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[发明专利]图像传感器及其形成方法和工作方法-CN201910114626.8有效
发明人：马敬;钟伟明;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法和工作方法，其中，图像传感器包括：基底，基底包括第一区和包围第一区的第二区；位于基底第一区的光电层；位于光电层表面的所述第一阱区；位于第一阱区表面的所述第一浮置扩散区；位于第一浮置扩散区内的所述第二阱区；位于第二阱区内的所述第二浮置扩散区；位于基底第二区表面的第一栅极结构，第一栅极结构包围光电层、第一阱区和第一浮置扩散区，第一栅极结构与光电层、第一阱区和第一浮置扩散区的侧壁接触；位于第二阱区表面的第二栅极结构，第二栅极结构围绕第二浮置扩散区，第二栅极结构暴露出第二浮置扩散区。所述图像传感器的灵敏度较高。
图像传感器及其形成方法工作

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810552229.4有效
发明人：张东亮;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：器件晶圆，所述器件晶圆的正面具有金属互连结构；多个衬垫，与所述金属互连结构电连接；像素晶圆，所述像素晶圆的表面与所述器件晶圆的正面键合；多个导电插塞，贯穿所述像素晶圆，且所述多个导电插塞中的一部分与所述衬垫连接，所述多个导电插塞中的另一部分与所述衬垫之间通过电介质隔开。本发明方案可以在降低开关噪声的同时，复用导电插塞以及衬垫作为MIM电容结构中的两层金属，有助于提高空间利用率，降低生产成本。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811479285.6有效
发明人：马敬;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了半导体器件及其制造方法，其中制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成金属氧化物层；刻蚀所述金属氧化物层及所述半导体衬底，形成沟槽；在所述金属氧化物层上形成金属层，所述金属层填充满所述沟槽；去除所述金属氧化物层表面的所述金属层；去除所述金属氧化物层，形成金属凸块，所述金属凸块边缘的高度高于所述基底表面。最终金属凸块之间熔融结合消除了由于金属凸块表面缺陷而带来的空隙问题，提高了键合后半导体器件的良率。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]防止水汽扩散的布线层及其制备方法-CN201910707310.X在审
发明人：马敬;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种防止水汽扩散的布线层及其制备方法，所述防止水汽扩散的布线层包括至少一功能区及至少一非功能区，绝缘衬底自所述功能区延伸至所述非功能区，在所述非功能区，在所述绝缘衬底内设置有至少一隔离条，所述隔离条隔离功能区与非功能区，以避免非功能区的水汽扩散至功能区。本发明的优点在于，在非功能区形成隔离条，所述隔离条能够阻挡制作布线层的过程中残留在非功能区的水汽，使其不能够自非功能区扩散至功能区，从而避免水汽侵蚀功能区的导线等构件，提高布线层的性能。
非功能区功能区布线层隔离条水汽扩散水汽衬底绝缘隔离功能与非制备残留阻挡扩散侵蚀延伸制作

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910721627.9在审
发明人：王东;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述形成方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有的第一面；在所述第一衬底第一面形成抗反射层，并且在垂直于所述第一面的方向上，所述抗反射层的厚度为预设厚度；形成贯穿所述抗反射层和所述第一衬底的通孔；在所述通孔内形成第一导电层，所述抗反射层表面暴露出所述第一导电层表面；在形成所述第一导电层后，在所述抗反射层表面形成栅格层。所述形成方法能够节省制造图像传感器的时间和成本。
衬底第一导电层图像传感器抗反射层抗反射层表面通孔栅格层面形预设垂直暴露贯穿制造

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910726421.5在审
发明人：马敬;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层，且所述第一介质层内具有若干导电结构；在相邻所述导电结构之间的第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成牺牲层；在所述牺牲层表面和第一介质层表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二开口，且所述第二开口底部暴露出部分牺牲层顶部表面；形成所述第二开口之后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，在所述第二开口内形成封闭层，所述封闭层封闭所述第二开口顶部。所述方法能够有效改善空气隙的形貌和良率，从而有效降低寄生电容，使得形成的半导体结构的性能较好。
介质层牺牲层开口半导体结构导电结构封闭层去除形貌介质层表面顶部表面基底表面寄生电容开口顶部空气隙基底良率暴露封闭

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910682289.2在审
发明人：周艮梅;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的正面具有第一衬垫；提供第二晶圆，所述第二晶圆的正面具有第二衬垫，所述第二衬垫与所述第一衬垫一一对应；将所述第一晶圆的正面和第二晶圆的正面进行对准，并进行键合，以使每个第一衬垫与对应的第二衬垫电连接；其中，每个第一衬垫的表面的面积小于对应的第二衬垫的表面的面积。本发明方案可以降低第一衬垫与第二衬垫的接触面积，从而使得在第一晶圆相对于第二晶圆存在较小程度的对准偏差时，不会影响接触面积，有助于拓宽对准容忍度。
晶圆图像传感器对准对准偏差电连接容忍度键合

[发明专利]图像传感器的形成方法、半导体结构-CN201910112827.4在审
发明人：崔晓彤;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器的形成方法、半导体结构，所述方法包括：提供像素半导体衬底，并在所述像素半导体衬底内形成光电二极管掺杂区，所述光电二极管掺杂区与所述像素半导体衬底的正面的距离小于预设距离；提供承载晶圆，将所述像素半导体衬底的正面与承载晶圆的正面进行第一次键合；在所述像素半导体衬底的背面形成像素金属互连层；提供逻辑晶圆，并在所述逻辑晶圆的正面形成逻辑金属互连层；将所述像素半导体衬底的背面与所述逻辑晶圆的正面进行第二次键合。本发明方案可以减轻对像素半导体衬底的损害，降低产生暗电流的可能性，降低成本和工艺复杂度。
像素衬底半导体晶圆光电二极管掺杂区半导体结构金属互连层图像传感器次键背面承载工艺复杂度预设距离暗电流损害

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811474967.8在审
发明人：周艮梅;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；金属层间介质层，位于所述半导体衬底的正面，所述金属层间介质层内形成有金属互连结构；反射金属层，位于所述金属层间介质层的表面；滤镜结构，位于所述半导体衬底的背面；其中，所述反射金属层的反射面朝向所述光电二极管，用于将入射至所述反射面的光线反射回光电二极管。本发明方案可以提高光线的吸收量，增加图像传感器的灵敏度。
图像传感器衬底金属层间介质层光电二极管半导体反射金属层金属互连结构光线反射反射面灵敏度吸收量滤镜入射反射背面

[发明专利]用于等离子体损伤检测的半导体器件及其检测方法、形成方法-CN201811443886.1在审
发明人：周艮梅;管斌;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于等离子体损伤检测的半导体器件及其检测方法、形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；金属层间介质层，所述金属层间介质层内形成有成对的第一金属互连结构与第二金属互连结构，以及成对的第三金属互连结构与第四金属互连结构；TSV刻蚀沟槽；第一测量衬垫、第二测量衬垫、第三测量衬垫和第四测量衬垫；其中，所述的第一测量衬垫与第二测量衬垫用于测量所述第一金属互连结构与第二金属互连结构之间的电容，所述第三测量衬垫与第四测量衬垫用于测量所述第三金属互连结构与第四金属互连结构之间的电容。本发明方案可以确定所述等离子体刻蚀工艺对所述半导体器件的损伤，有助于提高半导体器件的品质。
金属互连结构半导体器件测量衬垫金属层间介质层等离子体损伤检测第二测量第一测量成对的电容测量等离子体刻蚀刻蚀沟槽衬底半导体损伤

[发明专利]晶圆及其键合的对准方法-CN201811250379.6在审
发明人：钟伟明;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆及其键合的对准方法，所述对准方法包括：提供第一半导体衬底以及第二半导体衬底；在所述第一半导体衬底的正面形成第一沟槽；在所述第二半导体衬底的正面形成第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一沟槽的位置对应；在所述第二沟槽内形成金属球；将所述第一半导体衬底的正面以及所述第二半导体衬底的正面对准并堆叠放置；对所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底进行加热至超过所述金属球的材料的熔点，所述金属球熔化进入所述第一沟槽，使得所述第一半导体衬底的正面以及所述第二半导体衬底的正面自对准。本发明方案可以提高对准的准确性，降低对准误差，有利于提高键合后晶圆的品质。
衬底半导体对准金属球键合晶圆熔点熔化堆叠放置对准误差自对准种晶加热

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811267971.7在审
发明人：徐进;钟伟明;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供逻辑晶圆，所述逻辑晶圆内具有逻辑器件，且所述逻辑晶圆的表面的至少一部分覆盖有第一介质层；提供像素晶圆，所述像素晶圆内具有像素器件，且所述像素晶圆的表面的至少一部分覆盖有第二介质层；对所述第一介质层进行刻蚀以形成多个第一沟槽，和/或，对所述第二介质层进行刻蚀以形成多个第二沟槽；将所述逻辑晶圆的正面以及所述像素晶圆的正面键合。本发明方案可以减少半导体器件中的寄生电容，提高半导体器件的品质。
晶圆半导体器件介质层像素刻蚀寄生电容逻辑器件像素器件覆盖键合

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811178557.9在审
发明人：周艮梅;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底；多个像素器件，位于所述半导体衬底内；多个具有不同滤光颜色的滤光器，设置于所述半导体衬底的表面；其中，每个滤光器与位于其下的像素器件之间设置有光吸收薄膜，且具有不同滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜具有不同的透光率，所述滤光颜色的光线波长越长，所述光吸收薄膜的透光率越低。本发明方案有助于产生足够的光电子，提高所述图像传感器的灵敏度。
图像传感器滤光颜色光吸收滤光器衬底薄膜半导体像素器件透光率光线波长灵敏度光电子

[发明专利]图像传感器的形成方法-CN201811284091.0在审
发明人：徐进;钟伟明;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器的形成方法，包括：提供像素半导体衬底，所述像素半导体衬底的正面具有介质层；在所述介质层的表面形成像素金属互连结构，所述像素金属互连结构至少包括像素层间介质层；对所述像素层间介质层进行刻蚀以形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述介质层的一部分表面；将所述像素半导体衬底的正面与逻辑晶圆的正面进行键合，所述逻辑晶圆的正面表面具有逻辑顶层金属线，所述第一沟槽的开口面向所述逻辑顶层金属线的一部分；自所述像素半导体衬底的背面，对所述像素半导体衬底以及所述介质层进行刻蚀以形成第二沟槽，所述第二沟槽与第一沟槽连通。本发明方案可以减轻像素晶圆的表面以及硅衬底的刻蚀损伤，减轻暗电流问题。
像素介质层衬底半导体晶圆金属互连结构顶层金属线图像传感器像素层刻蚀表面形成刻蚀损伤正面表面暗电流硅衬底与逻辑键合连通背面开口暴露

[发明专利]MIM电容器及其制造方法-CN201810862733.4在审
发明人：杨鸣鹤;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种MIM电容器及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面形成下极板铜金属层；在所述下极板铜金属层的表面形成第一铝金属薄膜；在所述第一铝金属薄膜的表面形成氧化铝介质层；在所述氧化铝介质层的表面形成第二铝金属薄膜；在所述第二铝金属薄膜的表面形成上极板铜金属层。本发明方案可以提高铜金属层的导电性能，有助于提高MIM电容器的品质。
铝金属薄膜表面形成铜金属层下极板衬底半导体表面形成氧化铝氧化铝介质导电性能介质层上极板制造

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