导体封装件包括：第一元件，下部形成有栅电极和发射电极，上部形成有集电极；第二元件，下部形成有正极，上部形成有负极；第一焊盘，形成于第一元件的下部，上表面电连接于栅电极；第二焊盘，形成于第一元件和第二元件的下部，上表面同时电连接于发射电极和正极；第三焊盘，形成于第一元件和第二元件的上部，下表面同时电连接于集电极和负极。
半导体封装利用模块

[发明专利]无引线封装式功率半导体模块-CN201510002284.2在审
发明人： 金洸洙;严基宙;李硕浩;蔡埈锡 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供了一种无引线封装式功率半导体模块。根据本公开的示例性实施例，所述无引线封装式功率半导体模块包括：表面贴装式(SMT)的连接端子，形成在四个侧面的相应侧面相互接触的拐角处；第一安装区域，通过桥连接到连接端子以使第一安装区域设置在所述无引线封装式功率半导体模块的中心部分处，并且安装有功率器件或电连接到功率器件以控制功率器件的控制IC；以及第二安装区域，形成在连接端子之间并且安装有功率器件或控制IC，其中，第一安装区域通过桥设置在与第二安装区域不同的高度处以与第二安装区域产生阶梯差。因此，能够通过应用不同于一维扁平结构的三维结构来实现高集成度、高性能和小功率的半导体模块。
引线封装功率半导体模块

[发明专利]电源模块封装以及制造电源模块封装的方法-CN201410405979.0在审
发明人： 金洸洙;蔡埈锡;郭煐熏 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源模块封装和制造该电源模块封装的方法。根据本发明的优选实施方式，所述电源模块封装包括：引线框架，该引线框架上安装有电源装置和与所述电源装置电连接且控制所述电源装置的控制集成电路；和导热片，该导热片粘接在所述引线框架的一个表面上，其中，所述导热片包括第一树脂层和第二树脂层以及散热装置，所述第一树脂层和第二树脂层包括热导性的无机填料并且添加有苯基缩水甘油醚(PGE)和烷基缩水甘油醚(烷基(C12-C14)缩水甘油醚)的混合物，且金属材料的所述散热装置布置在所述第一树脂层和第二树脂层之间形成的接合界面处。因此，通过散热装置导致的散热效果可容易地提高电源模块封装的热性能。
电源模块封装以及制造方法

[发明专利]功率半导体模块-CN201410276530.9在审
发明人： 金洸洙;蔡埈锡;洪昌燮;郭煐熏;李荣基 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：在此公开一种功率半导体模块。功率半导体模块包括：印制电路板；第一散热器和第二散热器，该第一散热器和第二散热器安装在所述印制电路板上，并且每个散热器的一个表面上设置有端子槽；功率器件，该功率器件安装在第一散热器上且彼此并联连接，并且电连接于至第二散热器；以及第一端子和第二端子，第一端子和第二端子设置有插入到端子槽中的突出部，并设置有用于连接外部端子的连接端子。因此，能够改善功率半导体模块的散热特性，改善与端子连接相关的可靠性问题，例如锡裂或脱层。
功率半导体模块

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201310685135.1在审
发明人： 金洸洙;徐范锡;郑仁和;朴志贤;朴在勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：主体区域，具有第一导电性；阱区，形成在主体区域的上部中，并且具有第二导电性；以及导电通过件，形成在主体区域中，同时穿过所述阱区。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率模块封装-CN201310360867.3无效
发明人：俞度在;金泰贤;金洸洙;蔡埈锡 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种功率模块封装，该功率模块封装包括：衬底；安装在衬底的一个表面上的半导体芯片；连接到衬底的一个表面的外部连接端子；以及一端接触半导体芯片、另一端接触外部连接端子的连接件，该连接件电连接和机械连接在外部连接端子与半导体芯片之间。
功率模块封装

[发明专利]半导体装置及其制备方法-CN201310538284.5无效
发明人：朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，形成在所述半导体基板下的集电极层，形成在所述半导体基板上的基层，形成在所述基层上的发射极层，垂直地贯穿所述基层和所述发射极层的一个或多个沟槽型势垒，形成在所述沟槽型势垒和所述发射极层上的第一栅极绝缘层，使得所述发射极层的上部部分暴露，形成在所述第一栅极绝缘层上的栅极，形成的用来覆盖所述栅极的第二栅极绝缘层，以及形成在通过所述第一栅极绝缘层暴露出的所述发射极层的上部上的发射极金属层。
半导体装置及其制备方法

[发明专利]用于控制功率因数修正的功率因数修正电路和方法-CN201310520179.9有效
发明人：郑仁和;严基宙;徐范锡;金洸洙;朴珉圭 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：于此公开了一种功率因数修正电路，包括：升压转换器电路，在该升压转换器电路中，包括升压电感、整流二极管和升压开关的多个升压电路被相互连接；以及限制电路，包括限制电感和限制开关，以限制所述升压转换器电路。所述限制电感被控制为在所述升压电感被接通之前被接通，以将零电压应用至所述升压电感。可以减少在所述升压开关被接通时产生的切换损耗并提高AC-DC电源装置的效率。
用于控制功率因数修正电路方法

[发明专利]功率因数校正电路及包括该电路的电源装置-CN201310031120.3有效
发明人：郑仁和;徐范锡;金洸洙;严基宙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率因数校正电路及包括该电路的电源装置，该功率因数校正电路包括：主开关单元，包括第一主开关和第二主开关；辅助开关单元包括第一辅助开关和第二辅助开关；电感单元，位于施加输入功率的输入功率端和主开关单元之间，并根据主开关单元的开关操作储电或放电；以及辅助电感，调整在辅助开关单元执行开关操作时辅助开关单元中流动的电流量。
功率因数校正电路包括电源装置

[发明专利]半导体装置-CN201310063205.X无效
发明人：朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：在N-型AlGaN层的一边上形成的源电极；在P-型AlGaN层的另一边上形成并且以垂直于源电极的方向形成的N-型和P-型AlGaN层；在N-型和P-型AlGaN层的一边上形成的门电极；以及在N-型和P-型AlGaN层的另一边上形成的漏电极。本发明提供的半导体装置能够增加操作的可靠性。
半导体装置

[发明专利]一体式功率半导体模块-CN201310533320.9无效
发明人： 金洸洙;梁时重;徐范锡;郭煐熏;J·河 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：公开了一种一体式功率半导体模块，包括多个形成于基片上的第一半导体元件；壳体，所述壳体塑造形成并包括跨过所述多个第一半导体元件的上部的桥；以及多个引导件，所述多个引导件整体地形成于所述壳体上并电连接所述多个第一半导体元件以及所述基片。根据本发明，可通过增加半导体元件的连接区域和连接力来改善可靠性，此外，还可以通过根据半导体元件的安装与高度调节台阶差以提高工艺性并且降低不合格率。此外，省略连接线工序以减少加工时间。
体式功率半导体模块

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