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[发明专利]带载体薄膜的透明导电性薄膜及使用其的触摸面板-CN201680091549.3有效
发明人： 酒井和也;津野直树;拝师基希 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：提供通过控制带载体薄膜的透明导电性薄膜的保护薄膜的含水量，由此防止透明导电性薄膜的电阻值异常、并且提高透明导电膜与基材的密合性从而防止膜剥离的带载体薄膜的透明导电性薄膜及使用其的触摸面板。本发明中的带载体薄膜的透明导电性薄膜包含透明导电性薄膜(20)和载体薄膜(10)，所述透明导电性薄膜(20)包含透明树脂薄膜(3)和透明导电膜(4)，所述载体薄膜(10)包含配置于前述透明导电性薄膜(20)的形成有前述透明树脂薄膜(3)的面的一侧的粘合剂层(2)和保护薄膜(1)，前述透明导电膜(4)为铟锡复合氧化物，前述保护薄膜(1)的含水量是每10mm×10mm为1.0×10‑3g以下。
载体薄膜透明导电性使用触摸面板

[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法-CN201910950358.3有效
发明人：野泽顺;宍戸博明;酒井和也 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
掩膜板坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜层叠体及透明导电性薄膜的制造方法-CN201910146859.6有效
发明人： 酒井和也;松本圭祐;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供透明导电性薄膜层叠体及透明导电性薄膜的制造方法。透明导电性薄膜层叠体依次具备：保护树脂薄膜、粘合剂层及透明导电性薄膜。透明导电性薄膜依次具备透明树脂基材及透明导电层，保护树脂薄膜及透明树脂基材中的至少一者含有环烯烃系树脂，所述透明导电性薄膜层叠体满足下述式(1)及(2)。(式中，X表示含有环烯烃系树脂的保护树脂薄膜或透明树脂基材的厚度(μm)。其中，保护树脂薄膜及透明树脂基材这两者含有环烯烃系树脂时，表示厚度较薄者的值。Y表示在拉伸速度10m/分钟、剥离角度180°的条件下的粘合剂层的剥离力(N/50mm)。)Y0.0003X2.7(1)0.2≤Y6.0(2)。
透明导电性薄膜层叠制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法-CN201880065717.0有效
发明人： 酒井和也;松本圭祐;河野文彦;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导电性薄膜1依次具备透明基材2和透明导电层6。透明基材2包含具有130℃以上的玻璃化转变温度的树脂。透明导电层6为非晶质。以150℃加热90分钟后的透明导电性薄膜1的MD方向的热收缩率与TD方向的热收缩率之差为0.05％以下。
透明导电性薄膜及其制造方法

[发明专利]薄膜层叠体、及图案化导电性薄膜的制造方法-CN202010174093.5在审
发明人： 酒井和也;竹安智宏;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：提供能够实现薄型化、并且抑制尺寸变化的薄膜层叠体、及图案化导电性薄膜的制造方法。薄膜层叠体(1)在厚度方向具备载体薄膜(2)及导电性薄膜(3)，导电性薄膜(3)在厚度方向具备透明基材(7)及透明导电层(10)，载体薄膜(2)具备保护基材(4)，透明基材(7)的厚度不足20μm，保护基材(4)的热收缩率为0.20％以下，保护基材(4)与导电性薄膜(3)的线性热膨胀系数差为40ppm/℃以下。
薄膜层叠图案导电性制造方法

[发明专利]薄膜层叠体、及图案化导电性薄膜的制造方法-CN202010174097.3在审
发明人： 酒井和也;竹安智宏;鹰尾宽行 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：提供能够实现薄型化、并且抑制尺寸变化的薄膜层叠体、及图案化导电性薄膜的制造方法。薄膜层叠体(1)在厚度方向具备载体薄膜(2)及导电性薄膜(3)，导电性薄膜(3)在厚度方向具备透明基材(7)及透明导电层(10)，载体薄膜(2)具备保护基材(4)，透明基材(7)的厚度不足50μm，保护基材(4)的热收缩率为0.20％以下，保护基材(4)与导电性薄膜(3)的线性热膨胀系数差为40ppm/℃以下，对薄膜层叠体(1)进行加热剥离时的导电性薄膜(3)的热收缩率为0.20％以下。
薄膜层叠图案导电性制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜-CN201911374409.9在审
发明人：竹安智宏;酒井和也;西岛仁志 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及透明导电性薄膜及结晶性透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上侧的透明导电层(5)，透明导电层(5)为非晶质，透明导电层(5)在厚度方向具有：由含有铪的铟系氧化物形成的Hf区域(8)、和由含有锡的铟系氧化物形成的Sn区域(6)。
透明导电性薄膜结晶

[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法-CN201910950357.9在审
发明人：野泽顺;宍戸博明;酒井和也 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
相移低透光层板坯料高透光掩膜材料形成光学特性均匀性曝光光半金属元素非金属元素透光性基板多个基板硅类材料膜厚方向稀有气体相移掩膜透光率制造

[发明专利]相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模-CN201610184327.8有效
发明人：野泽顺;宍户博明;酒井和也 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9％。
相移坯料及其制造方法以及

[发明专利]传感器系统-CN201510711480.7有效
发明人：吉濑浩;德本欣智;酒井和也;石本祐太朗;青木要 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够更加准确地检测异常的传感器系统。传感器IC(44)具备第一检测器(50)、第二检测器(60)、以及通信电路(70)。第一检测器(50)以及第二检测器(60)分别输出与被赋予的磁的强度相应的第一数字值(Da)以及第二数字值(Db)。通信电路(70)将从第一检测器(50)以及第二检测器(60)分别输出的第一数字值(Da)以及第二数字值(Db)发送给控制装置(30)。此时，通信电路(70)将第一数字值(Da)以及第二数字值(Db)配置在多个帧上来发送。另外，通信电路(70)以配置在帧上的第一数字值(Da)以及第二数字值(Db)的位信息数据的排列顺序不同的方式构成多个帧。
传感器系统

[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法-CN201480004256.8有效
发明人：野泽顺;宍戸博明;酒井和也 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
掩膜板坯料相移及其制造方法

[发明专利]透明导电性薄膜层叠体及透明导电性薄膜的制造方法-CN201910146091.2在审
发明人： 酒井和也;松本圭祐;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：本发明提供透明导电性薄膜层叠体及透明导电性薄膜的制造方法。透明导电性薄膜层叠体依次具备：保护树脂薄膜、粘合剂层及透明导电性薄膜。保护树脂薄膜含有环烯烃系树脂，所述透明导电性薄膜层叠体满足下述式(1)及(2)。(式中，X表示保护树脂薄膜的厚度(μm)。Y表示在拉伸速度10m/分钟、剥离角度180°的条件下的粘合剂层的剥离力(N/50mm)。Y<0.0003X^2.7 (1)0.2≤Y<6.0 (2)。
透明导电性薄膜层叠体树脂薄膜式( 1 )粘合剂层环烯烃系树脂剥离力拉伸式中制造剥离

[发明专利]透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体-CN201811203004.4在审
发明人：松本圭祐;酒井和也;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体。透明导电性薄膜具备：透明基材；配置于透明基材的厚度方向一侧的透明导电层；配置于透明基材的厚度方向另一侧的阻气层；和配置于阻气层的厚度方向另一侧的覆盖层，阻气层含有Zn、Al及Si中的至少2种成分以上，覆盖层为含有Si的氧化物层，覆盖层的厚度方向另一面的水接触角为40度以上，利用X射线光电子能谱法测定覆盖层的厚度方向另一面时相对于包含Si的金属元素的、Si的元素比率为40％以上。
透明导电性薄膜覆盖层透明基材阻气层层叠体配置透明导电层金属元素水接触角氧化物层元素比率

[发明专利]无机物层层叠体的制造方法-CN201811082862.8在审
发明人：松本圭祐;竹下翔也;河野文彦;酒井和也;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及无机物层层叠体的制造方法，该无机物层层叠体的制造方法具备：在具备基材薄膜的薄膜体的厚度方向一侧配置第1支撑薄膜的工序、在真空下在薄膜体的厚度方向另一侧形成无机物层的工序、将第1支撑薄膜去除的工序、在薄膜体的厚度方向一侧配置第2支撑薄膜的工序、及对无机物层进行加热的工序。
无机物支撑薄膜薄膜体叠体无机物层制造基材薄膜配置去除加热

[发明专利]促动器控制装置-CN201410240785.X有效
发明人： 酒井和也;松本勤;酒井厚夫;小塚谦一;足立丈英 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： B62D6/00 文献下载
摘要：本发明提供一种促动器控制装置，该装置即使在将生成促动器的控制所使用的电信号的电子设备多重化的情况下，也能够抑制该电子设备与控制装置之间的通信路径数量的增大。转矩传感器(52)以及旋转角传感器(53)分别被双重化。转矩传感器(52a)以及旋转角传感器(53b)经由SPI通信线(61)、旋转角传感器(53a)以及转矩传感器(52b)经由SPI通信线(62)与微型计算机(42)连接。另外，转矩传感器(52a、52b)以及旋转角传感器(53a、53b)经由CS信号线(71～74)与微型计算机连接。微型计算机通过CS信号线选择自身的通信对象，由此能够分别在SPI通信线(61、62)中接收多种电信号。
促动控制装置

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